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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举)
ISL6614AIR Renesas Electronics America Inc ISL6614AIR -
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ECAD 3055 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 ISL6614 非反相 未验证 10.8V~13.2V 16-QFN (4x4) 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 75 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
IRS2807DSTRPBF Infineon Technologies IRS2807DSTRPBF 1.9800
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ECAD 1848年 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局2807 非反相 未验证 10V~20V PG-DSO-8-903 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 高侧或低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 200毫安、350毫安 150纳秒、50纳秒 600伏
IR2112-2 Infineon Technologies IR2112-2 -
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ECAD 6212 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 16-DIP(0.300",7.62mm),14引脚 红外2112 非反相 未验证 10V~20V 16-PDIP 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 -2 EAR99 8542.39.0001 25 独立的 高侧或低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 250毫安、500毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
IXDD408PI IXYS IXDD408PI -
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ECAD 7226 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IXDD408 非反相 未验证 4.5V~25V 8-DIP 下载 不适用 REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 8A, 8A 14纳秒、15纳秒
IR4428STRPBF Infineon Technologies IR4428STRPBF -
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ECAD 5460 0.00000000 英飞凌科技 - 切带 (CT) 过时的 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IR4428 反相、同相 未验证 6V~20V 8-SOIC 下载 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 低侧 2
ISL6594BCR-T Renesas Electronics America Inc ISL6594BCR-T -
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ECAD 9058 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 ISL6594 非反相 未验证 10.8V~13.2V 10-DFN (3x3) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
IXJ611P1 IXYS IXJ611P1 -
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ECAD 3906 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IXJ611 - 未验证 - 8-DIP - 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 450 - - - - - -
L9857-TR-S STMicroelectronics L9857-TR-S -
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ECAD 3884 0.00000000 意法半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 - 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) L9857 - 未验证 - 8-SOIC - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 - - - - -
UC2708N Texas Instruments UC2708N 13.2800
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ECAD 5331 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -25°C ~ 85°C (TA) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) UC2708 非反相 未验证 5V~35V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 3A、3A 25纳秒, 25纳秒
AUIRS2113STR Infineon Technologies AUIRS2113STR -
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ECAD 9892 0.00000000 英飞凌科技 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) AUIRS2113 非反相 未验证 10V~20V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 2.5A、2.5A 25纳秒、15纳秒 600伏
PX3511ADAG Renesas Electronics America Inc PX3511ADAG -
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ECAD 4898 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PX3511 非反相 未验证 10.8V~13.2V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 98 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
TPS2816DBVT Texas Instruments TPS2816DBVT 2.1700
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ECAD 第740章 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TPS2816 反相 未验证 4V~14V SOT-23-5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 1V、4V 2A, 2A 14纳秒, 14纳秒
MIC4420ZT Microchip Technology MIC4420ZT 3.0600
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ECAD 182 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃~150℃(太焦) 通孔 TO-220-5 麦克风4420 非反相 未验证 4.5V~18V TO-220-5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 6A, 6A 12纳秒、13纳秒
1SP0635V2M1-17 Power Integrations 1SP0635V2M1-17 327.4600
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ECAD 第1253章 0.00000000 电源集成 规模™-2 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 模块 1SP0635 - 未验证 14.5V~15.5V 模块 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 1810-1018 EAR99 8473.30.1180 6 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 35A, 35A 9纳秒、30纳秒 1700伏
RAA229621GNP#HA0 Renesas Electronics America Inc RAA229621GNP#HA0 3.7905
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ECAD 1340 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 - 符合ROHS3标准 3(168小时) 20-RAA229621GNP#HA0TR 1
ISL78420AVEZ-T7A Renesas Electronics America Inc ISL78420AVEZ-T7A 5.6500
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ECAD 2567 0.00000000 瑞萨电子美国公司 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 14-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 ISL78420 非反相 未验证 8V~14V 14-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1.8V、4V 2A, 2A 10纳秒,10纳秒 114V
AUIRS2003S Infineon Technologies AUIRS2003S -
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ECAD 6063 0.00000000 英飞凌科技 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) AUIIRS2003 反相、同相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 3(168小时) REACH 不出行 SP001514376 EAR99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 70纳秒、35纳秒 200V
UCC27712DR Texas Instruments UCC27712DR 1.5900
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ECAD 4661 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) UCC27712 - 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1.5V、1.6V 1.8A、2.8A 16纳秒、10纳秒 600伏
UCC27201DDA Texas Instruments UCC27201DDA 2.8300
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ECAD 8 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 8-PowerSOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) UCC27201 非反相 未验证 8V~17V 8-SO电源板 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 75 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 3A、3A 8纳秒、7纳秒 120V
TC4627EOE713 Microchip Technology TC4627EOE713 5.0100
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ECAD 6398 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) TC4627 非反相 未验证 4V~6V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 TC4627EOE713-NDR EAR99 8542.39.0001 1,000 单身的 高侧或低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 33纳秒、27纳秒
ISL6612BCBZ Renesas Electronics America Inc ISL6612BCBZ -
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ECAD 3542 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ISL6612 非反相 未验证 7V~13.2V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 -ISL6612BCBZ EAR99 8542.39.0001 98 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
LM5101ASD-1/NOPB Texas Instruments LM5101ASD-1/NOPB 4.2000年
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ECAD 4930 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 LM5101 非反相 未验证 9V~14V 8-WSON (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V,- 3A、3A 430纳秒、260纳秒 118V
IR2301 Infineon Technologies IR2301 -
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ECAD 2638 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IR2301 非反相 未验证 5V~20V 8-PDIP 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 *IR2301 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 高侧或低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.9V 200毫安、350毫安 130纳秒、50纳秒 600伏
IXDN614SI IXYS Integrated Circuits Division IXDN614SI 4.9300
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ECAD 21 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 IXDN614 非反相 未验证 4.5V~35V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 14A, 14A 25纳秒、18纳秒
SI9912DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9912DY-T1-E3 -
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ECAD 1095 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) SI9912 非反相 未验证 4.5V~5.5V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1A、1A 30纳秒、20纳秒 30V
UCC27221PWP Texas Instruments UCC27221PWP -
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ECAD 6148 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -55°C ~ 115°C(太焦) 表面贴装 14-PowerTSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) UCC27221 反相 未验证 3.7V~20V 14-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 90 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.7V、2.6V 4A, 4A 17纳秒, 17纳秒
ISL89400AR3Z Renesas Electronics America Inc ISL89400AR3Z -
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ECAD 4144 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 9-VFDFN 裸露焊盘 ISL89400 非反相 未验证 9V~14V 9-DFN-EP (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 3.7V、7.4V 1.25A、1.25A 16纳秒, 16纳秒 100伏
FAN7371MX onsemi 风扇7371MX 1.7400
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ECAD 1797年 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 最后一次购买 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7371 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 25纳秒、15纳秒 600伏
TPS2835PWP Texas Instruments TPS2835PWP 2.3587
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ECAD 4150 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 14-PowerTSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) TPS2835 反相 未验证 4.5V~15V 14-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 90 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V 2.7A、2.4A 50纳秒、40纳秒 28V
FAN73932M Fairchild Semiconductor 风扇73932M 1.6000
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ECAD 2989 0.00000000 仙童 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇73932 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 90 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 2.5A、2.5A 25纳秒、20纳秒 600伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库