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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MC33152D	-	RFQ	6449	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MC33152DOS	Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
TC4405COA713	2.7900	RFQ	8592	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4405	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4405COA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	40n，40n （最大）
EL7104CS-T7	-	RFQ	3931	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7104	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	7.5NS，10NS
SI9976DY-E3	-	RFQ	5393	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	SI9976	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	550	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，4V	500mA，500mA	110NS，50NS	40 V
EL7155CN	-	RFQ	2430	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7155	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-pdip	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
6EDL04I06PTXUMA1	4.8300	RFQ	9996	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6EDL04	不转变	未行业行业经验证	13v〜17.5V	PG-DSO-28	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.1V，1.7V	-	60ns，26ns	600 v
adp3624ardz	3.1500	RFQ	277	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3624	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
max5054bata-t	-	RFQ	1962年	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	Max5054	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	8-tdfn （3x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
MIC4127MME	1.2200	RFQ	690	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC4127	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，18NS
L6388D	-	RFQ	6856	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6388	反转	未行业行业经验证	（17V））	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.8V	400mA，650mA	70NS，40NS	600 v
LM5101ASDX/NOPB	1.9800	RFQ	1985	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
IR2108S	-	RFQ	1591年	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2108	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2108S	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
max4420esa-t	-	RFQ	3850	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
MIC44F20MME	1.3700	RFQ	17	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC44F20	反转	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	576-1503	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.607V，1.615V	6a，6a	10n，10n
ISL2100AAR3Z	-	RFQ	1155	Intersil	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	9-VFDFN暴露垫	ISL2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	9-DFN-EP（3x3）	-						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3.7V，7.4V	2a，2a	10n，10n	114 v
TPS2815PWR	0.9195	RFQ	2240	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS2815	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
EL7156CS-T13	-	RFQ	8067	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7156	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
IR21834STRPBF	4.0400	RFQ	16	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21834	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
LTC7000MPMSE-1 ＃PBF	19.3000	RFQ	6440	模拟设备公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118英寸，3.00mm宽度），12个铅，裸露的垫子，裸露的垫子	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	37	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
LTC3900IS8 ＃PBF	7.8700	RFQ	34	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC3900	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜11V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	15ns，15ns
HV9901NG-G-M901	4.9400	RFQ	3775	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-SOIC （0.154“，3.90mm宽），14个铅	HV9901	不转变	未行业行业经验证	10V〜450V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,600	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	-	30ns，30ns
IR2118STRPBF	2.6900	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
SM72482X/NOPB	-	RFQ	4251	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SM72482	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
ISL89400AR3Z	-	RFQ	4144	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	9-VFDFN暴露垫	ISL89400	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	9-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3.7V，7.4V	1.25a，1.25a	16ns，16ns	100 v
MIC4100BM	-	RFQ	1241	微芯片技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4100	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	2a，2a	400NS，400NS	118 v
IR2235JTRPBF	13.3290	RFQ	4905	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2235	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
UCC27710D	1.7700	RFQ	1922年	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27710	-	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.5V，1.6V	500mA，1a	40NS，20NS	600 v
ISL6614AIR	-	RFQ	3055	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
1SD1548AI UL	131.2500	RFQ	7127	电源集成	Scale™-1	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	模块	1SD1548	-	未行业行业经验证	15V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	16	-	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	48a，48a	-
TC4420VOA713	2.1300	RFQ	6	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²