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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
TC1413EOA Microchip Technology TC1413EOA 1.5100
RFQ
 ECAD 2211 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TC1413 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2V 3a，3a 20N，20N
IXZ631DF12N100 IXYS-RF IXZ631DF12N100 -
RFQ
 ECAD 6188 0.00000000 ixys-rf - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 10-SMD，平坦的铅 IXZ631 不转变 未行业行业经验证 8v〜18V 10-SMD - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V，3.5V 72a，72a 2.4NS，1.55NS 1000 v
MCP14E3-E/SN Microchip Technology MCP14E3-E/SN 2.3500
RFQ
 ECAD 3381 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCP14E3 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.4V 4a，4a 15NS，18NS
TC4427VUA713 Microchip Technology TC4427VUA713 2.1300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） TC4427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.5a，1.5a 19NS，19NS
IXDI402SIA IXYS IXDI402SIA -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDI402 反转 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 2a，2a 8ns，8ns
TC4423MJA Microchip Technology TC4423MJA 42.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 8-CDIP （0.300英寸，7.62mm） TC4423 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-Cerdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 TC4423MJA-NDR Ear99 8542.39.0001 56 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 3a，3a 23ns，25ns
MIC4604YM-TR Microchip Technology MIC4604YM-TR 0.9500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MIC4604 不转变 未行业行业经验证 5.25V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 1.5a，1a 20N，20N
UC3706DWTR Texas Instruments UC3706DWTR 4.4250
RFQ
 ECAD 9447 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 0°C〜70°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） UC3706 反转，无变形 未行业行业经验证 5V〜40V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 1.5a，1.5a 40n，30ns
IR2128SPBF Infineon Technologies IR2128SPBF 3.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IR2128 反转 未行业行业经验证 12v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 高方面或低侧 1 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3V 250mA，500mA 80n，40n 600 v
IR2233J Infineon Technologies IR2233J -
RFQ
 ECAD 7386 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 125°C（TJ） 表面安装 44-LCC（J-LEAD），32个领先优势 IR2233 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IR2233J Ear99 8542.39.0001 27 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2V 250mA，500mA 90NS，40NS 1200 v
ISL6612BCBZ Renesas Electronics America Inc ISL6612BCBZ -
RFQ
 ECAD 3542 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL6612 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 -isl6612BCBZ Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V
IR2130JTR Infineon Technologies IR2130JTR -
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 44-LCC（J-LEAD），32个领先优势 IR2130 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.2V 250mA，500mA 80n，35ns 600 v
LTC4444HMS8E-5#TRPBF ADI ltc4444hms8e-5 trpbf 3.6450
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） LTC4444 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13.5V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.85V，3.25V 2.5a，3a 8NS，5NS 114 v
IR21364JTRPBF Infineon Technologies IR21364JTRPBF -
RFQ
 ECAD 1927年 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 44-LCC（J-LEAD），32个领先优势 IR21364 不转变 未行业行业经验证 11.5v〜20V 44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58） 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 200mA，350mA 125ns，50ns 600 v
MIC4429BN Microchip Technology MIC44290亿 -
RFQ
 ECAD 4904 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） MIC4429 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 6a，6a 12n，13ns
TD350IDT STMicroelectronics TD350IDT -
RFQ
 ECAD 8541 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） TD350 不转变 未行业行业经验证 12v〜26V 14件事 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，4.2V 1.5a，2.3a 130NS，75NS （最大）
IR21365JTRPBF Infineon Technologies IR21365JTRPBF -
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 44-LCC（J-LEAD），32个领先优势 IR21365 反转 未行业行业经验证 12v〜20V 44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58） 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3V 200mA，350mA 125ns，50ns 600 v
LTC1693-3CMS8#PBF ADI LTC1693-3CMS8 ＃PBF 6.0700
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） LTC1693 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-msop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -2735-LTC1693-3CMS8 ＃PBF Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方面或低侧 1 n通道MOSFET 1.7V，2.2V 1.5a，1.5a 16ns，16ns
L6491D STMicroelectronics L6491d 3.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） L6491 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14件事 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 497-15443-5 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 1.45V，2V 4a，4a 15ns，15ns 600 v
LM5111-3M/NOPB Texas Instruments LM5111-3M/NOPB -
RFQ
 ECAD 6557 0.00000000 Texas Instruments - 大部分 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LM5111 反转，无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 3a，5a 14ns，12ns
IRS21084PBF Infineon Technologies IRS21084pbf -
RFQ
 ECAD 6558 0.00000000 Infineon技术 - 管子 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） IRS21084 反转，无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 290mA，600mA 100NS，35NS 600 v
IX4423NTR IXYS Integrated Circuits Division ix4423ntr -
RFQ
 ECAD 7038 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IX4423 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，3V 3a，3a 18N，18NS
BS2103F-E2 Rohm Semiconductor BS2103F-E2 -
RFQ
 ECAD 7410 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） BS2103 不转变 未行业行业经验证 10v〜18V 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 1V，2.6V 60mA，130mA 200NS，100NS 600 v
1SP0635D2S1-XXXX (2)(3)(4) Power Integrations 1Sp0635d2s1-xxxx（2）（3）（3）（4） 149.9283
RFQ
 ECAD 1400 0.00000000 电源集成 - 大部分 积极的 - 596-1SP0635D2S1-XXXX （2）（3）（4）（4） 6
MIC4423YN Microchip Technology MIC4423YN 2.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） MIC4423 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 576-1196 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 3a，3a 28ns，32ns
A6862KLPTR-T Allegro MicroSystems A6862KLPTR-T 0.8820
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 Allegro微型系统 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽） A6862 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜50V 16-ESSOP-EP 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 8,000 3相 高方向 3 n通道MOSFET 0.4V，0.7V - -
TPS2849PWP Texas Instruments TPS2849PWP -
RFQ
 ECAD 7067 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm）） TPS2849 反转 未行业行业经验证 10v〜15V 14-htssop 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 90 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2V 4a，4a 65ns，65ns 29 v
IX4R11P7 IXYS IX4R11P7 -
RFQ
 ECAD 6154 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） IX4R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 14-PDIP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 225 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，7V 4a，4a 23ns，22ns 650 v
IR21362STRPBF Infineon Technologies IR21362STRPBF -
RFQ
 ECAD 1809年 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IR21362 反转，无变形 未行业行业经验证 11.5v〜20V 28-Soic 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3V 200mA，350mA 125ns，50ns 600 v
AUIRS2124STR Infineon Technologies auirs2124str 1.5106
RFQ
 ECAD 5400 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） Auirs2124 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT，N通道MOSFET - 500mA，500mA 80n，80n 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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