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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
VLA542-11R Powerex Inc. VLA542-11R 16.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Powerex Inc. - 大部分 积极的 -20°C〜70°C 通过洞 14 sip模块，12条线索 VLA542 CMOS 未行业行业经验证 14v〜17V 模块 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 单身的 半桥 1 IGBT - 5a，5a 400NS，300NS
IRS4428SPBF Infineon Technologies IRS4428SPBF -
RFQ
 ECAD 2303 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS4428 反转，无变形 未行业行业经验证 6v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 2.3a，3.3a 25n，25n
UCC37322DGNR Texas Instruments UCC37322DGNR 0.6600
RFQ
 ECAD 8460 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 0°C〜70°C（ta） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） UCC37322 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 1.1V，2.7V 9a，9a 20N，20N
LM5111-3MX Texas Instruments LM5111-3MX 1.0725
RFQ
 ECAD 3545 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LM5111 反转，无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 3a，5a 14ns，12ns
NCV5702DR2G onsemi NCV5702DR2G 2.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） NCV5702 不转变 未行业行业经验证 20V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 1 IGBT 0.75V，4.3V 4a，6a 9.2NS，7.9NS
LTC4444HMS8E#WTRPBF ADI ltc4444hms8e＃wtrpbf -
RFQ
 ECAD 6254 0.00000000 模拟设备公司 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） LTC4444 不转变 未行业行业经验证 7.2v〜13.5V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.85V，3.25V 2.5a，3a 8NS，5NS 114 v
LTC7062IMSE#WPBF ADI LTC7062IMSE＃wpbf 4.4700
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 模拟设备公司 汽车，AEC-Q100 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 12-tssop （0.118英寸，3.00mm宽） LTC7062 不转变 未行业行业经验证 5v〜14V 12-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 37 独立的 高方向 2 n通道MOSFET - - 18NS，14NS 115 v
UCC27714D Texas Instruments UCC27714D 3.8800
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） UCC27714 不转变 未行业行业经验证 10v〜18V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 296-42629-5 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 1.2V，2.7V 4a，4a 15ns，15ns 600 v
TPS2835D Texas Instruments tps2835d 2.4863
RFQ
 ECAD 4479 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） TPS2835 反转 未行业行业经验证 4.5V〜15V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2V 2.7a，2.4a 50n，40n 28 V
IR2131PBF Infineon Technologies IR2131pbf -
RFQ
 ECAD 6235 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 28- 浸（0.600英寸，15.24毫米） IR2131 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001547340 Ear99 8542.39.0001 494 独立的 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.2V 250mA，500mA 80n，40n 600 v
IR2153SPBF Infineon Technologies IR2153SPBF 2.7500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 - 管子 不适合新设计 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IR2153 RC输入电路 未行业行业经验证 10v〜15.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 同步 半桥 2 n通道MOSFET - - 80ns，45ns 600 v
SG1644Y-DESC Microchip Technology SG1644Y-DESC -
RFQ
 ECAD 5282 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-STD-883 托盘 积极的 -55°C〜125°C（TJ） 通过洞 8-CDIP （0.300英寸，7.62mm） SG1644 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜20V 8-Cerdip 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-SG1644Y-DESC Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.7V，2V 500mA，500mA 35ns，30ns
ISL89168FRTAZ Intersil ISL89168FRTAZ 3.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 ISL89168 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-tdfn （3x3） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V，2.08V 6a，6a 20N，20N
LM5106MMX Texas Instruments LM5106mmx -
RFQ
 ECAD 4877 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度） LM5106 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 10-VSSOP 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 1.2a，1.8a 15ns，10ns 118 v
IHD260 Power Integrations IHD260 -
RFQ
 ECAD 3292 0.00000000 电源集成 Scale™-1 盒子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 36浸，24条线索 IHD260 - 未行业行业经验证 14V〜16V 模块 下载 （1 （无限） Ear99 8543.70.9860 30 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET - - 100NS，80NS
ISL6613BIRZ Intersil ISL6613BIRZ 2.6500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6613 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 10-DFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V
1SP0630V2M1R-XXXX (2)(3)(4) Power Integrations 1SP0630V2M1R-XXXX（2）（3）（3）（4） 240.4600
RFQ
 ECAD 4614 0.00000000 电源集成 - 大部分 积极的 - 596-1SP0630V2M1R-XXXX （2）（3）（4）（4） 6
IRS2608DSPBF Infineon Technologies IRS2608DSPBF -
RFQ
 ECAD 6921 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS2608 反转，无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 2（1年） 到达不受影响 SP001544114 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.2V 200mA，350mA 150NS，50NS 600 v
MAX5063CASA-T ADI/Maxim Integrated max5063casa-t -
RFQ
 ECAD 9327 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） Max5063 不转变 未行业行业经验证 8v〜12.6V 8-SOIC-EP - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V 2a，2a 65ns，65ns 125 v
IR2102PBF Infineon Technologies IR2102PBF -
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IR2102 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3V 210mA，360mA 100NS，50NS 600 v
2ED24427N01FXUMA1 Infineon Technologies 2ED24427N01FXUMA1 3.9500
RFQ
 ECAD 883 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 2ED24427 不转变 未行业行业经验证 5v〜20V PG-DSO-8-900 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.5V 10a，10a -
ADP3415LRM-REEL ADI ADP3415LRM-REEL -
RFQ
 ECAD 6051 0.00000000 模拟设备公司 - 大部分 过时的 0°C〜100°C（TA） 表面安装 10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度） 不转变 7V 10-msop - Rohs不合规 供应商不确定 2156-ADP3415LRM-REEL-505 1 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V - 20N，25n 30 V
ADUM4221CRIZ-RL ADI ADUM4221CRIZ-RL 4.9200
RFQ
 ECAD 1315 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） ADUM4221 不转变 未行业行业经验证 2.5V〜6.5V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 同步 半桥 2 IGBT 1.5V，3.5V 4a，6a 25ns，30ns
IR25600PBF International Rectifier IR25600pbf -
RFQ
 ECAD 2103 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IR25600 不转变 未行业行业经验证 6v〜20V 8-pdip - Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.7V 2.3a，3.3a 15ns，10ns
2SB315B-5SND0800M170100 Power Integrations 2SB315B-5SND0800M170100 -
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 电源集成 Scale™-1 大部分 过时的 - 底盘安装 模块 2SB315 - 未行业行业经验证 0v〜16V 模块 下载 （1 （无限） Ear99 8473.30.1180 2 单身的 半桥 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet - - -
MP1924HR-LF-P Monolithic Power Systems Inc. MP1924HR-LF-P 1.7808
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vdfn裸露的垫子 MP1924 不转变 未行业行业经验证 9V〜16V 10-qfn （4x4） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2.4V 4a，4a 15ns，12ns 118 v
ISL6594ACR-T Renesas Electronics America Inc ISL6594ACR-T -
RFQ
 ECAD 2366 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6594 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN （3x3） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V
2EDL05N06PJXUMA1 Infineon Technologies 2EDL05N06PJXUMA1 2.5600
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） 2EDL05 不转变 未行业行业经验证 10v〜25V PG-DSO-14-2 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 1.1V，1.7V - 48ns，24ns 600 v
TC1426COA713 Microchip Technology TC1426COA713 1.4900
RFQ
 ECAD 766 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 0°C〜70°C（ta） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TC1426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，3V 1.2a，1.2a 35ns，25n
IR2112PBF Infineon Technologies IR2112PBF 5.9100
RFQ
 ECAD 261 0.00000000 Infineon技术 - 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） IR2112 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001539968 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 高方面或低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V 250mA，500mA 80n，40n 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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