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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
LTC1154CS8 ＃PBF	6.7700	RFQ	600	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
IX4310NTR	0.4023	RFQ	5564	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				IX4310		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ix4310ntr			4,000
2SC0535T2G0C-33	183.7850	RFQ	3643	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-55°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	2SC0535	-		14.5v〜15.5V	模块	-				596-2SC0535T2G0C-33			12	独立的	-	2	IGBT	-	35a，35a	20N，25n	3300 v
mcp1406-e/at	2.3500	RFQ	159	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-220-5	MCP1406	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
TC4426VOA713	1.3500	RFQ	2340	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426VOA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
TC1412EOA713	1.4300	RFQ	6146	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1412	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1412EOA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	18N，18NS
IR21365SPBF	-	RFQ	1212	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR21365	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
UC3710N	11.0900	RFQ	168	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC3710	反转，无变形	未行业行业经验证	4.7V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	6a，6a	85ns，85ns
TC4427AVPA	2.4100	RFQ	279	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4427AVPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
A89506KLPTR	5.4200	RFQ	5901	Allegro微型系统	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜135°C（TA）	表面安装	20-tssop （0.173英寸，4.40mm宽）	A89506	不转变	未行业行业经验证	-	20-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	同步	全桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
MIC4129ME-TR	1.5300	RFQ	7958	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4129	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
TC4429COA	2.1300	RFQ	8678	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4429COA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
TC4429IJA	30。2000年	RFQ	5689	微芯片技术	-	管子	积极的	-25°C〜150°C（TJ）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4429IJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
ISL6612AEIBZ-T	-	RFQ	5995	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL89400ABZ	-	RFQ	4703	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89400	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl89400abz	Ear99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3.7V，7.4V	1.25a，1.25a	16ns，16ns	100 v
TC1426CPA	1.5500	RFQ	4	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
IR21362JTRPBF	-	RFQ	9192	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR21362	反转，无变形	未行业行业经验证	11.5v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
TC4428VOA713	1.7800	RFQ	14	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
MCP14A0155-E/SN	1.1400	RFQ	395	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0155	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	11.5NS，10NS
IR2112-2	-	RFQ	6212	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62毫米），14个线索	IR2112	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	-2	Ear99	8542.39.0001	25	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
FAN7361MX	-	RFQ	6356	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7361	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，3.6V	250mA，500mA	70NS，30NS	600 v
E-L6385D013TR	-	RFQ	6947	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	E-L6385	反转	未行业行业经验证	（17V））	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
UCC37323DGN	1.4900	RFQ	8575	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC37323	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
TD350IDT	-	RFQ	8541	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	TD350	不转变	未行业行业经验证	12v〜26V	14件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，4.2V	1.5a，2.3a	130NS，75NS （最大）
HIP2123FRTBZ-T	-	RFQ	3676	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-WDFN暴露垫	HIP2123	反转	未行业行业经验证	8v〜14V	9-TDFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.4V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
IR2011	-	RFQ	6318	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2011	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2011	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.7V，2.2V	1a，1a	35NS，20NS	200 v
IRS24531DSTRPBF	-	RFQ	5476	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS24531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	全桥	1	n通道MOSFET	4.7V，9.3V	180mA，260mA	120NS，50NS	600 v
LM5100AM/NOPB	2.0400	RFQ	1	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5100	不转变		9V〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	148	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v	未行业行业经验证
tps2832d	2.3673	RFQ	6528	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2832	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.7a，2.4a	50n，50n	28 V
LM5102SD/NOPB	3.5100	RFQ	153	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5102	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²