感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
TC1411NVUA	1.2700	询价	8984	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC1411	非反相	未验证	4.5V~16V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1A、1A	25纳秒, 25纳秒
SG1644T-883B	-	询价	8920	微芯片	军事，MIL-STD-883	托盘	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	通孔	TO-99-8 金属罐	SG1644	非反相	未验证	4.5V～20V	TO-99	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	150-SG1644T-883B	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2V	500毫安，500毫安	35纳秒、30纳秒
HIP2105FRZ-T	0.4676	询价	2222	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	HIP2105	非反相	未验证	4.5V～5.5V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	20-HIP2105FRZ-TTR	EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1.65V、1.3V	4A, 4A	15纳秒，15纳秒
IR2153C	-	询价	2055	英飞凌科技	*	管子	过时的				IR2153		未验证			-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1
IR2233J	-	询价	7386	英飞凌科技	-	管子	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2233	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2233J	EAR99	8542.39.0001	27	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	250毫安、500毫安	90纳秒、40纳秒	1200伏
LM5107MA/NOPB	2.8300	询价	3	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5107	非反相	未验证	8V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.3A、1.4A	15纳秒，15纳秒	118V
ISL6615CRZ-T	-	询价	4708	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6615	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2.5A、4A	13纳秒、10纳秒	36V
LM5104SD/NOPB	3.5400	询价	715	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5104	反相、同相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
ISL83204AIPZ-REN	4.1100	询价	5044	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极				ISL83204		未验证			下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1
IR1175STR	-	询价	5554	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	20-SSOP（0.209英寸，5.30毫米宽）	红外1175	非反相	未验证	4V～5.5V	20-SSOP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,500人	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	20纳秒, 20纳秒
MIC4420CT	-	询价	9735	微芯片	-	大部分	过时的	0℃～150℃（太焦）	通孔	TO-220-5	麦克风4420	非反相	未验证	4.5V~18V	TO-220-5	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
HIP2122FRTAZ	-	询价	7421	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	HIP2122	反相	未验证	8V~14V	10-TDFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3.7V、7.93V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
ISL6614BIBZ-T	-	询价	2348	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	7V～13.2V	14-SOIC	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
LM5109SD/NOPB	0.5800	询价	9	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘		非反相	未验证	8V~14V	8-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	15纳秒，15纳秒	118V
EL7252CS	-	询价	第1176章	伊兰泰克	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7252	反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒
TPS2830D	1.9666	询价	4616	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS2830	非反相	未验证	4.5V～15V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	高侧	2	N沟道MOSFET	-	2.7A、2.4A	50纳秒, 50纳秒	28V
LM25101BMAX/NOPB	1.9800	询价	5957	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM25101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	2A, 2A	570纳秒、430纳秒	100伏
ISL6609ACRZ-T	-	询价	4177	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6609	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
IR2108	-	询价	7706	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2108	非反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2108	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
ISL6594ACB	-	询价	4705	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6594	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
TC4429EPA	2.3800	询价	第865章	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4429EPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
UCC27221PWP	-	询价	6148	Texas Instruments	-	管子	过时的	-55°C ~ 115°C（太焦）	表面贴装	14-PowerTSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	UCC27221	反相	未验证	3.7V～20V	14-高温SSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	90	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2.6V	4A, 4A	17纳秒, 17纳秒
TC1410EUA	1.7600	询价	5908	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC1410	反相	未验证	4.5V~16V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1410EUA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，500毫安	25纳秒, 25纳秒
NCP81071BMNTXG	1.6800	询价	3523	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	NCP81071	非反相	未验证	4.5V～20V	8-WDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.2V、1.8V	5A、5A	8纳秒，8纳秒
风扇7190M	-	询价	7731	仙童	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7190	非反相	未验证	10V~22V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.5V	4.5A、4.5A	25纳秒、20纳秒	600伏
LTC1693-3CMS8#PBF	6.0700	询价	103	模拟器件公司	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LTC1693	反相、同相	未验证	4.5V～13.2V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-2735-LTC1693-3CMS8#PBF	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧或低侧	1	N沟道MOSFET	1.7V、2.2V	1.5A、1.5A	16纳秒, 16纳秒
MAX4429CPA	-	询价	2646	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
IR2151STR	-	询价	7493	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2151	RC输入电路	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	125毫安、250毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
EL7222CSZE9044-T7	1.1600	询价	28	伊兰泰克	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7222	反相、同相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义			0000.00.0000	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	10纳秒、13纳秒
LM2726MX/NOPB-NS	-	询价	4748	国家安全委员会	-	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM2726	非反相	未验证	4V~7V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.25V、2.4V	3.2A、3.2A	17纳秒、12纳秒	42V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²