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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LM5104M | 3.3637 | ![]() | 3656 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5104 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.6a,1.6a | 600NS,600NS | 118 v | |||
![]() | MIC5020Y | 3.2900 | ![]() | 6436 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC5020 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 11V〜50V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 700NS,500NS | ||||
![]() | tps2833d | 2.3673 | ![]() | 3829 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TPS2833 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.7a,2.4a | 50n,50n | 28 V | |||
LT1161ISW#trpbf | 12.4100 | ![]() | 7463 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) | LT1161 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜48v | 20-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 高方向 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | - | |||||
![]() | 1SD210F2-5SNA0400J650100_OPT1 | - | ![]() | 7334 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | 1SD210F2 | - | 未行业行业经验证 | 15.5v〜16.8V | 模块 | - | (1 (无限) | 1810-1SD210F2-5SNA0400J650100_OPT1 | 过时的 | 20 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | - | 6a,10a | 100NS,100NS | 1200 v | |||||
![]() | 2SB315A-2MBI800U4G-1220 | - | ![]() | 3681 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | 模块 | 2SB315 | - | 未行业行业经验证 | 0v〜16V | 模块 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8473.30.1180 | 2 | 单身的 | 半桥 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | - | - | - | ||||||
![]() | IRS2117pbf | 2.1903 | ![]() | 4151 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IRS2117 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 290mA,600mA | 75ns,35ns | 600 v | |||
![]() | ISL6612AIR | - | ![]() | 2005 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
MC33152DG | 1.7200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MC33152 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.1v〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.6V | 1.5a,1.5a | 36ns,32ns | |||||
![]() | FAN7389MX | 1.4700 | ![]() | 455 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | Fan7389 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 24分 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 350mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | |||||
ADP3414JRZ | - | ![]() | 7393 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ADP3414 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.15V〜7.5V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 半桥 | 2 | 30 V | |||||||||||
![]() | tps2813dr | 1.2510 | ![]() | 9171 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TPS2813 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 1V,4V | 2a,2a | 14ns,15ns | ||||
![]() | ixdd614d2tr | - | ![]() | 3014 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-6,D²Pak(5 + tab),TO-263BA | IXDD614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | TO-263(D²Pak) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 14a,14a | 25NS,18NS | |||||
![]() | tps2815dr | 0.9195 | ![]() | 7051 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TPS2815 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 1V,4V | 2a,2a | 14ns,15ns | ||||
![]() | IR21084STR | - | ![]() | 4241 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | IR21084 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | |||
![]() | LM5110-2M | - | ![]() | 1851年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5110 | 反转 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | ||||
![]() | stsr2pmcd-tr | 4.3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | STSR2 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a,3.5a | 40n,30ns | ||||
![]() | TC4426VOA713 | 1.3500 | ![]() | 2340 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4426VOA713-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 19NS,19NS | |||
![]() | LTC1154CS8#trpbf | 6.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LTC1154 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | - | ||||
![]() | ISL6612BEIB | - | ![]() | 1505 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜13.2v | 8-SOIC-EP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
![]() | UC2707N | 10.0593 | ![]() | 4977 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -25°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 16 浸(0.300英寸,7.62mm) | UC2707 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 5V〜40V | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.5a,1.5a | 40n,40n | ||||
![]() | TC4422EMF713 | 2.1000 | ![]() | 4098 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4422EMF713-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 60n,60n | |||
![]() | FAN7389MX | - | ![]() | 4496 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | Fan7389 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 24分 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 350mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | ||||
![]() | TC4427AVOA713 | 1.7800 | ![]() | 2018 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC4427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 25n,25n | ||||
![]() | ISL6614CBZ | - | ![]() | 7230 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | ISL6614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
![]() | DGD36030S28-13 | - | ![]() | 5735 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | DGD36030 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | DGD36030S28-13DI | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,500 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||
![]() | A4919Gettr-T | 2.9500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Allegro微型系统 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 28-VFQFN暴露垫 | A4919 | TTL | 未行业行业经验证 | 5.5V〜50V | 28-qfn(5x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 3相 | 高方面或低侧 | 6 | n通道MOSFET | 0.8V,1.5V | - | 35NS,20NS | ||||
![]() | ISL6609ACRZ-TS2568 | - | ![]() | 2957 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 8-vqfn裸露的垫子 | ISL6609 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-qfn (3x3) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 20-ISL6609ACRZ-TS2568 | 过时的 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | 4a | 8ns,8ns | 36 V | ||||
![]() | L6571AD013TR | - | ![]() | 6782 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | L6571 | RC输入电路 | 未行业行业经验证 | 10v〜16.6V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | 170mA,270mA | - | 600 v | |||
ICL7667CBA | - | ![]() | 8580 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ICL7667 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜17V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | - | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 20N,20N |
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