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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
LTC444444IMS8E-5 ＃PBF	6.1800	RFQ	1	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
HIP6602BCRZA	-	RFQ	1680年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP6602	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
LTC7000EMSE-1 ＃PBF	7.7400	RFQ	4263	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118英寸，3.00mm宽度），12个铅，裸露的垫子，裸露的垫子	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	37	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
MIC4100YM	2.5000	RFQ	124	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4100	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1183	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	2a，2a	400NS，400NS	118 v
FAN7171MX-F085P	-	RFQ	7937	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7171	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	25ns，15ns	600 v
LTC4440EMS8E ＃PBF	5.9800	RFQ	3	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4440	不转变	未行业行业经验证	8v〜15v	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.3V，1.6V	2.4a，2.4a	10n，7ns	80 V
UC2714D	2.8275	RFQ	2261	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UC2714	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
TC1412EPA	1.6600	RFQ	5722	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1412	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	18N，18NS
tps2832d	2.3673	RFQ	6528	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2832	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.7a，2.4a	50n，50n	28 V
EL7155CS-T13	-	RFQ	3219	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7155	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
UCC37323DGN	1.4900	RFQ	8575	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC37323	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
LM5134BMF/NOPB	2.1500	RFQ	563	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	LM5134	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜12.6V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，7.6a	3n，2ns
2SB315B-FF800R12KE3	-	RFQ	7780	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
MIC5013YN	7.4300	RFQ	54	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC5013	不转变	未行业行业经验证	7v〜32v	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1232	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	2V，4.5V	-	-
IR2011	-	RFQ	6318	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2011	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2011	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.7V，2.2V	1a，1a	35NS，20NS	200 v
LM5102SD/NOPB	3.5100	RFQ	153	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5102	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
1SD418F2-CM1200HC-66H	-	RFQ	3094	电源集成	Scale™-1	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	1SD418F2	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	100NS，100NS
RT9624BZSP	-	RFQ	7350	Richtek USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RT9624	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-SOP-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，3.2V	-	25ns，12ns	15 v
ISL6614CBZ-TR5238	-	RFQ	8033	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
FAN7389MX	1.4700	RFQ	455	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Fan7389	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	24分	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v
62EM1-00001	291.9000	RFQ	55	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	62EM1	不转变	经过验证	14V〜16V	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-62EM1-00001	Ear99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，1.25V，10V，3.5V	20a，20a	80ns，90ns
FAN3226TMX-F085	2.9600	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3226	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	12ns，9ns
HIP2101IRZ	2.7221	RFQ	6868	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	16 QFN（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1200	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
TPS2819DBVRG4	-	RFQ	6979	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	TPS2819	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，14ns
UCC37321D	2.4300	RFQ	404	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37321	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
IRS2111SPBF	-	RFQ	4576	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2111	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,800	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	8.3V，12.6V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
LT1162CSW ＃PBF	14.0900	RFQ	4478	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LT1162	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	32	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
TC428EPA	2.0000	RFQ	22	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC428EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
ISL89165FRTBZ-T	2.9559	RFQ	5011	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89165	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.85V，3.15V	6a，6a	20N，20N
UCC37322D	1.5600	RFQ	2	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37322	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²