SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
LM5111-4MX/NOPB Texas Instruments LM5111-4MX/NOPB -
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5111 反转,无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,5a 14ns,12ns
LTC1693-2CS8#TRPBF ADI ltc1693-2cs8 trpbf 3.0600
RFQ
ECAD 2637 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LTC1693 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 1.7V,2.2V 1.5a,1.5a 16ns,16ns
1SP0340V2M0C-XXXX (2)(3)(4) Power Integrations 1Sp0340v2m0c-xxxx (2)(3)(4)(4) 273.0783
RFQ
ECAD 8758 0.00000000 电源集成 - 大部分 积极的 - 596-1SP0340V2M0C-XXXX(2)(3)(3)(4) 6
UCC27525DR Texas Instruments UCC27525DR 2.1000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC27525 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 1V,2.3V 5a,5a 7NS,6NS
ISL89160FBEAZ Renesas Electronics America Inc ISL89160FBEAZ -
RFQ
ECAD 3425 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL89160 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -isl89160fbeaz Ear99 8542.39.0001 98 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V,2.08V 6a,6a 20N,20N
MCP14E9-E/P Microchip Technology MCP14E9-E/p 2.4200
RFQ
ECAD 231 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) MCP14E9 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 MCP14E9EP Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 3a,3a 14ns,17ns
ISL6609AIRZ Renesas Electronics America Inc ISL6609AIRZ 3.8800
RFQ
ECAD 507 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vqfn裸露的垫子 ISL6609 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-qfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -isl6609Airz Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V - ,4A 8ns,8ns 36 V
MAX5055AASA ADI/Maxim Integrated MAX5055AASA -
RFQ
ECAD 9234 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max5055 反转 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC-EP - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.1V 4a,4a 32ns,26ns
TC4427CPAG Microchip Technology TC4427CPAG -
RFQ
ECAD 9478 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TC4427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4427CPAG-NDR Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 19NS,19NS
LM5101CMYE/NOPB Texas Instruments LM5101CMYE/NOPB 4.2000
RFQ
ECAD 2762 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-POWERTSOP,8-MSOP (0.118英寸,3.00mm宽度) LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 1a,1a 990NS,715NS 118 v
TC1427CPAG Microchip Technology TC1427CPAG -
RFQ
ECAD 2614 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TC1427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC1427CPAG-NDR Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,3V 1.2a,1.2a 35ns,25n
ISL6613AIRZ Renesas Electronics America Inc ISL6613AIRZ -
RFQ
ECAD 7661 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6613 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
TC4429EMF713 Microchip Technology TC4429EMF713 1.3350
RFQ
ECAD 2682 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4429 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S( 6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4429EMF713-NDR Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 6a,6a 25n,25n
MAX5062AASA ADI/Maxim Integrated MAX5062AASA -
RFQ
ECAD 1979年 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max5062 不转变 未行业行业经验证 8v〜12.6V 8-SOIC - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 2a,2a 65ns,65ns 125 v
IXDN604SI IXYS Integrated Circuits Division IXDN604SI 3.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDN604 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 CLA336 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 4a,4a 9NS,8NS
FAN73611M Fairchild Semiconductor FAN73611M -
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Fan73611 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 90 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 250mA,500mA 70NS,30NS 600 v
UCC27322P Texas Instruments UCC27322P 2.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) UCC27322 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 1.1V,2.7V 9a,9a 20N,20N
FAN7390AMX1 onsemi FAN7390AMX1 3.0800
RFQ
ECAD 6862 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) Fan7390 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.5V 4.5a,4.5a 25NS,20NS 600 v
ADP3654ARHZ ADI adp3654arhz 2.5600
RFQ
ECAD 470 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) ADP3654 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 4a,4a 10n,10n
IR2104SPBF Infineon Technologies IR2104SPBF 3.0400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Infineon技术 - 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2104 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 210mA,360mA 100NS,50NS 600 v
TC1411EOA713 Microchip Technology TC1411EOA713 1.1700
RFQ
ECAD 5012 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC1411 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC1411EOA713-NDR Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 1a,1a 25n,25n
LT8672IDDB#TRMPBF ADI LT8672IDDB#trmpbf 6.5300
RFQ
ECAD 589 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-WFDFN暴露垫 LT8672 不转变 未行业行业经验证 3v〜42v 10-DFN (3x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - -
ISL6801AB Renesas Electronics America Inc ISL6801AB -
RFQ
ECAD 3693 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6801 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜6.5V 8-SOIC - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 独立的 高方向 1 n通道MOSFET 1.4V,3V 200mA,200mA 200NS,200NS 120 v
EL7222CS Renesas Electronics America Inc EL7222CS -
RFQ
ECAD 2791 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) EL7222 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 97 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 7.5NS,10NS
HIP2101IBZT Intersil HIP2101IBZT -
RFQ
ECAD 4382 0.00000000 Intersil - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) HIP2101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 2a,2a 10n,10n 114 v
TC426COA Microchip Technology TC426COA 1.5900
RFQ
ECAD 208 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 30ns,30ns
MC34151PG onsemi MC34151PG -
RFQ
ECAD 1929年 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 0°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) MC34151 反转 未行业行业经验证 6.5v〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.6V 1.5a,1.5a 31ns,32ns
MC34151DR2G onsemi MC34151DR2G 2.0200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MC34151 反转 未行业行业经验证 6.5v〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.6V 1.5a,1.5a 31ns,32ns
L6384D STMicroelectronics L6384D -
RFQ
ECAD 6515 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -45°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) L6384 反转 未行业行业经验证 14.6v〜16.6v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.5V,3.6V 400mA,650mA 50ns,30ns 600 v
IR21531STRPBF Infineon Technologies IR21531STRPBF 2.9600
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR21531 RC输入电路 未行业行业经验证 10v〜15.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - - 80ns,45ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库