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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
max5063basa+	4.7775	RFQ	2861	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5063	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	65ns，65ns	125 v
L9857-TR-LF	-	RFQ	5619	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L9857	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	500mA，500mA	100NS，100NS	300 v
TC4426AMJA	-	RFQ	1826年	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426AMJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
MCP14A1202T-E/MNYVAO	-	RFQ	9128	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A1202	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2V	12a，12a	25n，25n
IRS25752LTRPBF	1.0400	RFQ	2	Infineon技术	µHVIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	IRS25752	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	PG-SOT23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	160mA，240mA	85NS，40NS	600 v
IRS2330STRPBF	-	RFQ	8492	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS2330	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载		3（168））	到达不受影响	SP001534830	Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
NCP3418APDR2	-	RFQ	9456	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP3418	不转变	未行业行业经验证	4.6V〜13.2V	8-SOIC-EP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	18NS，10NS	30 V
1SD1548AI	-	RFQ	4372	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	模块	1SD1548	-	未行业行业经验证	15V	模块	下载		不适用			Ear99	8473.30.1180	1	-	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	48a，48a	-
ISL6613CRZ	-	RFQ	7990	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC5020BM-Tr	-	RFQ	2163	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5020	不转变	未行业行业经验证	11V〜50V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	700NS，500NS
UCC27201Adrct	3.1200	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫，9条线索	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	9-VSON （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
VLA591-01R	82.2600	RFQ	5690	Powerex Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C	通过洞	50浸，30条线索	VLA591	不转变	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	-	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	10	独立的	全桥	2	IGBT	-	20a，20a	520ns，120ns
MCP14A0452T-E/RW	1.2450	RFQ	9162	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-WDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	4.5a，4.5a	9.5NS，9NS
stsr2pmcd-tr	4.3400	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STSR2	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，3.5a	40n，30ns
TC4468EPD	5.5500	RFQ	162	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	TC4468	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4468EPD-NDR	Ear99	8542.39.0001	30	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
MIC4421CT	-	RFQ	6464	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
IRS2118pbf	-	RFQ	8459	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
IXBD4410SI	-	RFQ	6585	ixys	ISOSMART™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IXBD4410	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IXBD4410SI-NDR	Ear99	8542.39.0001	46	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，3.65V	2a，2a	15ns，15ns	1200 v
max5078batt+t	14.0500	RFQ	3	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5078	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	6-TDFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
ISL6614ACR	-	RFQ	2654	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL6613IBZ	-	RFQ	9977	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4431EOA	3.8400	RFQ	2393	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4431	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4431EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25ns，33ns
ISL6612IR	-	RFQ	2507	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4420VOA	2.1300	RFQ	5043	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4420VOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
EL7154CSZ-T13	-	RFQ	9102	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.4V	4a，4a	4NS，4NS
UCC27423MDREP	12.0700	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27423	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
ISL6605CRZR5168	-	RFQ	3404	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
FAN3227TMPX	1.5900	RFQ	3539	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	FAN3227	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-mlp （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	12ns，9ns
TPS2834PWP	2.3606	RFQ	6550	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	TPS2834	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2.7a，2.4a	50n，40n	28 V
ISL6614IRZR5238	-	RFQ	2718	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²