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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MCP14A0301T-E/SN	1.0500	RFQ	422	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0301	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	13ns，12ns
tps2816dbvt	2.1700	RFQ	740	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	TPS2816	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，14ns
IR2135STR	-	RFQ	3338	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2135	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
ADP3634ARHZ-R7	1.8450	RFQ	6481	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	ADP3634	不转变	未行业行业经验证	9.5V〜18V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
Auirs2112s	-	RFQ	3611	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Auirs2112	不转变	未行业行业经验证	3v〜20V	16-Soic	下载		3（168））	到达不受影响	SP001511760	Ear99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	60n，30ns	600 v
IXBD4410SI	-	RFQ	6585	ixys	ISOSMART™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IXBD4410	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IXBD4410SI-NDR	Ear99	8542.39.0001	46	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，3.65V	2a，2a	15ns，15ns	1200 v
IR2104pbf	6.5400	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
IR2152STR	-	RFQ	6814	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2152	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	125mA，250mA	80n，40n	600 v
EL7457CUZ-T7A	9.4400	RFQ	7557	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-qsop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
2SB315A-2MBI800U4G-1220	-	RFQ	3681	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
TC4467MJD	-	RFQ	1947年	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4467MJD-NDR	Ear99	8542.39.0001	29	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
TC4405COA	3.6900	RFQ	512	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4405	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4405COA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	40n，40n （最大）
tps2815d	1.4720	RFQ	7120	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2815	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
LM5101CMA	-	RFQ	6314	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	118 v
max5078batt+t	14.0500	RFQ	3	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5078	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	6-TDFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
2SC0108T2F1-17	53.1800	RFQ	4	电源集成	Scale™-2+	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SC0108	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）		1810-1024	Ear99	8473.30.1180	30	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	-	8a，8a	17ns，15ns	1700 v
MIC4429ZN	2.4800	RFQ	15	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1207	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
2SC0108T2D0C-12	90.0273	RFQ	9177	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	2SC0108	-		14.5v〜15.5V	模块	-				596-2SC0108T2D0C-12			30	独立的	-	2	IGBT	-	8a，8a	17ns，15ns	1200 v
ISL89411IPZ	-	RFQ	6124	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	ISL89411	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
MIC4225YM	2.7800	RFQ	1789年	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4225	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-3551-5	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	15ns，15ns
1SP0335V2M1-CM600HG-130H	202.2083	RFQ	6222	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	1Sp0335	-	未行业行业经验证	23.5v〜26.5V	模块	-		（1 （无限）		1810-1SP0335V2M1-CM600HG-130H	Ear99	8473.30.1180	6	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	35a，35a	9ns，30ns	6500 v
UCC27423MDREP	12.0700	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27423	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
MIC4100YM-TR	2.0550	RFQ	3364	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4100	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	2a，2a	400NS，400NS	118 v
FAN7888MX	1.5284	RFQ	9791	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	Fan7888	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	20-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.5V	350mA，650mA	50ns，30ns	200 v
2SC0108T2G0-17	53.1800	RFQ	109	电源集成	Scale™-2+	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SC0108	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1810-1023	Ear99	8473.30.1180	30	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	-	8a，8a	17ns，15ns	1700 v
MIC4480ME-T5	-	RFQ	8466	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4480	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜32V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	2.5a，2.5a	120NS，45NS
UCC27425p	1.6000	RFQ	46	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC27425	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
FAN7842MX	1.3700	RFQ	5496	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7842	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	350mA，650mA	60n，30ns	200 v
AUIR2085STR	4.4700	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIR2085	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15V	PG-DSO-8-904	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1a，1a	40NS，20NS	100 v
max4427epa	-	RFQ	4094	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²