SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序) sic可编程
TC4425VOE Microchip Technology TC4425VOE 2.8300
RFQ
ECAD 3980 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) TC4425 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4425VOE-NDR Ear99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 23ns,25ns
UC3715D Texas Instruments UC3715D 2.4687
RFQ
ECAD 6588 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UC3715 不转变 未行业行业经验证 7v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 500mA,1a 30ns,25ns
IXDN609PI IXYS Integrated Circuits Division IXDN609PI 2.1300
RFQ
ECAD 653 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IXDN609 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8点 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 9a,9a 22ns,15ns
EL7104CS Intersil EL7104CS -
RFQ
ECAD 2438 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) EL7104 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 Ear99 8542.39.0001 97 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 4a,4a 7.5NS,10NS
IX2204NE IXYS Integrated Circuits Division ix2204ne -
RFQ
ECAD 6336 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) IX2204 不转变 未行业行业经验证 -10V〜25V 16-Soic - (1 (无限) 到达不受影响 CLA410 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 IGBT 0.8V,2V 2a,4a - ,8ns
FAN7384MX onsemi FAN7384MX 2.1100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) Fan7384 不转变 未行业行业经验证 13v〜20V 14分 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.5V 250mA,500mA 50ns,30ns 600 v
IXDN604WW IXYS Integrated Circuits Division IXDN604WW -
RFQ
ECAD 1869年 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 IXDN604 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,000 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 4a,4a 9NS,8NS
LM25101CMYX/NOPB Texas Instruments LM25101CMYX/NOPB 1.9800
RFQ
ECAD 1566年 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LM25101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 1a,1a 990NS,715NS 100 v
LM5110-1MX Texas Instruments LM5110-1MX -
RFQ
ECAD 8115 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5110 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,5a 14ns,12ns
MAX5075AAUA+ ADI/Maxim Integrated max5075aaua+ 10.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) Max5075 RC输入电路 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-umax-ep | 8-usop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -4941-MAX5075AAUA+ Ear99 8542.39.0001 50 同步 低侧 2 n通道MOSFET - 3a,3a 10n,10n
UCC27211DRMT Texas Instruments UCC27211DRMT 2.3500
RFQ
ECAD 4389 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 UCC27211 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 8-VSON (4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.3V,2.7V 4a,4a 7.2NS,5.5NS 120 v
FAN7390N onsemi FAN7390N -
RFQ
ECAD 2756 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) Fan7390 不转变 未行业行业经验证 10v〜22v 8点 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.5V 4.5a,4.5a 25NS,20NS 600 v
SM72482/NOPB Texas Instruments SM72482/nopb -
RFQ
ECAD 6721 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SM72482 反转,无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,5a 14ns,12ns
IXD611P1 IXYS IXD611P1 -
RFQ
ECAD 7259 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IXD611 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 8点 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 2.4V,2.7V 600mA,600mA 28NS,18NS 600 v
IR2104PBF International Rectifier IR2104pbf -
RFQ
ECAD 9836 0.00000000 国际整流器 * 大部分 积极的 IR2104 下载 Ear99 8542.39.0001 1 未行业行业经验证
FAN3226CMX onsemi FAN3226CMX 1.1900
RFQ
ECAD 8786 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3226 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET - 3a,3a 12ns,9ns
NCP5106ADR2G onsemi NCP5106ADR2G 1.4800
RFQ
ECAD 4845 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCP5106 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.3V 250mA,500mA 85ns,35ns 600 v
ISL6613EIB Renesas Electronics America Inc ISL6613EIB -
RFQ
ECAD 5982 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6613 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC-EP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
TC1411COA713 Microchip Technology TC1411COA713 1.1100
RFQ
ECAD 2348 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC1411 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC1411COA713-NDR Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 1a,1a 25n,25n
TC4420VAT Microchip Technology TC4420VAT 3.3900
RFQ
ECAD 2966 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-5 TC4420 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V TO-220-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4420VAT-NDR Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 6a,6a 25n,25n
IR2235JTR Infineon Technologies IR2235JTR -
RFQ
ECAD 9790 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 125°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IR2235 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2V 250mA,500mA 90NS,40NS 1200 v
2SP0115T2A0-06 Power Integrations 2SP0115T2A0-06 95.4500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 电源集成 Scale™-2 托盘 积极的 -20°C〜85°C(TA) 表面安装 模块 2SP0115 - 未行业行业经验证 14.5v〜15.5V 模块 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 1810-1037 Ear99 8473.30.1180 12 独立的 半桥 2 IGBT - 8a,15a 5n,10ns 600 v
IR2111STRPBF Infineon Technologies IR2111STSTRPBF 3.2800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2111 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 8.3V,12.6V 250mA,500mA 80n,40n 600 v
NCP5106BPG onsemi NCP5106BPG -
RFQ
ECAD 9930 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) NCP5106 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.3V 250mA,500mA 85ns,35ns 600 v
LTC4440AMPMS8E-5#TRPBF ADI LTC4440AMPMS8E-5 trpbf 9.1500
RFQ
ECAD 4851 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4440 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 LTC44440AMPMS8E-5 trpbftr Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 1.2V,1.6V 1.1a,1.1a 10n,7ns 80 V
FAN3226TMPX onsemi FAN3226TMPX 0.7573
RFQ
ECAD 1019 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 FAN3226 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-mlp (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 3a,3a 12ns,9ns
LM5100CMAX Texas Instruments LM5100CMAX -
RFQ
ECAD 1783年 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 1a,1a 990NS,715NS 118 v
MIC4467BWM TR Microchip Technology MIC4467BWM TR -
RFQ
ECAD 8072 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MIC4467 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 14ns,13ns
TC1412NEOA713 Microchip Technology TC1412NEOA713 1.4300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC1412 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC1412NEOA713-NDR Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 2a,2a 18N,18NS
IR2108PBF Infineon Technologies IR2108pbf -
RFQ
ECAD 5247 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR2108 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库