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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MCP14E7-E/MF	2.6700	RFQ	95	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14E7	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E7EMF	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns
TC428MJA	-	RFQ	9046	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC428MJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
LT8672HDDB＃trpbf	4.3350	RFQ	2173	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	LT8672	不转变	未行业行业经验证	3v〜42v	10-DFN （3x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-LT8672HDDB＃trpbf	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	-
TC4426EUA713	1.5100	RFQ	6877	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426EUA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
MIC4416BM4 TR	-	RFQ	2848	微芯片技术	ittybitty®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	MIC4416	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-143	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，16ns
HIP6602BCR	-	RFQ	2742	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP6602	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN（5x5）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
ixdd609ci	3.9400	RFQ	1	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IXDD609	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	9a，9a	22ns，15ns
ZXGD3003E6QTA	0.3136	RFQ	1205	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXGD3003	不转变	未行业行业经验证	（40V））	SOT-23-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	ZXGD3003E6QTADI	Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	-	5a，5a	8.9NS，8.9NS
UCC27200ADDAR	1.0500	RFQ	1702	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27200	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
6ED003L06FXUMA1	1.6000	RFQ	19	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6ed003	不转变	未行业行业经验证	13v〜17.5V	PG-DSO-28-17	下载					Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.1V，1.7V	165mA，375mA	60ns，26ns	620 v
TC4423COE	3.4100	RFQ	42	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
ISL6207CBZ	-	RFQ	9615	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6207	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl6207cbz	Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	36 V
ISL6612BIRZ	-	RFQ	8065	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
max17603asa+t	1.2450	RFQ	9378	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max17603	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
IR2121pbf	4.4600	RFQ	8	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2121	不转变	未行业行业经验证	12v〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，3.3a	43ns，26ns
DGD2304S8-13	1.2200	RFQ	9	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2304	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.7V，2.3V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
UCC37324DG4	-	RFQ	6707	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37324	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
NCV5701CDR2G	2.3000	RFQ	7663	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCV5701	反转	未行业行业经验证	20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.75V，4.3V	20mA，15mA	9.2NS，7.9NS
UCC27533DBVR	1.3100	RFQ	4272	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	UCC27533	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜32v	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.2V	2.5a，5a	15ns，7ns
IR4426STR	-	RFQ	7040	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR4426	反转	未行业行业经验证	6v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
TC4427AVMF	1.3050	RFQ	6336	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4427AVMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
ixdd430ci	-	RFQ	7996	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IXDD430	不转变	未行业行业经验证	8.5V〜35V	TO-220-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	18NS，16NS
FAN7171MX-F085	3.0700	RFQ	3167	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7171	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	25ns，15ns	600 v
adp3417jr	-	RFQ	5419	Onmi	-	管子	过时的				ADP3417					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98
IX2R11S3T/r。	-	RFQ	4802	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IX2R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	16-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.6V	2a，2a	8NS，7NS	500 v
L6385	-	RFQ	4365	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	L6385	反转	未行业行业经验证	（17V））	8微米浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
IXRFDSM607x2	-	RFQ	9959	ixys-rf	-	管子	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	16-SMD	IXRFDSM607	不转变	未行业行业经验证	8v〜18V	-	-		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	25	单身的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3.5V	15a，15a	4NS，4NS
MAX4429CSA+	4.7700	RFQ	58	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX4429CSA+	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
TC4425VPA	4.1700	RFQ	180	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4425VPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
max8552etb+	3.0100	RFQ	1	ADI/MAXIM集成	*	条	积极的				MAX8552		未行业行业经验证			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	175-MAX8552ETB+	Ear99	8542.39.0001	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²