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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IX6R11S6	-	RFQ	8614	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	IX6R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	18-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	42	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.6V	6a，6a	25ns，17ns	600 v
ISL6801AB	-	RFQ	3693	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6801	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜6.5V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	独立的	高方向	1	n通道MOSFET	1.4V，3V	200mA，200mA	200NS，200NS	120 v
IR2106STRPBF	2.2000	RFQ	25	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
MC34151PG	-	RFQ	1929年	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC34151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns
IR21531STRPBF	2.9600	RFQ	22	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR21531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
HIP2101IBZT	-	RFQ	4382	Intersil	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
MC34151DR2G	2.0200	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC34151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns
TC426COA	1.5900	RFQ	208	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
EL7222CS	-	RFQ	2791	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7222	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	97	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
LM2722MX/NOPB	-	RFQ	7725	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM2722	不转变	未行业行业经验证	4V〜7V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3.2a	17ns，12ns
lt1336is＃trpbf	6.8550	RFQ	7250	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	LT1336	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
TPIC44L02DBG4	-	RFQ	9619	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	TPIC44L02	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	24 SSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	-	1.2mA，1.2mA	3.5µs，3µs
IR2104S	-	RFQ	7647	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
UCC21222QDRQ1	4.3300	RFQ	1597年	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UCC21222	CMOS/TTL	未行业行业经验证	3v〜5.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.25V，1.6V	4a，6a	5n，6ns
IRS21962STRPBF	-	RFQ	5527	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21962	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001543072	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方向	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，3.5V	500mA，500mA	25n，25n	600 v
IR2133S	-	RFQ	4853	Infineon技术	-	管子	过时的	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2133	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2133S	Ear99	8542.39.0001	25	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
IR2301STRPBF	2.2400	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2301	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
IR2103STR	-	RFQ	2166	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2103	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
MIC5016YWM	-	RFQ	1194	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC5016	不转变	未行业行业经验证	2.75V〜30V	16-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1237	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
MIC4428CM-Tr	-	RFQ	2130	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
ISL6612BCR-T	-	RFQ	6436	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR2117STR	-	RFQ	7317	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2117	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001533132	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
TC1410NEOA	2.1600	RFQ	18	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1410	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1410NEOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	25n，25n
LM5112MYX/NOPB	1.5000	RFQ	3	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LM5112	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	3a，7a	14ns，12ns
PX3511ADAG-R3	-	RFQ	2140	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PX3511	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC4607-1YTS-T5	-	RFQ	7844	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm）	MIC4607	反转，无变形	未行业行业经验证	5.25V〜16V	28-tssop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
V62/11601-02YE	4.5855	RFQ	9982	Texas Instruments	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件			296-V62/11601-02 YETR			2,500
TC4424COE	3.4100	RFQ	513	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4424COE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
IR21141SSPBF	-	RFQ	2675	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	IR21141	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	24 SSOP	下载		3（168））	到达不受影响	SP001538030	Ear99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	2a，3a	24ns，7ns	600 v
NCP5181PG	-	RFQ	2377	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	NCP5181	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	1.4a，2.2a	40NS，20NS	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²