感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
EL7412CMZ	-	询价	2086	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	EL7412	反相	未验证	4.5V～15V	20-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	38	独立的	半桥	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
2EDL8012GXUMA1	1.0141	询价	3074	英飞凌科技	EiceDRIVER™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	2EDL8012	非反相	未验证	8V~17V	PG-VDSON-8-4	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	5A、6A	-	120V
ISL6614AIBZ	-	询价	7295	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
TCK424G,L3F	0.8500	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	6-XFBGA、WLCSP	TCK424	非反相	未验证	2.7V~28V	6-WCSPG (0.8x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		264-TCK424GL3FCT	EAR99	8542.39.0001	5,000	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.4V、1.2V	-	-
SIP41104DY-T1-E3	-	询价	2166	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SIP41104	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.5V、4V	900毫安，1.1安	32纳秒、36纳秒	50V
MP1906DS-LF-Z	0.4350	询价	1697	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MP1906	非反相	未验证	10V~16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	350毫安，350毫安	50纳秒、30纳秒	80V
TPS2815D	1.4720	询价	7120	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS2815	反相	未验证	4V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒、15纳秒
FAN3224CMX-F085	2.8800	询价	2415	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3224	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	5A、5A	12纳秒、9纳秒
UCC37325DGNR	0.4500	询价	4308	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC37325	反相、同相	未验证	4.5V～15V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
UC3705TG3	9.8000	询价	186	Texas Instruments	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	通孔	TO-220-5	UC3705	反相、同相	未验证	5V～40V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A, 2A	60纳秒, 60纳秒
LTC7000HMSE-1#TRPBF	5.5800	询价	9215	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-TFSOP（0.118英寸，3.00毫米宽），12引脚，裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	135V
IRS2011PBF	1.7859	询价	1074	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局2011	反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	1A、1A	25纳秒、15纳秒	200V
2SD300C17A3	133.8700	询价	21	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	模块	2SD300	-	未验证	14V~16V	模块	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1810-1036	EAR99	8473.30.1180	12	-	半桥	2	IGBT	-	30A、30A	-
ISL6620CRZ-TS2568	-	询价	第1356章	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0℃～70℃	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6620	非反相	未验证	4.5V～5.5V	10-DFN (3x3)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	20-ISL6620CRZ-TS2568	过时的		100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
2ED1322S12MXUMA1	5.2900	询价	7001	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极									-		3（168小时）					1,000
ISL6596IRZ	4.4000	询价	2	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6596	非反相	未验证	4.5V～5.5V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL6596IRZ	EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
IRS2128STRPBF	-	询价	2641	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2128	反相	未验证	12V~20V	8-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
IXDI609SITR	3.2200	询价	12	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDI609	反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	22纳秒、15纳秒
风扇7361M	-	询价	5973	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7361	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	8,100	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1V、3.6V	250毫安、500毫安	70纳秒、30纳秒	600伏
2EDS8165HXUMA1	-	询价	1965年	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	2EDS8165	非反相	未验证	20V	PG-DSO-16-30	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	-，1.65V	1A、2A	6.5纳秒、4.5纳秒
风扇7380MX	-	询价	4024	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7380	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	90毫安、180毫安	230纳秒、90纳秒	600伏
MIC4417BM4 TR	-	询价	8845	微芯片	伊蒂比蒂®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	麦克风4417	反相	未验证	4.5V~18V	SOT-143	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	14纳秒、16纳秒
UCC27325D	1.4900	询价	51	Texas Instruments	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27325	反相、同相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
MCP14A0455-E/MS	1.2900	询价	3424	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MCP14A0455	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V、2V	4.5A、4.5A	12纳秒, 12纳秒
ADP3633ACPZ-RL	-	询价	5614	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	-	ADP3633	-	未验证	-	8-LFCSP	-		3（168小时）			EAR99	8542.39.0001	1	-	-		-	-	-	-
MAX17605ASA+T	-	询价	9423	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX17605	反相、同相	未验证	4V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	IGBT、碳化硅MOSFET	2V、4.25V	4A, 4A	40纳秒、25纳秒
风扇73896MX	3.1200	询价	第962章	onsemi	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	风扇73896	非反相	未验证	12V~20V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	350毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
LM2722MX	-	询价	1701	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM2722	非反相	未验证	4V~7V	8-SOIC	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3.2A	17纳秒、12纳秒
DGD2106MS8-13	1.8200	询价	8319	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DGD2106	非反相	未验证	10V～20V	8-SO	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、2.5V	290毫安、600毫安	100纳秒、35纳秒	600伏
UCC27523DGN	1.5400	询价	第393章	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC27523	反相	未验证	4.5V~18V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	1V、2.3V	5A、5A	7纳秒、6纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²