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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
max17602asa+t	1.2450	RFQ	1119	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max17602	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	40ns，25ns
ISL6614CBZ-TR5238	-	RFQ	8033	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LT1162CSW ＃PBF	14.0900	RFQ	4478	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LT1162	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	32	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
DGD21844MS14-13	0.9734	RFQ	3509	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	DGD21844	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14件类型	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DGD21844MS14-13DI	Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.4a，1.8a	40NS，20NS	600 v
TC1413CPA	1.6600	RFQ	8863	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1413	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1413CPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	20N，20N
TC4428EUA713	2.0000	RFQ	15	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
1SD418F2-CM1200HC-66H	-	RFQ	3094	电源集成	Scale™-1	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	1SD418F2	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	100NS，100NS
2SB315B-FF800R12KE3	-	RFQ	7780	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
TC428EPA	2.0000	RFQ	22	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC428EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
DGD2108S8-13	-	RFQ	3137	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2108	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
MIC4426Y	1.4500	RFQ	197	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MIC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
UCC37321D	2.4300	RFQ	404	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37321	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
LTC444444IMS8E-5 ＃PBF	6.1800	RFQ	1	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
HIP2101IR4	-	RFQ	8216	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-VFDFN暴露垫	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	12-DFN （4x4）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
LTC7000EMSE-1 ＃PBF	7.7400	RFQ	4263	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118英寸，3.00mm宽度），12个铅，裸露的垫子，裸露的垫子	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	37	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
UCC27322PG4	-	RFQ	3304	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC27322	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
HIP2103FRTAAZ	2.7200	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	HIP2103	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜14V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.63V，2.06V	1a，1a	8NS，2NS	60 V
TC427EOA	1.5900	RFQ	1405	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC427EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
TC4451VAT	3.8200	RFQ	44	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	TC4451	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	13a，13a	30ns，32ns
LT1336IS ＃PBF	11.5300	RFQ	1	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	LT1336	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
TC4427VOA	1.7800	RFQ	5080	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4427VOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
TPS2814PWR	1.5400	RFQ	796	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS2814	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
TC4467COE	5.4900	RFQ	1659年	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
ICL7667CPA	-	RFQ	6661	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜17V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	-	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
max1614eua+	6.4900	RFQ	587	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	Max1614	不转变	未行业行业经验证	5v〜26V	8-umax/usop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX1614EUA+	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.6V，2V	-	-
IXDF604SIATR	1.0605	RFQ	4654	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDF604	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	4a，4a	9NS，8NS
MIC4428BM-TR	-	RFQ	2721	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
STSR30D	-	RFQ	6504	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STSR30	不转变	未行业行业经验证	4v〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	1.5a，1.5a	40n，40n
IRS21851STRPBF	-	RFQ	7655	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21851	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	15ns，15ns	600 v
TC1410NEPA	1.9400	RFQ	9858	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1410	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1410NEPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	25n，25n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²