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TC4468EPD	5.5500	RFQ	162	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	TC4468	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4468EPD-NDR	Ear99	8542.39.0001	30	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
MIC4421CT	-	RFQ	6464	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
IRS2118pbf	-	RFQ	8459	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
IXBD4410SI	-	RFQ	6585	ixys	ISOSMART™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IXBD4410	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IXBD4410SI-NDR	Ear99	8542.39.0001	46	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，3.65V	2a，2a	15ns，15ns	1200 v
max5078batt+t	14.0500	RFQ	3	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5078	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	6-TDFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
ISL6614ACR	-	RFQ	2654	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL6613IBZ	-	RFQ	9977	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4431EOA	3.8400	RFQ	2393	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4431	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4431EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25ns，33ns
ISL6612IR	-	RFQ	2507	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4420VOA	2.1300	RFQ	5043	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4420VOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
EL7154CSZ-T13	-	RFQ	9102	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.4V	4a，4a	4NS，4NS
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ISL6605CRZR5168	-	RFQ	3404	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
FAN3227TMPX	1.5900	RFQ	3539	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	FAN3227	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-mlp （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	12ns，9ns
TPS2834PWP	2.3606	RFQ	6550	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	TPS2834	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2.7a，2.4a	50n，40n	28 V
ISL6614IRZR5238	-	RFQ	2718	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR2302STRPBF	2.5500	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2302	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
MCP14A0301T-E/SN	1.0500	RFQ	422	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0301	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	13ns，12ns
Auirs2112s	-	RFQ	3611	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Auirs2112	不转变	未行业行业经验证	3v〜20V	16-Soic	下载		3（168））	到达不受影响	SP001511760	Ear99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	60n，30ns	600 v
TC4426AEUA	2.4500	RFQ	1385	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	tc4426aeua-ndr	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
2SB315A-2MBI800U4G-1220	-	RFQ	3681	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
TC4423AVPA	2.5300	RFQ	773	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
TC4467MJD	-	RFQ	1947年	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4467MJD-NDR	Ear99	8542.39.0001	29	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
TC4425COE713	2.5900	RFQ	6818	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4425COE713-NDR	Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
MIC4480ME-T5	-	RFQ	8466	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4480	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜32V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	2.5a，2.5a	120NS，45NS
tps2816dbvt	2.1700	RFQ	740	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	TPS2816	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，14ns
IR2152STR	-	RFQ	6814	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2152	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	125mA，250mA	80n，40n	600 v
max15025fatb+t	-	RFQ	5557	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15025	反转，无变形	未行业行业经验证	6.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，4a	48ns，32ns
ISL6612CBZA	-	RFQ	5637	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²