SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 重量( kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
NCP4420P onsemi NCP4420p 0.5500
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 NCP4420 未行业行业经验证 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1
LTC1154CN8 ADI LTC1154CN8 -
RFQ
ECAD 8396 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 0°C〜70°C(ta) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) LTC1154 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.8V,2V - -
EL7158ISZ-T7 Renesas Electronics America Inc EL7158ISZ-T7 7.8991
RFQ
ECAD 8624 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) EL7158 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜12V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 单身的 高方面或低侧 1 IGBT 0.8V,2.4V 12a,12a 12ns,12.2ns
IR21363JPBF International Rectifier IR21363JPBF -
RFQ
ECAD 7553 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IR21363 反转 未行业行业经验证 12v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 Ear99 8542.39.0001 1 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
MAX4428CSA+T ADI/Maxim Integrated max4428csa+t -
RFQ
ECAD 2746 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max4428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 20N,20N
RT7027GN Richtek USA Inc. RT7027GN -
RFQ
ECAD 9012 0.00000000 Richtek USA Inc. - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) RT7027 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 300mA,600mA 70ns,35ns 600 v
AUIRS2123STR International Rectifier auirs2123str -
RFQ
ECAD 2462 0.00000000 国际整流器 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Auirs2123 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET - 500mA,500mA 80n,80n 600 v
TC4432EPA Microchip Technology TC4432EPA 4.1700
RFQ
ECAD 167 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TC4432 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 TC4432EPA-NDR Ear99 8542.39.0001 60 单身的 高方面或低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 25ns,33ns
L6569D013TR STMicroelectronics L6569D013TR -
RFQ
ECAD 1892年 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) L6569 RC输入电路 未行业行业经验证 10v〜16.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET - 170mA,270mA - 600 v
IXBD4411SI IXYS IXBD4411SI -
RFQ
ECAD 6443 0.00000000 ixys ISOSMART™ 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IXBD4411 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic 下载 (1 (无限) 到达不受影响 IXBD4411SI-NDR Ear99 8542.39.0001 46 单身的 高方向 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 1V,3.65V 2a,2a 15ns,15ns 1200 v
TC4427EPAG Microchip Technology TC4427EPAG -
RFQ
ECAD 3416 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TC4427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4427EPAG-NDR Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 19NS,19NS
LTC4441IMSE#TRPBF ADI LTC4441IMSE#trpbf 3.8250
RFQ
ECAD 4868 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4441 不转变 未行业行业经验证 5v〜25V 10-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 1.8V,2V 6a,6a 13ns,8ns
MCP1416T-E/MC Microchip Technology MCP1416T-E/MC -
RFQ
ECAD 9028 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vfdfn裸露的垫子 MCP1416 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN(2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 20N,20N
MIC4424BN Microchip Technology MIC4424亿 -
RFQ
ECAD 8085 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) MIC4424 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 28ns,32ns
ISL6596IRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6596IRZ-T 3.0561
RFQ
ECAD 7724 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6596 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - - ,4A 8ns,8ns 36 V
MC33152DR2 onsemi MC33152DR2 -
RFQ
ECAD 3205 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MC33152 不转变 未行业行业经验证 6.1v〜18V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 MC33152DR2OS Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.6V 1.5a,1.5a 36ns,32ns
MCP1405-E/SN Microchip Technology MCP1405-E/SN 2.6200
RFQ
ECAD 3513 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MCP1405 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 MCP1405ESN Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 4.5a,4.5a 15NS,18NS
TPS2816DBVR Texas Instruments tps2816dbvr 1.8100
RFQ
ECAD 146 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 SC-74A,SOT-753 TPS2816 反转 未行业行业经验证 4V〜14V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 1V,4V 2a,2a 14ns,14ns
MIC5013BM Microchip Technology MIC5013BM -
RFQ
ECAD 4488 0.00000000 微芯片技术 - 管子 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC5013 不转变 未行业行业经验证 7v〜32v 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 高方面或低侧 1 n通道MOSFET 2V,4.5V - -
MCP14E4-E/MF Microchip Technology MCP14E4-E/MF 2.6900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MCP14E4 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S( 6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 4a,4a 15NS,18NS
ISL89411IP Intersil ISL89411IP -
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 Intersil - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) ISL89411 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 7.5NS,10NS
LM5114AMF/NOPB Texas Instruments LM5114AMF/NOPB 1.7300
RFQ
ECAD 119 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 LM5114 反转,无变形 未行业行业经验证 4v〜12.6V SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 1.3a,7.6a 82ns,12.5ns
MP1923GS-Z Monolithic Power Systems Inc. MP1923GS-Z -
RFQ
ECAD 2978 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. MP 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 不转变 5v〜17V 8-SOIC - rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 1589-MP1923GS-ZTR 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 7a,8a 7.2NS,5.5NS 120 v
IR2131JTRPBF International Rectifier IR2131JTRPBF 5.3000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IR2131 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 80n,40n 600 v
TC1428CUA Microchip Technology TC1428CUA -
RFQ
ECAD 5206 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) TC1428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-msop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC1428CUA-NDR Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,3V 1.2a,1.2a 35ns,25n
TSC426MJA/883B ADI/Maxim Integrated TSC426MJA/883B -
RFQ
ECAD 2670 0.00000000 ADI/MAXIM集成 军事,MIL-STD-883 管子 积极的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) TSC426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-Cerdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 25n,25n
MAX8702ETP+ ADI/Maxim Integrated max8702etp+ -
RFQ
ECAD 8267 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 20-WFQFN暴露垫 Max8702 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜28V 20-TQFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 半桥 4 n通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 16ns,14ns
UCC27518DBVR Texas Instruments UCC27518DBVR 0.9900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 SC-74A,SOT-753 UCC27518 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET - 4a,4a 8NS,7NS
ADP3654ARHZ ADI adp3654arhz 2.5600
RFQ
ECAD 470 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) ADP3654 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 4a,4a 10n,10n
ADP3611MNR2G onsemi adp3611mnr2g -
RFQ
ECAD 9105 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -10°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-vfdfn裸露的垫子 ADP3611 反转,无变形 未行业行业经验证 4.6V〜5.5V 8-DFN(2x2) 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 20N,15n
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库