感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
ISL89410IBZ-T13	1.6366	询价	8011	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL89410	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
2SB315B-FF800R17KF6	-	询价	3468	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-	安装结构	模块	2SB315	-	未验证	0V～16V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	-	-
TC4428EMF713	1.0950	询价	6610	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428EMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
1SD210F2-5SNA0600G650100_OPT1	-	询价	2383	电源集成	规模™-2	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-5SNA0600G650100_OPT1	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	1200伏
EB01-FS450R12KE3	-	询价	8102	电源集成	规模™-1	大部分	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	EB01-FS450	-	未验证	-	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	-	-		IGBT	-	-	-	800V
L6386ED013TR	1.9000	询价	500	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6386	反相	未验证	17V（最大）	14-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	497-6216-2	EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.5V、3.6V	400毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
UCC27201DDA	2.8300	询价	8	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27201	非反相	未验证	8V~17V	8-SO电源板	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V
IXDD604D2TR	2.2100	询价	520	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	IXDD604	非反相	未验证	4.5V～35V	8-DFN-EP (5x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
DRV8304SRHAR	3.6700	询价	5780	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	40-VFQFN 裸露焊盘	DRV8304	非反相	未验证	6V~38V	40-VQFN (6x6)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	土耳其	高侧或低侧	3	N沟道MOSFET	0.8V、1.5V	150毫安、300毫安	300纳秒、150纳秒
TC4627EOE713	5.0100	询价	6398	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	TC4627	非反相	未验证	4V~6V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4627EOE713-NDR	EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	高侧或低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	33纳秒、27纳秒
风扇3225CMX	0.6000	询价	1	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3225	反相、同相		4.5V~18V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	500	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	5A、5A	12纳秒、9纳秒		未验证
2ED1323S12PXUMA1	5.8200	询价	1266	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	20-BSSOP（0.295英寸，7.50毫米宽）		非反相		13V~25V	PG-DSO-20-U03	-		3（168小时）					1,000	同步化	半桥	1	IGBT		2.3A、2.3A		1200伏
IXDD630CI	9.7600	询价	2	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	IXDD630	非反相	未验证	12.5V～35V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	11纳秒, 11纳秒
TC4422AVAT	3.3900	询价	第537章	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-5	TC4422	非反相	未验证	4.5V~18V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	10A、10A	38纳秒、33纳秒
MAX15025DATB+	2.4000	询价	1	ADI/Maxim 集成	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WFDFN 裸露焊盘	MAX15025	反相、同相	未验证	4.5V～28V	10-TDFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	2V、4.25V	2A、4A	3纳秒、3纳秒
LM5100AMRX/NOPB	1.4500	询价	1	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SO电源板	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
MIC4225YM	2.7800	询价	第1789章	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4225	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-3551-5	EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒，15纳秒
IXDN504D1	-	询价	6441	IXYS	-	盒子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	IXDN504	非反相	未验证	4.5V～30V	6-DFN (4x5)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
IX2D11S7T/R	-	询价	5077	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IX2D11	-	未验证	-	14-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	-	-		-	-	-	-
IXDD409YI	-	询价	5243	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-6、D²Pak（5引脚+焊片）、TO-263BA	IXDD409	非反相	未验证	4.5V～35V	TO-263-5	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	9A, 9A	10纳秒，10纳秒
TC427EOA713	1.5900	询价	6142	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒
TC4428AVOA713-VAO	-	询价	8195	微芯片	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
ISL6613BIR	-	询价	9406	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	7V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IXDF404SI-16	-	询价	1736	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IXDF404	反相、同相	未验证	4.5V～35V	16-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	IXDF404SI-16-NDR	EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	16纳秒、13纳秒
TC4428EUA713	2.0000	询价	15	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
LM5112SD/NOPB	1.8100	询价	818	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	LM5112	反相、同相	未验证	3.5V～14V	6-WSON (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	3A、7A	14纳秒、12纳秒
IXDN602SI	2.6300	询价	3	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDN602	非反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	7.5纳秒、6.5纳秒
IRS2330JTRPBF	-	询价	3743	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	国税局2330	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
L6491D	3.0000	询价	2	意法半导体	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6491	非反相	未验证	10V～20V	14-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	497-15443-5	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.45V、2V	4A, 4A	15纳秒，15纳秒	600伏
IRS21281PBF	-	询价	4064	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局21281	反相	未验证	9V～20V	8-PDIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001534540	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	80纳秒、40纳秒	600伏

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²