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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IR2214SS	-	RFQ	2524	Infineon技术	-	管	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	IR2214	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	24 SSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2214SS	Ear99	8542.39.0001	55	独立	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	2a，3a	24ns，7ns	1200 v
NCP4422T	1.3100	RFQ	13	Onmi	*	批量	活跃				NCP4422		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
EL7252CN	4.1500	RFQ	2	Elantec	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7252	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10n
UCC37321D	2.4300	RFQ	404	Texas Instruments	-	管子	活跃	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37321	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
RAA2261104GNP ＃MA0	5.8700	RFQ	3447	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	活跃	-40°C〜125°C	表面安装	16-VQFN暴露垫	RAA2261104	不转变	未行业行业经验证	6.5v〜18V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立	低侧	2	n通道MOSFET	1.6V，2.3V	2a，1.2a	30ns，31ns
ISL6594BCRZ	-	RFQ	6389	Renesas Electronics America Inc	-	管	过时	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6594	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
tps2834dr	1.5945	RFQ	4716	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	TPS2834	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2.7a，2.4a	50n，40n	28 V
2SP0320V2A0-12	201.4000	RFQ	8	电源集成	Scale™-2	托盘	活跃	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SP0320	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1051	Ear99	8473.30.1180	3	独立	半桥	2	IGBT	-	20a，20a	7ns，25ns	1200 v
FAN7083MXSN00037	-	RFQ	7114	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				Fan7083		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FAN7083MXSN00037TR	过时		2,500
FAN3226TMX-F085	2.9600	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	活跃	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3226	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	12ns，9ns
MC34152PG	-	RFQ	3246	Onmi	-	管子	过时	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC34152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
MIC4101YM	2.6200	RFQ	1288	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4101	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	400NS，400NS	118 v
IR2132JTR	-	RFQ	3962	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2132	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
ADP3413JR-REEL7	-	RFQ	1691年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时				ADP3413					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
IXZ631DF12N100	-	RFQ	6188	ixys-rf	-	管子	过时	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-SMD，平坦的铅	IXZ631	不转变	未行业行业经验证	8v〜18V	10-SMD	-		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	20	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3.5V	72a，72a	2.4NS，1.55NS	1000 v
IR2110-2PBF	-	RFQ	9940	Infineon技术	-	管子	过时	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62毫米），14个线索	IR2110	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	16-PDIP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	500 v
MIC4120-TR	1.5700	RFQ	4	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	活跃	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4120	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
UC2705N	9.3628	RFQ	8441	Texas Instruments	-	管	活跃	-25°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC2705	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	60n，60n
UCC27424D	1.6400	RFQ	12	Texas Instruments	-	管	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27424	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
ISL6612AIBZ	-	RFQ	1915年	Renesas Electronics America Inc	-	管	过时	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LT1161ISW＃trpbf	12.4100	RFQ	7463	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	活跃	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	LT1161	不转变	未行业行业经验证	8v〜48v	20-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立	高方向	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
MD1822K6-G	1.8100	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	活跃	-20°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	MD1822	反转，无变形	未行业行业经验证	5v〜10V	16 QFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	4	n通道，p通道MOSFET	0.3V，1.7V	2a，2a	7n，7ns
mcp1406-e/at	2.3500	RFQ	159	微芯片技术	-	管	活跃	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-220-5	MCP1406	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
NTCW4A01PZ	-	RFQ	7684	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时				NTCW4A		未行业行业经验证			-		3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
MIC4416YM4-TR	1.8600	RFQ	620	微芯片技术	ittybitty®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	MIC4416	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-143	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，16ns
UCC27523DR	1.6700	RFQ	17	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27523	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
IRS2509STRPBF	-	RFQ	1597年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2509	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001543190	Ear99	8541.29.0095	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
TC4421AVOA	2.4600	RFQ	3	微芯片技术	-	管	活跃	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	10a，10a	38ns，33ns
TC1413EUA713	1.5400	RFQ	2539	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	活跃	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1413	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1413EUA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	2,500	单	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	20N，20N
IRS2118pbf	2.1903	RFQ	2016	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001542720	Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²