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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
TC1412EUA	1.4900	RFQ	7734	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1412	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1412EUA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	18N，18NS
UC3707DWTR	7.7800	RFQ	162	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n
IR2184	-	RFQ	3094	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2184	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2184	Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
IR21271STRPBF	3.0800	RFQ	25	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR21271	不转变	未行业行业经验证	9v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IR2135STRPBF	7.5009	RFQ	7015	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2135	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
HIP2100IRZ	2.7221	RFQ	5784	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	16 QFN（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	960	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v
LTC1177CSW-12	-	RFQ	9306	模拟设备公司	-	大部分	过时的		表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LTC1177C	不转变	未行业行业经验证	11.4v〜12.6v	28-Soic	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	27		高方向	1
MCP14700T-E/SN	2.1000	RFQ	12	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14700	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	10n，10n	36 V
ISL6614ACRZ	-	RFQ	6439	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
auxdi2117str	-	RFQ	3376	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				AUXDI2117		未行业行业经验证			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001511488	过时的	0000.00.0000	2,500
IR2308SPBF	1.0185	RFQ	5550	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2308	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,800	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
LTC1177CSW-5	-	RFQ	9765	模拟设备公司	-	大部分	过时的		表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LTC1177C	不转变	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	28-SDIP	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	27		高方向	1
MIC4467ZN	5.3200	RFQ	208	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MIC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
IXDI609SIA	2.1300	RFQ	5	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDI609	反转	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	9a，9a	22ns，15ns
FAN5009MX	0.3400	RFQ	125	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan5009	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜13.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	-	40NS，20NS	15 v
L6491d	3.0000	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6491	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-15443-5	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.45V，2V	4a，4a	15ns，15ns	600 v
MIC4426YM-TR	1.4500	RFQ	1767年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
L6386	-	RFQ	7797	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	L6386	反转	未行业行业经验证	（17V））	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
ADP3417JR-REEL7	-	RFQ	4092	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3417					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
EL7155CN	-	RFQ	2430	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7155	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-pdip	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
max4420epa	-	RFQ	3217	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
FAN7393MX	-	RFQ	7563	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	Fan7393	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14分	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	2.5a，2.5a	40NS，20NS	600 v
UCC27221PWP	-	RFQ	6148	Texas Instruments	-	管子	过时的	-55°C 〜115°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	UCC27221	反转	未行业行业经验证	3.7V〜20V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2.6V	4a，4a	17ns，17ns
MAQ4124ME-VAO	1.4000	RFQ	22	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	条	积极的	-40°C〜125°C（TJ）			MAQ4124	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V		下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	11n，11ns
MCP1407T-E/SN	1.3700	RFQ	17	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP1407	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
ISL6596CRZ-T	2.3500	RFQ	4	Intersil	-	大部分	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6596	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
IR21834STRPBF	4.0400	RFQ	16	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21834	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
IXDD609SIA	2.0700	RFQ	25	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDD609	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CLA358	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	9a，9a	22ns，15ns
MIC4452CT	-	RFQ	9617	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	TO-220-5	MIC4452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	12a，12a	20N，24NS
UCC27531QDBVRQ1	1.5400	RFQ	4856	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UCC27531	不转变	未行业行业经验证	10v〜32v	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.2V	2.5a，5a	15ns，7ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²