RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
TC428EOA	1.9000	RFQ	1977年	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC428EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
IR2101STRPBF	2.5100	RFQ	58	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2101	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
ZXGD3009DYTA	0.4200	RFQ	4263	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	ZXGD3009	不转变	未行业行业经验证	（40V））	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	2a，2a	210NS，240NS
TC4422ESM	4.4800	RFQ	6323	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-soij	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
max5078aatt+t	-	RFQ	9396	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5078	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	6-TDFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，4a	32ns，26ns
max4420csa	-	RFQ	7032	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
EL7202CS	-	RFQ	8644	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7202	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	97	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
max5063dasa	-	RFQ	6524	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5063	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	65ns，65ns	125 v
TC1411NCOA713	1.4500	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1411	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
LM5100SD/NOPB	-	RFQ	3082	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
IR2108	-	RFQ	7706	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2108	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2108	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
FAN73894MX	3.3300	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Fan73894	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v
MIC4469YWM	5.0800	RFQ	6221	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4469	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	576-1215	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
TC1411VUA	1.2700	RFQ	1680年	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1411	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
EL7212CS-T13	-	RFQ	4474	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7212	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
TC4468CPD	5.5500	RFQ	126	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	TC4468	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	30	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
EL7457CS-T7	-	RFQ	1148	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
TC1412NEPA	1.6600	RFQ	5283	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1412	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1412NEPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	18N，18NS
MIC4429BMM-TR	-	RFQ	6943	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MIC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
VLA567-01R	-	RFQ	6504	Powerex Inc.	-	大部分	过时的	-20°C〜70°C（TA）	通过洞	44浸模块，28个线索	VLA567	不转变	未行业行业经验证	14.2v〜15.8V	模块	下载		（1 （无限）		835-1185	Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT	-	-	400NS，300NS
TC1426CPA	1.5500	RFQ	4	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
LTC4440EMS8E-5	-	RFQ	8950	线性技术	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4440	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-msop-ep	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.6V，1.2V	1.1a，1.1a	100NS，70NS	80 V
IR2109S	-	RFQ	9990	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2109	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2109S	Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
TC4422EMF	2.1000	RFQ	2289	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4422EMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
MAX4428MJA/883B	-	RFQ	2975	ADI/MAXIM集成	军事，MIL-STD-883	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	Max4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
IR21014	-	RFQ	2831	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR21014	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
AUIR2085STR	4.4700	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIR2085	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15V	PG-DSO-8-904	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1a，1a	40NS，20NS	100 v
MIC4420ZN	2.4800	RFQ	326	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1192	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
UC3707DW	6.8815	RFQ	2458	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n
LM5111-1MY	-	RFQ	8581	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-POWERTSOP，8-MSOP （0.118英寸，3.00mm宽度）	LM5111	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-HVSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²