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门司机（（7161）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil，vih | 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） | 上升 /秋季t （典型） | 高侧电压 -最大（引导程序） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | LM5106mmx | - |  | 4877 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度） | LM5106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 10-VSSOP | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 1.2a，1.8a | 15ns，10ns | 118 v | ||
 | 1SP0630V2M1R-XXXX（2）（3）（3）（4） | 240.4600 | | 4614 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 积极的 | - | 596-1SP0630V2M1R-XXXX （2）（3）（4）（4） | 6 | ||||||||||||||||||||||
 | IR2102PBF | - | | 6752 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | IR2102 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，3V | 210mA，360mA | 100NS，50NS | 600 v | ||
| ADP3415LRM-REEL | - | | 6051 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜100°C（TA） | 表面安装 | 10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度） | 不转变 | 7V | 10-msop | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-ADP3415LRM-REEL-505 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | - | 20N，25n | 30 V | ||||||
 | ADUM4221CRIZ-RL | 4.9200 | | 1315 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | ADUM4221 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 2.5V〜6.5V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT | 1.5V，3.5V | 4a，6a | 25ns，30ns | |||
| IR25600pbf | - | | 2103 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | IR25600 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6v〜20V | 8-pdip | - | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.7V | 2.3a，3.3a | 15ns，10ns | ||||||
 | TC1426COA713 | 1.4900 | | 766 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | TC1426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，3V | 1.2a，1.2a | 35ns，25n | |||
 | IR2112PBF | 5.9100 | | 261 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | IR2112 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14浸 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001539968 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 6V，9.5V | 250mA，500mA | 80n，40n | 600 v | |
 | ISL6594ACBZ-T | - | | 8035 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6594 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | ||
 | DGD0506AFN-7 | 0.8700 | | 13 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 10-WFDFN暴露垫 | DGD0506 | CMOS/TTL | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | W-DFN3030-10 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 1.5a，2a | 17ns，12ns | 50 V | ||
 | EL7222CS-T13 | - | | 3589 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | EL7222 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 2a，2a | 7.5NS，10NS | |||
 | IRS2304STRPBF | 1.5600 | | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRS2304 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.7V，2.3V | 290mA，600mA | 70ns，35ns | 600 v | ||
 | UCC27423PE4 | - | | 9289 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车，AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | UCC27423 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 1V，2V | 4a，4a | 20N，15n | |||
 | 1EDN7511BXTSA1 | - | | 8392 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | 1EDN7511 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | PG-SOT23-6-2 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001462484 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT，N通道MOSFET | 1.2V，1.9V | 4a，8a | |||
 | LM5100CMA/NOPB | - | | 8690 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | LM5100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V， - | 1a，1a | 990NS，715NS | 118 v | ||
 | 5962-8877003PA | - | | 6571 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C（TA） | 通过洞 | 8-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 5962-8877003 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 6a，6a | 25n，25n | ||||
 | LM5102SD | 1.2900 | | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | LM5102 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 10-wson（4x4） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 1.6a，1.6a | 600NS，600NS | 118 v | ||
| ISL2100AAR3Z-T | - | | 4429 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 9-VFDFN暴露垫 | ISL2100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 9-DFN-EP（3x3） | - | 0000.00.0000 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 3.7V，7.4V | 2a，2a | 10n，10n | 114 v | ||||||
| 1SD536F2-XXXX（2）（4）（4）（5） | 340.1925 | | 9464 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 积极的 | - | 596-1SD536F2-XXXX （2）（4）（4）（5） | 4 | ||||||||||||||||||||||
| IRS2117SPBF | 0.8561 | | 3798 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRS2117 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT，N通道MOSFET | 6V，9.5V | 290mA，600mA | 75ns，35ns | 600 v | ||
| 1SD418F2-CM800EEE2C-66H | - | | 3124 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 盒子 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 底盘安装 | 模块 | 1SD418F2 | - | 未行业行业经验证 | 14.5v〜15.5V | 模块 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8473.30.1180 | 1 | 单身的 | 半桥 | 1 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | - | - | 100NS，100NS | |||||
 | FAN3228CMPX | - | | 6893 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | FAN3228 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-mlp （3x3） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 3a，3a | 12ns，9ns | ||||
 | tps2811pwle | 0.5400 | | 5 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | TPS2811 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-tssop | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | - | 2a，2a | 14ns，15ns | |||
| ISL6615AIBZ | 4.5500 | | 19 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6615 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | -isl6615aibz | Ear99 | 8542.39.0001 | 980 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a，4a | 13ns，10ns | 36 V | |
| ISL6801ABT | - | | 2302 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6801 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜6.5V | 8-SOIC | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 1.4V，3V | 200mA，200mA | 200NS，200NS | 120 v | ||
 | max628csa+t | 3.2700 | | 5852 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | Max628 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 2a，2a | 25NS，20NS | |||
 | MIC4414YFT-T5 | - | | 8370 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 4-UQFN | MIC4414 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 4-TQFN（1.2x1.2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V，3V | 1.5a，1.5a | 12n，12ns | |||
| UCC27524DR | 1.5100 | | 6 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C 〜140°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | UCC27524 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 1V，2.3V | 5a，5a | 7NS，6NS | |||
 | TPIC44L02DB | 1.9440 | | 5498 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 24SSOP （0.209“，5.30mm宽度） | TPIC44L02 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 24 SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道，p通道MOSFET | - | 1.2mA，1.2mA | 3.5µs，3µs | |||
| ixdi514siat/r | - | | 9456 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IXDI514 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 1V，2.5V | 14a，14a | 25ns，22ns |
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