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门司机（（7161）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil，vih | 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） | 上升 /秋季t （典型） | 高侧电压 -最大（引导程序） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2Sp0430v2b0c-xxxx（2）（3）（3）（4） | 356.6667 |  | 7144 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 积极的 | - | 596-2SP0430V2B0C-XXXX （2）（3）（4）（4） | 3 | ||||||||||||||||||||||
| 1SD536F2C-XXXX（2）（4）（4）（5）5） | 382.4300 | | 1035 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 积极的 | - | 596-1SD536F2C-XXXX （2）（4）（4）（5） | 4 | ||||||||||||||||||||||
| MPQ6531GVE-AEC1-P | 2.7699 | | 3300 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | 汽车，AEC-Q100，MPQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 28-VFQFN暴露垫 | 不转变 | 5v〜60V | 28-qfn （4x5） | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | 1589-MPQ6531GVE-AEC1-PTR | 500 | 3相 | 半桥 | 3 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | 800mA，1a | - | ||||||
| MP18021HN-A-LF-P | 1.4240 | | 9816 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | MP | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 不转变 | 9V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 2a （4周） | 到达不受影响 | 1589-MP18021HN-A-LF-PTR | 500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a，2.5a | 12ns，9ns | 100 v | |||||
| MP6539GF-Z | 1.4384 | | 4471 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | MP | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽） | 不转变 | 8v〜100V | 28-TSSOP-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 2a （4周） | 到达不受影响 | 1589-MP6539GF-ZTR | 2,500 | 3相 | 半桥 | 6 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | 800mA，1a | - | 120 v | |||||
| MP1911GTL-P | - | | 5903 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1589-MP1911GTL-PTR | 500 | |||||||||||||||||||
| MP1923GR-Z | - | | 9802 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | MP | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 不转变 | 5v〜17V | 8-qfn （4x4） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1589-MP1923GR-ZTR | 5,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 7a，8a | 7.2NS，5.5NS | 120 v | |||||
| MP1921GQ-BP | 1.4780 | | 7622 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | MP | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | 不转变 | 9v〜18V | 10-qfn （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1589-MP1921GQ-B-PTR | 500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a，2.5a | 12ns，9ns | 120 v | |||||
| MP6539GF-P | 2.0518 | | 3607 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | MP | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽） | 不转变 | 8v〜100V | 28-TSSOP-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 2a （4周） | 到达不受影响 | 1589-MP6539GF-PTR | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | 800mA，1a | - | 120 v | |||||
 | IRS2113SPBF | 1.8463 | | 3727 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | IRS2113 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 45 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 6V，9.5V | 2.5a，2.5a | 25ns，17ns | 600 v | ||
 | TC4422MJA | 36.8900 | | 84 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | TC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | TC4422MJA-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，2.4V | 9a，9a | 60n，60n | ||
 | LM2724M | - | | 7660 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | LM2724 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.3V〜6.8V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 3a，3.2a | 17ns，12ns | 35 v | ||
 | IR25603SPBF-IR | - | | 9681 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IR25603 | RC输入电路 | 未行业行业经验证 | 10v〜15.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 180mA，260mA | 80ns，45ns | 600 v | ||
 | IR21064STR | - | | 6716 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） | IR21064 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001535382 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.9V | 200mA，350mA | 150NS，50NS | 600 v | |
 | ISL6612ACRZ | - | | 1442 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | ||
 | IR2118STRPBF | 2.6900 | | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IR2118 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT，N通道MOSFET | 6V，9.5V | 250mA，500mA | 80n，40n | 600 v | ||
 | IR2133pbf | - | | 2129 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 在sic中停产 | 125°C（TJ） | 通过洞 | 28- 浸（0.600英寸，15.24毫米） | IR2133 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001538230 | Ear99 | 8542.39.0001 | 13 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 250mA，500mA | 90NS，40NS | 600 v | |
 | MIC4421AZM-TR | 1.7600 | | 7458 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 0°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MIC4421 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V，3V | 9a，9a | 20N，24NS | |||
| ISL6615AIRZ-T | - | | 2172 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6615 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a，4a | 13ns，10ns | 36 V | ||
 | MC33152DR2G | 1.4800 | | 1 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MC33152 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.1v〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.6V | 1.5a，1.5a | 36ns，32ns | |||
 | TD351in | - | | 6595 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | TD351 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12v〜26V | 8点 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，4.2V | 1.3a，1.7a | 100NS，100NS （最大） | |||
 | TPS2817DBVR | 1.8100 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | SC-74A，SOT-753 | TPS2817 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 1V，4V | 2a，2a | 14ns，14ns | |||
 | LTC1154CS8 ＃PBF | 6.7700 | | 600 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | LTC1154 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | - | - | |||
| UCC27322QDRQ1 | 1.5300 | | 3800 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车，AEC-Q100 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | UCC27322 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道，p通道MOSFET | 1.1V，2.7V | 9a，9a | 20N，20N | |||
| MIC4420YN | 2.2900 | | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | MIC4420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 576-1190 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 6a，6a | 12n，13ns | ||
 | Max5048aaut ＃TG16 | - | | 1714年 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | Max5048 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4v〜12.6V | SOT-6 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 1.3a，7.6a | 82ns，12.5ns | |||
 | IR2130STR | - | | 1370 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | IR2130 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 250mA，500mA | 80n，35ns | 600 v | ||
 | ISL6612AEIB-T | - | | 9682 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC-EP | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | ||
| tps2833d | 2.3673 | | 3829 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | TPS2833 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.7a，2.4a | 50n，50n | 28 V | ||
 | UCC37321P | 2.1100 | | 143 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | UCC37321 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道，p通道MOSFET | 1.1V，2.7V | 9a，9a | 20N，20N |
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