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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ISL6614AIR | - | ![]() | 3055 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 16-VQFN 裸露焊盘 | ISL6614 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 16-QFN (4x4) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步化 | 半桥 | 4 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | ||
![]() | IRS2807DSTRPBF | 1.9800 | ![]() | 1848年 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局2807 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | PG-DSO-8-903 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 高侧或低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 200毫安、350毫安 | 150纳秒、50纳秒 | 600伏 | ||
IR2112-2 | - | ![]() | 6212 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 16-DIP(0.300",7.62mm),14引脚 | 红外2112 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 16-PDIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | -2 | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 高侧或低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 6V、9.5V | 250毫安、500毫安 | 80纳秒、40纳秒 | 600伏 | ||
![]() | IXDD408PI | - | ![]() | 7226 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IXDD408 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~25V | 8-DIP | 下载 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3.5V | 8A, 8A | 14纳秒、15纳秒 | ||||
![]() | IR4428STRPBF | - | ![]() | 5460 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 切带 (CT) | 过时的 | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IR4428 | 反相、同相 | 未验证 | 6V~20V | 8-SOIC | 下载 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 低侧 | 2 | ||||||||||
![]() | ISL6594BCR-T | - | ![]() | 9058 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 10-VFDFN 裸露焊盘 | ISL6594 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 10-DFN (3x3) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | ||
![]() | IXJ611P1 | - | ![]() | 3906 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | - | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IXJ611 | - | 未验证 | - | 8-DIP | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 450 | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | L9857-TR-S | - | ![]() | 3884 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | L9857 | - | 未验证 | - | 8-SOIC | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | - | - | - | - | - | |||||
![]() | UC2708N | 13.2800 | ![]() | 5331 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -25°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | UC2708 | 非反相 | 未验证 | 5V~35V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 3A、3A | 25纳秒, 25纳秒 | |||
![]() | AUIRS2113STR | - | ![]() | 9892 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | AUIRS2113 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 6V、9.5V | 2.5A、2.5A | 25纳秒、15纳秒 | 600伏 | ||
![]() | PX3511ADAG | - | ![]() | 4898 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | PX3511 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | ||
TPS2816DBVT | 2.1700 | ![]() | 第740章 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | TPS2816 | 反相 | 未验证 | 4V~14V | SOT-23-5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道MOSFET | 1V、4V | 2A, 2A | 14纳秒, 14纳秒 | ||||
![]() | MIC4420ZT | 3.0600 | ![]() | 182 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | 0℃~150℃(太焦) | 通孔 | TO-220-5 | 麦克风4420 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | TO-220-5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 6A, 6A | 12纳秒、13纳秒 | |||
![]() | 1SP0635V2M1-17 | 327.4600 | ![]() | 第1253章 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 模块 | 1SP0635 | - | 未验证 | 14.5V~15.5V | 模块 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 1810-1018 | EAR99 | 8473.30.1180 | 6 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | 35A, 35A | 9纳秒、30纳秒 | 1700伏 | ||
![]() | RAA229621GNP#HA0 | 3.7905 | ![]() | 1340 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 20-RAA229621GNP#HA0TR | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | ISL78420AVEZ-T7A | 5.6500 | ![]() | 2567 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 14-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 | ISL78420 | 非反相 | 未验证 | 8V~14V | 14-高温SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1.8V、4V | 2A, 2A | 10纳秒,10纳秒 | 114V | ||
![]() | AUIRS2003S | - | ![]() | 6063 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | AUIIRS2003 | 反相、同相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 3(168小时) | REACH 不出行 | SP001514376 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 70纳秒、35纳秒 | 200V | ||
![]() | UCC27712DR | 1.5900 | ![]() | 4661 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC27712 | - | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 1.5V、1.6V | 1.8A、2.8A | 16纳秒、10纳秒 | 600伏 | ||
![]() | UCC27201DDA | 2.8300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 8-PowerSOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC27201 | 非反相 | 未验证 | 8V~17V | 8-SO电源板 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 75 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 3A、3A | 8纳秒、7纳秒 | 120V | ||
![]() | TC4627EOE713 | 5.0100 | ![]() | 6398 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TC4627 | 非反相 | 未验证 | 4V~6V | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | TC4627EOE713-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.5A、1.5A | 33纳秒、27纳秒 | ||
![]() | ISL6612BCBZ | - | ![]() | 3542 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ISL6612 | 非反相 | 未验证 | 7V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | -ISL6612BCBZ | EAR99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | |
![]() | LM5101ASD-1/NOPB | 4.2000年 | ![]() | 4930 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | LM5101 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 8-WSON (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 2.3V,- | 3A、3A | 430纳秒、260纳秒 | 118V | ||
![]() | IR2301 | - | ![]() | 2638 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IR2301 | 非反相 | 未验证 | 5V~20V | 8-PDIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | *IR2301 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 高侧或低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.9V | 200毫安、350毫安 | 130纳秒、50纳秒 | 600伏 | |
![]() | IXDN614SI | 4.9300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | IXDN614 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~35V | 8-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3V | 14A, 14A | 25纳秒、18纳秒 | |||
![]() | SI9912DY-T1-E3 | - | ![]() | 1095 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI9912 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1A、1A | 30纳秒、20纳秒 | 30V | ||
![]() | UCC27221PWP | - | ![]() | 6148 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 115°C(太焦) | 表面贴装 | 14-PowerTSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | UCC27221 | 反相 | 未验证 | 3.7V~20V | 14-高温SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 90 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.7V、2.6V | 4A, 4A | 17纳秒, 17纳秒 | |||
![]() | ISL89400AR3Z | - | ![]() | 4144 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 9-VFDFN 裸露焊盘 | ISL89400 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 9-DFN-EP (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 3.7V、7.4V | 1.25A、1.25A | 16纳秒, 16纳秒 | 100伏 | ||
![]() | 风扇7371MX | 1.7400 | ![]() | 1797年 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇7371 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 4A, 4A | 25纳秒、15纳秒 | 600伏 | ||
![]() | TPS2835PWP | 2.3587 | ![]() | 4150 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 14-PowerTSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | TPS2835 | 反相 | 未验证 | 4.5V~15V | 14-高温SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 90 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1V、2V | 2.7A、2.4A | 50纳秒、40纳秒 | 28V | ||
![]() | 风扇73932M | 1.6000 | ![]() | 2989 | 0.00000000 | 仙童 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇73932 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 90 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 2.5A、2.5A | 25纳秒、20纳秒 | 600伏 |
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