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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IRS2609DSPBF	-	RFQ	7414	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2609	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001544122	Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
MCP14E7-E/MF	2.6700	RFQ	95	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14E7	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E7EMF	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns
FAN3224TMNTXG	1.0532	RFQ	1819年	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3224	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FAN3224TMNTXGTR	Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	2.8a，4.3a	12ns，9ns
IRS2106STRPBF	2.2400	RFQ	2975	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
IHD660IC2	-	RFQ	1558年	电源集成	Scale™-1	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	36浸，24条线索	IHD660	反转	未行业行业经验证	14V〜16V	模块	下载				1810-IHD660IC2	Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	-	100NS，80NS
MIC4424BM	-	RFQ	3239	微芯片技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
1SC0450V2B0-45	244.7600	RFQ	6683	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	1SC0450	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1810-1079	Ear99	8543.70.9860	12	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	50a，50a	30ns，25ns	4500 v
UC3715DP	-	RFQ	2670	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC3715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
EL7457CUZ	6.5900	RFQ	9371	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-qsop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	97	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
MC33151D	-	RFQ	5118	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns
V62/11601-02YE	4.5855	RFQ	9982	Texas Instruments	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件			296-V62/11601-02 YETR			2,500
IRS44262STRPBF	1.7300	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS44262	反转	未行业行业经验证	11.2v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	2.3a，3.3a	25n，25n
Fan7392m	-	RFQ	2116	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Fan7392	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	4.5V，9.5V	3a，3a	25NS，20NS	600 v
ISL6614CRZ-T	-	RFQ	6878	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR21362JTR	-	RFQ	1535年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR21362	反转，无变形	未行业行业经验证	11.5v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
TC4426EPA	2.0000	RFQ	7301	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
LTC7000JMSE＃trpbf	5.4300	RFQ	3948	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118，3.00mm宽）	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	161-LTC7000JMSE＃trpbftr	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS
MIC4423CWM	-	RFQ	8385	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
FAN3226CMX-F085	1.3200	RFQ	4	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3226	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
IXDD614SITR	4.9300	RFQ	52	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDD614	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	14a，14a	25NS，18NS
UCC27323DR	0.5730	RFQ	2520	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27323	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
RT9624BZQW	0.8000	RFQ	832	Richtek USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	RT9624	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-wdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1028-1231-2	Ear99	8542.39.0001	1,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，3.2V	-	25ns，12ns	15 v
LM5101M/NOPB	4.5300	RFQ	2	Texas Instruments	-	管子	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
RT7020GS	1.1200	RFQ	2	Richtek USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RT7020	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	300mA，600mA	70ns，35ns	600 v
Auirs21281	-	RFQ	8927	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs2128	反转	未行业行业经验证	9v〜20V	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响	SP001511864	Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	80n，40n	600 v
HIP2101IBZT7A	4.7400	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
PE29101A-X	-	RFQ	8270	psemi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	死	PE29101	CMOS/TTL	未行业行业经验证	4V〜6.5V	死	下载		不适用			Ear99	8542.39.0001	500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，4a	1NS，1NS
ISL6612CBZA-TR5214	-	RFQ	7684	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IXDF602PI	0.7753	RFQ	8574	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDF602	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8点	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
LTC4441EMSE ＃PBF	6.1500	RFQ	83	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4441	不转变	未行业行业经验证	5v〜25V	10-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LTC4441EMSE ＃PBF	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.8V，2V	6a，6a	13ns，8ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²