SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
IR21064STR Infineon Technologies IR21064STR -
RFQ
ECAD 6716 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) IR21064 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 SP001535382 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方面或低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
TC4469COE713 Microchip Technology TC4469COE713 5.3100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) TC4469 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 15ns,15ns
TC4468COE713 Microchip Technology TC4468COE713 5.3100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) TC4468 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 15ns,15ns
HV9901NG-G-M901 Microchip Technology HV9901NG-G-M901 4.9400
RFQ
ECAD 3775 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-SOIC (0.154“,3.90mm宽),14个铅 HV9901 不转变 未行业行业经验证 10V〜450V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,600 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - - 30ns,30ns
LM5101AM/NOPB Texas Instruments LM5101AM/NOPB 4.2000
RFQ
ECAD 436 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 3a,3a 430ns,260ns 118 v
MC33152DR2G onsemi MC33152DR2G 1.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MC33152 不转变 未行业行业经验证 6.1v〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.6V 1.5a,1.5a 36ns,32ns
LTC1177ISW-5 ADI LTC1177ISW-5 -
RFQ
ECAD 2551 0.00000000 模拟设备公司 - 大部分 过时的 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) LTC1177i 不转变 未行业行业经验证 4.75V〜5.25V 28-Soic 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 27 高方向 1
TPS2817DBVR Texas Instruments TPS2817DBVR 1.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 SC-74A,SOT-753 TPS2817 不转变 未行业行业经验证 4V〜14V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 1V,4V 2a,2a 14ns,14ns
LT1161CSW#PBF ADI LT1161CSW #PBF 11.1800
RFQ
ECAD 5397 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) LT1161 不转变 未行业行业经验证 8v〜48v 20-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 38 独立的 高方向 4 n通道MOSFET 0.8V,2V - -
IR2125S Infineon Technologies IR2125S -
RFQ
ECAD 3345 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR2125 不转变 未行业行业经验证 0v〜18V 16-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IR2125S Ear99 8542.39.0001 45 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 1.6a,3.3a 43ns,26ns 500 v
MCP14A0454-E/MS Microchip Technology MCP14A0454-E/MS 1.2900
RFQ
ECAD 5835 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) MCP14A0454 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 IGBT 0.8V,2V 4.5a,4.5a 12n,12ns
LT1162CSW#PBF ADI LT1162CSW #PBF 14.0900
RFQ
ECAD 4478 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) LT1162 不转变 未行业行业经验证 10v〜15V 24-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 32 独立的 半桥 4 n通道MOSFET 0.8V,2V 1.5a,1.5a 130ns,60ns 60 V
ISL6612ACRZ Renesas Electronics America Inc ISL6612ACRZ -
RFQ
ECAD 1442 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
MIC4421AZM Microchip Technology MIC4421AZM 1.7600
RFQ
ECAD 3433 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4421 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 576-3510-5 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V,3V 9a,9a 20N,24NS
IR2133SPBF Infineon Technologies IR2133SPBF 8.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 - 管子 不适合新设计 125°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR2133 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 25 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 90NS,40NS 600 v
MCP1401T-E/OTVAO Microchip Technology MCP1401T-E/OTVAO -
RFQ
ECAD 1917年 0.00000000 微芯片技术 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 SC-74A,SOT-753 MCP1401 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 500mA,500mA 19ns,15ns
LM5106SDX Texas Instruments LM5106SDX -
RFQ
ECAD 4943 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-wdfn暴露垫 LM5106 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 10-wson(4x4) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1.2a,1.8a 15ns,10ns 118 v
TC4422MJA Microchip Technology TC4422MJA 36.8900
RFQ
ECAD 84 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) TC4422 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-Cerdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4422MJA-NDR Ear99 8542.39.0001 56 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 60n,60n
ICL7667CBAZA-T Renesas Electronics America Inc ICL7667CBAZA-T 2.9800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ICL7667 反转 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 - 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 20N,20N
AUIRS2123STR Infineon Technologies auirs2123str 1.5106
RFQ
ECAD 5713 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Auirs2123 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 SP001512098 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET - 500mA,500mA 80n,80n 600 v
1SP0335V2M1-33 Power Integrations 1SP0335V2M1-33 306.6050
RFQ
ECAD 2686 0.00000000 电源集成 Scale™-2 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 模块 1Sp0335 - 未行业行业经验证 23.5v〜26.5V 模块 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 1810-1009 Ear99 8473.30.1180 6 单身的 高方面或低侧 1 IGBT - 35a,35a 9ns,30ns 3300 v
IR25603SPBF-IR International Rectifier IR25603SPBF-IR -
RFQ
ECAD 9681 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR25603 RC输入电路 未行业行业经验证 10v〜15.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 180mA,260mA 80ns,45ns 600 v
TD351IN STMicroelectronics TD351in -
RFQ
ECAD 6595 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TD351 不转变 未行业行业经验证 12v〜26V 8点 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,4.2V 1.3a,1.7a 100NS,100NS (最大)
IRS2817DSTRPBF Infineon Technologies IRS2817DSTRPBF 2.2200
RFQ
ECAD 8947 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS2817 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高侧和低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2 V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
TPS2813DR Texas Instruments tps2813dr 1.2510
RFQ
ECAD 9171 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPS2813 反转,无变形 未行业行业经验证 4V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,4V 2a,2a 14ns,15ns
ISL6615AIRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6615AIRZ-T -
RFQ
ECAD 2172 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6615 不转变 未行业行业经验证 6.8v〜13.2V 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2.5a,4a 13ns,10ns 36 V
MAX5077AUD+ ADI/Maxim Integrated max5077aud+ 8.4500
RFQ
ECAD 92 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) Max5077 RC输入电路 未行业行业经验证 4.5V〜15V 14-TSSOP-EP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 96 同步 低侧 2 n通道MOSFET - 3a,3a 10n,10n
TSC428MJA/883B ADI/Maxim Integrated TSC428MJA/883B -
RFQ
ECAD 7334 0.00000000 ADI/MAXIM集成 军事,MIL-STD-883 管子 积极的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) TSC428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-Cerdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 25n,25n
MIC4426CM Microchip Technology MIC4426CM -
RFQ
ECAD 8737 0.00000000 微芯片技术 - 管子 在sic中停产 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 20N,29NS
MIC4421AZM-TR Microchip Technology MIC4421AZM-TR 1.7600
RFQ
ECAD 7458 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4421 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V,3V 9a,9a 20N,24NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库