感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
MCP14E4T-E/SN	2.4500	询价	1	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14E4	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒、18纳秒
MIC4429YM-TR	2.0600	询价	1212	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
NCP81074AMNTBG	2.0000	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	NCP81074	反相、同相	未验证	4.5V～20V	8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.5V、1.9V	10A、10A	4纳秒、4纳秒
ISL6610ACBZ	-	询价	7541	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6610	非反相	未验证	4.5V～5.5V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
ADP3417JR-REEL7	0.3400	询价	1	模拟器件公司	ADP3417	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3417	反相、同相	未验证	4.15V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	高侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	-	-
ISL6614ACR-T	-	询价	5309	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
DRV8300DRGER	1.5200	询价	23	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	24-VFQFN 裸露焊盘	DRV8300	非反相	未验证	5V~20V	24-VQFN (4x4)	下载	不适用	1（无限制）		296-DRV8300DRGERTR	EAR99	8542.39.0001	3,000	土耳其	高侧和低侧	3	N沟道MOSFET	0.8V、2V	750毫安，1.5安	12纳秒, 12纳秒	105V
风扇7390M	-	询价	7742	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7390	非反相	未验证	10V~22V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	90	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.5V	4.5A、4.5A	25纳秒、20纳秒	600伏
V62/07624-02YE	8.6220	询价	9881	Texas Instruments	*	卷带式 (TR)	的积极									-	符合ROHS3标准			296-V62/07624-02YETR			2,500人
ISL89165FRTBZ-T	2.9559	询价	5011	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89165	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
RAA229621GNP#HA0	3.7905	询价	1340	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极									-	符合ROHS3标准	3（168小时）		20-RAA229621GNP#HA0TR			1
IXZ631DF12N100	-	询价	6188	IXYS-RF	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	10-SMD，写入	IXZ631	非反相	未验证	8V~18V	10-SMD	-		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	20	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、3.5V	72A, 72A	2.4纳秒、1.55纳秒	1000伏
TC4469EOE713	4.1600	询价	4778	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	TC4469	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	15纳秒，15纳秒
LTC4444HMS8E-5#TRPBF	3.6450	询价	7517	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4444	非反相	未验证	4.5V～13.5V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.25V	2.5A、3A	8纳秒、5纳秒	114V
NCP5183DR2G	2.9400	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCP5183	非反相	未验证	9V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.2V、2.5V	4.3A、4.3A	12纳秒, 12纳秒	600伏
风扇3182MX	0.7300	询价	73	仙童	-	大部分	的积极	-			风扇3182	-	未验证	-		-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	2,500人	-	-		-	-	-	-
MAX5062AASA+	-	询价	4958	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5062	非反相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V
IR21365JTRPBF	-	询价	5475	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR21365	反相	未验证	12V~20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
TC4428VUA	2.1300	询价	第237章	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428VUA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
ZXGD3005E6TA	0.5900	询价	41	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	ZXGD3005	非反相	未验证	25V（最大）	SOT-26	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	-	10A、10A	48纳秒、35纳秒
ISL6207CB	-	询价	9686	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6207	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
DGD2184S8-13	0.7066	询价	2447	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DGD2184	非反相	未验证	10V～20V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
2ED2304S06FXUMA1	1.7000	询价	8886	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2ED2304	互补金属O化物半导体	未验证	10V～17.5V	PG-DSO-8-910	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.7V	360毫安、700毫安	48纳秒、24纳秒	650伏
AUIR2085STR	4.4700	询价	2	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIR2085	RC输入电路	未验证	10V~15V	PG-DSO-8-904	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1A、1A	40纳秒、20纳秒	100伏
SC1301BISKTRT	-	询价	8930	森泰克公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	SC1301	反相	未验证	4.5V～16.5V	SOT-23-5	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	20纳秒, 20纳秒
1EDN7512BXTSA1	1.0700	询价	16	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	1EDN7512	反相、同相	未验证	4.5V～20V	PG-SOT23-5-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	-	4A、8A	6.5纳秒、4.5纳秒
ADP3416JR-卷轴	0.3400	询价	155	模拟器件公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3416	非反相	未验证	4.15V～7.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	高侧和低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	-	-
1SP0335V2M1C-FZ750R65KE3	271.3117	询价	8784	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SP0335	-	未验证	23.5V～26.5V	模块	-		1（无限制）		1810-1SP0335V2M1C-FZ750R65KE3	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	6500伏
UCC27424P	-	询价	1095	尤尼罗德	-	大部分	的积极	-40°C ~ 105°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		非反相		4V～15V	8-PDIP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UCC27424P-600018			1	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
FAN3216TMX-F085	0.7400	询价	1	仙童	*	大部分	的积极									下载					EAR99	8542.39.0001	第408章									未验证

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²