SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
2EDL8034G4CXTMA1 Infineon Technologies 2EDL8034G4CXTMA1 1.4103
RFQ
ECAD 7127 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 未行业行业经验证 - rohs3符合条件 到达不受影响 5,000
QC962 Mornsun America, LLC QC962 -
RFQ
ECAD 4223 0.00000000 Mornsun America,LLC - 托盘 过时的 -20°C〜70°C 通过洞 14 sip模块,12条线索 不转变 -7V〜 -10V,14V〜15V 模块 - rohs3符合条件 (1 (无限) 2725-QC962 过时的 60 单身的 高方面或低侧 1 IGBT - 5a,5a 600NS,400NS
2EDL8033G4CXTMA1 Infineon Technologies 2EDL8033G4CXTMA1 2.4000
RFQ
ECAD 3377 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vdfn裸露的垫子 不转变 8v〜17V PG-VDSON-10-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 5,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 3a,6a 4.6NS,3.3NS 120 v
PMC41420AUMA1 Infineon Technologies PMC41420AUMA1 1.7050
RFQ
ECAD 1204 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 448-PMC41420AUMA1TR 5,000
PMC41430AUMA1 Infineon Technologies PMC41430AUMA1 1.8470
RFQ
ECAD 9046 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 448-PMC41430AUMA1TR 5,000
ADP3419JRMZ-REEL ADI ADP3419JRMZ-REEL 0.9600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 模拟设备公司 * 大部分 积极的 ADP3419 未行业行业经验证 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-ADP3419JRMZ-REEL-505 1
LM5102MM/NOPB Texas Instruments LM5102MM/NOPB 3.5100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽度) LM5102 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 10-VSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1.6a,1.6a 600NS,600NS 118 v
MAX5056BASA-T ADI/Maxim Integrated max5056basa-t -
RFQ
ECAD 6134 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max5056 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.1V 4a,4a 32ns,26ns
TC1410EPA Microchip Technology TC1410EPA 1.9400
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ECAD 2215 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TC1410 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC1410EPA-NDR Ear99 8542.39.0001 60 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 500mA,500mA 25n,25n
IR2109STRPBF Infineon Technologies IR2109STRPBF 2.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2109 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
LM5111-3MX/NOPB Texas Instruments LM5111-3MX/NOPB 2.4200
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ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5111 反转,无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,5a 14ns,12ns
MCP1405-E/SO Microchip Technology MCP1405-E/SO 2.5350
RFQ
ECAD 4706 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MCP1405 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 4.5a,4.5a 15NS,18NS
MIC4425BM Microchip Technology MIC4425BM -
RFQ
ECAD 8482 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4425 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 28ns,32ns
MC33883HEGR2 NXP USA Inc. MC33883HEGR2 -
RFQ
ECAD 4120 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) MC33883 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜28V 20-SOIC - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 4 n通道MOSFET 0.8V,2V 1a,1a 80n,80n 55 v
MAX628CPA+ ADI/Maxim Integrated max628cpa+ 9.8300
RFQ
ECAD 4609 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) Max628 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -4941-MAX628CPA+ Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 25NS,20NS
LTC7004HMSE#PBF ADI LTC7004HMSE #PBF 8.3500
RFQ
ECAD 4930 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC7004 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜15V 10-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -2735-LTC7004HMSE #PBF Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 90NS,40NS 60 V
MCP1403T-E/SN Microchip Technology MCP1403T-E/SN 2.4150
RFQ
ECAD 1246 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MCP1403 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 MCP1403T-E/SNTR Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 4.5a,4.5a 15NS,18NS
TC4469CPD Microchip Technology TC4469CPD 5.5500
RFQ
ECAD 507 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) TC4469 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 14-PDIP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 30 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 15ns,15ns
BS2103F-E2 Rohm Semiconductor BS2103F-E2 -
RFQ
ECAD 7410 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) BS2103 不转变 未行业行业经验证 10v〜18V 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1V,2.6V 60mA,130mA 200NS,100NS 600 v
ISL6210CRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6210CRZ-T -
RFQ
ECAD 5956 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -10°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-VQFN暴露垫 ISL6210 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 16 QFN (4x4) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 4 n通道MOSFET - 2a,2a 8ns,8ns 36 V
MIC4427ZM-TR Microchip Technology MIC4427ZM-TR 1.4500
RFQ
ECAD 4541 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 20N,29NS
IR21844 Infineon Technologies IR21844 -
RFQ
ECAD 1239 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) IR21844 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IR21844 Ear99 8542.39.0001 25 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.7V 1.9a,2.3a 40NS,20NS 600 v
IX4428NTR IXYS Integrated Circuits Division ix4428ntr 1.2400
RFQ
ECAD 56 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IX4428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 10n,8ns
DGD21064S14-13 Diodes Incorporated DGD21064S14-13 -
RFQ
ECAD 4478 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) DGD21064 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14件事 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.6V,2.5V 290mA,600mA 100NS,35NS 600 v
LMG1210RVRT Texas Instruments LMG1210RVRT 6.3300
RFQ
ECAD 4489 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 19-WFQFN暴露垫 LMG1210 不转变 未行业行业经验证 4.75V〜5.25V,6v〜18V 19-wqfn (3x4) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 1.5a,3a 500PS,500PS 200 v
UCC27321DGNR Texas Instruments UCC27321DGNR 0.6600
RFQ
ECAD 9967 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) UCC27321 反转 未行业行业经验证 4V〜15V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 1V,2V 9a,9a 20N,20N
ISL78420ARTBZ Renesas Electronics America Inc ISL78420ARTBZ -
RFQ
ECAD 8510 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 9-WDFN暴露垫 ISL78420 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 9-TDFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1.8V,4V 2a,2a 10n,10n 114 v
IR2233S Infineon Technologies IR2233S -
RFQ
ECAD 7772 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 125°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR2233 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IR2233S Ear99 8542.39.0001 25 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2V 250mA,500mA 90NS,40NS 1200 v
IRS2336STRPBF Infineon Technologies IRS2336STRPBF 4.6888
RFQ
ECAD 1056 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IRS2336 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
IR2108S Infineon Technologies IR2108S -
RFQ
ECAD 1591年 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2108 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IR2108S Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库