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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
LM2725M/NOPB	-	RFQ	6232	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM2725	不转变	未行业行业经验证	4V〜7V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.2a，1a	17ns，10ns	42 v
ADP3413JR-REEL7	-	RFQ	1691年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3413					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
ADUM4221-1BRIZ-RL	8.2700	RFQ	4311	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	ADUM4221	反转，无变形	未行业行业经验证	2.5V〜6.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	IGBT	1.5V，3.5V	4a，6a	25n，25n
MIC4423YN	2.5800	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1196	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
ISL6613BCB-T	-	RFQ	7247	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR2125S	-	RFQ	3345	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2125	不转变	未行业行业经验证	0v〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2125S	Ear99	8542.39.0001	45	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，3.3a	43ns，26ns	500 v
max5078aatt+t	-	RFQ	9396	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5078	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	6-TDFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，4a	32ns，26ns
MIC4421ABM	-	RFQ	5818	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
MIC4425YM	2.0600	RFQ	1503	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
UCC27538DBVT	1.5700	RFQ	7964	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UCC27538	不转变	未行业行业经验证	10v〜32v	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.2V	2.5a，5a	15ns，7ns
NCP51513ABMNTWG	1.5500	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	NCP51513	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜19v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	2a，3a	9NS，7NS	150 v
MIC4423BM-TR	-	RFQ	1405	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
ICL7667CBAZA-T	2.9800	RFQ	14	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	-	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
RAA228006GNP＃ha0	6.2643	RFQ	3501	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA228006GNP＃ha0tr			1
IRS21091pbf	2.2700	RFQ	17	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS21091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载					Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
IR2213SPBF	7.6700	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2213	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2.5a	25ns，17ns	1200 v
IR2110pbf	3.3000	RFQ	7	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR2110	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	500 v
16STCT000-UPD	21.2500	RFQ	1	简单	-	托盘	积极的	0°C 〜80°C（TJ）	表面安装	死	16sct000	不转变	未行业行业经验证	-	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99		300	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	-	26MA	390NS，1430NS
NCP303151MNTWG	3.1100	RFQ	448	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	39-PowerVFQFN	NCP303151	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	39-pqfn （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.65V，2.7V	100mA，100mA	17ns，26ns	30 V
ISL6613ECBZR5214	-	RFQ	6369	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UC2714DPG4	-	RFQ	6190	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC2714	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	240	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
IR2130pbf	9.5000	RFQ	220	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2130	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	28点	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-ir2130pbf	Ear99	8542.31.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200ma，420mA	80n，35ns	600 v
IR2132S	-	RFQ	6907	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2132	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
UC3708N	11.7600	RFQ	554	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC3708	不转变	未行业行业经验证	5v〜35V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	25n，25n
TC4427VUA713	2.1300	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
IR21844	-	RFQ	1239	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR21844	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR21844	Ear99	8542.39.0001	25	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
IR1175STR	-	RFQ	5554	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20ssop （0.209英寸，5.30mm宽度）	IR1175	不转变	未行业行业经验证	4v〜5.5V	20ssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	20N，20N
TPS2813PWR	1.2510	RFQ	1395年	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS2813	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
TC4424VOE	2.8300	RFQ	5933	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4424VOE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
ISL6612IRZ-T	-	RFQ	8600	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²