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感应驱动器(7161)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
ISL6612ECBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612ECBZ-T -
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 ECAD 3610 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 ISL6612 非反相 未验证 10.8V～13.2V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
LTC1155CN8#PBF ADI LTC1155CN8#PBF 9.7900
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 ECAD 1712 0.00000000 模拟器件公司 - 管子 的积极 0℃～70℃（TA） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） LTC1155 非反相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 高侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - -
ISL6614ACR Intersil ISL6614ACR 1.6600
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 ECAD 1 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 ISL6614 非反相 未验证 10.8V～13.2V 16-QFN (4x4) 下载 不符合 RoHS 指令 EAR99 8542.39.0001 75 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
IXZ631DF18N50 IXYS-RF IXZ631DF18N50 -
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 ECAD 第1327章 0.00000000 IXYS-RF - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 10-SMD，写入 IXZ631 非反相 未验证 8V~18V 10-SMD - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 20 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、3.5V 95A, 95A 3.4纳秒、1.65纳秒 500V
TLE7182EMXUMA1 Infineon Technologies TLE7182EMXUMA1 4.5300
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 ECAD 5 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 24-LSSOP（0.154"，3.90mm宽）裸露焊盘 TLE7182 反相、同相 未验证 7V~34V PG-SSOP-24-4 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET 1V、2V - 250纳秒、200纳秒 55V
ISL6612BIR-T Renesas Electronics America Inc ISL6612BIR-T -
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 ECAD 7676 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 ISL6612 非反相 未验证 7V～13.2V 10-DFN (3x3) 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
MCP14A0153T-E/MNY Microchip Technology MCP14A0153T-E/MNY 0.9750
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 ECAD 9677 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-WFDFN 裸露焊盘 MCP14A0153 反相 未验证 4.5V~18V 8-TDFN (2x3) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,300 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 1.5A、1.5A 11.5纳秒、10纳秒
SC1302CIMSTRT Semtech Corporation SC1302CIMSRT -
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 ECAD 7302 0.00000000 森泰克公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） SC1302 反相、同相 未验证 4.5V～16.5V 8-MSOP - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 2A, 2A 20纳秒, 20纳秒
IRS2336STRPBF Infineon Technologies IRS2336STRPBF 4.6888
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 ECAD 1056 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 国税局2336 反相 未验证 10V～20V 28-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 200毫安、350毫安 125纳秒、50纳秒 600伏
LM5101CMYX/NOPB Texas Instruments LM5101CMYX/NOPB 1.9800
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 ECAD 6670 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerTSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） LM5101 非反相 未验证 9V~14V 8-HVSSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V，- 1A、1A 990纳秒、715纳秒 118V
LF2103NTR IXYS Integrated Circuits Division LF2103NTR 1.2500
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 ECAD 57 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LF2103 反相 未验证 10V～20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 212-LF2103NTR EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 35纳秒, 35纳秒 600伏
MCP14A0154-E/MS Microchip Technology MCP14A0154-E/MS 1.1400
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 ECAD 1 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） MCP14A0154 非反相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 1.5A、1.5A 11.5纳秒、10纳秒
TC1411NCOA Microchip Technology TC1411NCOA 1.4500
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 ECAD 168 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃～150℃（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TC1411 非反相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC1411NCOA-NDR EAR99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 1A、1A 25纳秒, 25纳秒
IXS839S1 IXYS IXS839S1 -
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 ECAD 6678 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXS839 非反相 未验证 4.5V～5.5V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 98 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 2A、4A 20纳秒、15纳秒 24V
IR2132S Infineon Technologies IR2132S -
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 ECAD 6907 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IR2132 反相 未验证 10V～20V 28-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 25 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 250毫安、500毫安 80纳秒、35纳秒 600伏
LM5100AMR/NOPB Texas Instruments LM5100AMR/NOPB 3.6300
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 ECAD 820 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LM5100 非反相 未验证 9V~14V 8-SO电源板 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V，- 3A、3A 430纳秒、260纳秒 118V
MIC5020YM Microchip Technology MIC5020YM 3.2900
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 ECAD 6436 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 麦克风5020 非反相 未验证 11V～50V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 700纳秒、500纳秒
MIC4421ACT Microchip Technology MIC4421ACT -
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 ECAD 8256 0.00000000 微芯片 - 大部分 过时的 0℃～150℃（太焦） 通孔 TO-220-5 麦克风4421 反相 未验证 4.5V~18V TO-220-5 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、3V 9A, 9A 20纳秒、24纳秒
1SP0335V2M1-33 Power Integrations 1SP0335V2M1-33 306.6050
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 ECAD 2686 0.00000000 电源集成 规模™-2 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 模块 1SP0335 - 未验证 23.5V～26.5V 模块 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） 1810-1009 EAR99 8473.30.1180 6 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 35A, 35A 9纳秒、30纳秒 3300伏
2EDN8534FXTMA1 Infineon Technologies 2EDN8534FXTMA1 1.4500
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 ECAD 6389 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 2EDN8534 非反相 未验证 4.5V～20V PG-DSO-8 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 5A、5A
NCD5701ADR2G onsemi NCD5701ADR2G 2.2300
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） NCD5701 - 未验证 20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 IGBT - 4A、6A 18纳秒、19纳秒
UCC27524ADGNR Texas Instruments UCC27524ADGNR 0.6000
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 ECAD 9951 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘 UCC27524 非反相 未验证 4.5V~18V 8-HVSSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 1V、2.3V 5A、5A 7纳秒、6纳秒
LM5110-3SD/NOPB Texas Instruments LM5110-3SD/NOPB 1.4760
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 ECAD 6130 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-WDFN 裸露焊盘 LM5110 反相、同相 未验证 3.5V～14V 10-WSON (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 3A、5A 14纳秒、12纳秒
TC4431EPA Microchip Technology TC4431EPA 3.1600
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 ECAD 3630 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TC4431 反相 未验证 4.5V～30V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 TC4431EPA-NDR EAR99 8542.39.0001 60 单身的 高侧或低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 25纳秒、33纳秒
TC4431EOA713 Microchip Technology TC4431EOA713 2.9300
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 ECAD 8610 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TC4431 反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC4431EOA713-NDR EAR99 8542.39.0001 3,300 单身的 高侧或低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 25纳秒、33纳秒
IR2302STRPBF Infineon Technologies IR2302STRPBF 2.5500
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 ECAD 1 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IR2302 非反相 未验证 5V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.9V 200毫安、350毫安 130纳秒、50纳秒 600伏
MCP14A0155-E/MS Microchip Technology MCP14A0155-E/MS 1.1400
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 ECAD 9093 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） MCP14A0155 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 1.5A、1.5A 11.5纳秒、10纳秒
IR2112SPBF Infineon Technologies IR2112SPBF 4.3200
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 ECAD 1 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 不适合新设计 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 红外2112 非反相 未验证 10V～20V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 45 独立的 高侧或低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 250毫安、500毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
FAN3229CMPX onsemi 风扇3229CMPX -
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 ECAD 2064 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 风扇3229 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-MLP (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET - 3A、3A 12纳秒、9纳秒
MIC4425CWM Microchip Technology MIC4425CWM -
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 ECAD 2984 0.00000000 微芯片 - 大部分 过时的 0℃～150℃（太焦） 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 麦克风4425 反相、同相 未验证 4.5V~18V 16-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 3A、3A 28纳秒、32纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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