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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
TD310in	-	RFQ	7320	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	TD310	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜16V	16二滴	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	3	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
2ED2748S01GXTMA1	3.1900	RFQ	6709	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的						未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				3,000
LT1166CN8 ＃PBF	7.4400	RFQ	7623	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	LT1166	不转变	未行业行业经验证	-	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LT1166CN8 ＃PBF	Ear99	8542.39.0001	50	同步	高方向	2	n通道MOSFET	-	-	-
LM5111-3MY	-	RFQ	7749	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LM5111	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-HVSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
DGD0547FN-7	-	RFQ	3568	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	DGD0547	CMOS/TTL	未行业行业经验证	0.3V〜60V	W-DFN3030-10	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，2a	16ns，12ns	50 V
IR21064SPBF	-	RFQ	4242	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21064	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
RAA2260544GNP＃ha0	4.1097	RFQ	3733	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA2260544GNP＃ha0tr			1
LM5109SD/NOPB	0.5800	RFQ	9	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫		不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2 V	1a，1a	15ns，15ns	118 v
max628cpa	-	RFQ	6843	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max628	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
6ED003L06F2XUMA2	-	RFQ	6861	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6ed003	不转变	未行业行业经验证	13v〜17.5V	P-DSO-28	下载					Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.1V，1.7V	165mA，375mA	60ns，26ns	620 v
LF2104NTR	1.3900	RFQ	9	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LF2104	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	212-LF2104NTR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
RAA228006GNP＃ha0	6.2643	RFQ	3501	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA228006GNP＃ha0tr			1
IRS24531DSTRPBF	-	RFQ	5476	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS24531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	全桥	1	n通道MOSFET	4.7V，9.3V	180mA，260mA	120NS，50NS	600 v
FAN7361MX	-	RFQ	6356	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7361	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，3.6V	250mA，500mA	70NS，30NS	600 v
E-L6385D013TR	-	RFQ	6947	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	E-L6385	反转	未行业行业经验证	（17V））	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
UCC27201DDA	2.8300	RFQ	8	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
TD350IDT	-	RFQ	8541	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	TD350	不转变	未行业行业经验证	12v〜26V	14件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，4.2V	1.5a，2.3a	130NS，75NS （最大）
LM2725M/NOPB	-	RFQ	6232	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM2725	不转变	未行业行业经验证	4V〜7V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.2a，1a	17ns，10ns	42 v
max15012basa+	4.5800	RFQ	1	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max15012	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	65ns，65ns	175 v
ISL6613BCB-T	-	RFQ	7247	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ADP3413JR-REEL7	-	RFQ	1691年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3413					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
ADP3414JRZ	-	RFQ	7393	Onmi	-	管子	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3414	不转变	未行业行业经验证	4.15V〜7.5V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98		半桥	2					30 V
ICL7667CBAZA-T	2.9800	RFQ	14	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	-	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
MIC4423YN	2.5800	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1196	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
max5078aatt+t	-	RFQ	9396	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5078	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	6-TDFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，4a	32ns，26ns
MIC4425YM	2.0600	RFQ	1503	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
IRS21091pbf	2.2700	RFQ	17	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS21091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载					Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
TC4426EUA	2.0000	RFQ	400	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426EUA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
NCP51513ABMNTWG	1.5500	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	NCP51513	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜19v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	2a，3a	9NS，7NS	150 v
IR2132S	-	RFQ	6907	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2132	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²