感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
ISL6615AIRZ-T	-	询价	第2172章	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6615	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2.5A、4A	13纳秒、10纳秒	36V
TC4469EOE713	4.1600	询价	4778	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	TC4469	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	15纳秒，15纳秒
IR2130STR	-	询价	1370	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR2130	反相	未验证	10V～20V	28-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
MIC4429YM-TR	2.0600	询价	1212	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
1SP0335V2M1C-FZ750R65KE3	271.3117	询价	8784	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SP0335	-	未验证	23.5V～26.5V	模块	-		1（无限制）		1810-1SP0335V2M1C-FZ750R65KE3	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	6500伏
ADP3417JR-REEL7	0.3400	询价	1	模拟器件公司	ADP3417	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3417	反相、同相	未验证	4.15V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	高侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	-	-
V62/07624-02YE	8.6220	询价	9881	Texas Instruments	*	卷带式 (TR)	的积极									-	符合ROHS3标准			296-V62/07624-02YETR			2,500人
SC1301BISKTRT	-	询价	8930	森泰克公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	SC1301	反相	未验证	4.5V～16.5V	SOT-23-5	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	20纳秒, 20纳秒
NCP81074AMNTBG	2.0000	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	NCP81074	反相、同相	未验证	4.5V～20V	8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.5V、1.9V	10A、10A	4纳秒、4纳秒
MIC4422YM	2.6100	询价	8855	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
ISL6620CRZ	-	询价	3223	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6620	非反相	未验证	4.5V～5.5V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL6620CRZ	EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
LM5114BMF/S7003094	1.7300	询价	205	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	LM5114	反相、同相	未验证	4V～12.6V	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.3A、7.6A	82纳秒、12.5纳秒
RAA229621GNP#HA0	3.7905	询价	1340	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极									-	符合ROHS3标准	3（168小时）		20-RAA229621GNP#HA0TR			1
IXZ631DF12N100	-	询价	6188	IXYS-RF	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	10-SMD，写入	IXZ631	非反相	未验证	8V~18V	10-SMD	-		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	20	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、3.5V	72A, 72A	2.4纳秒、1.55纳秒	1000伏
DGD2184S8-13	0.7066	询价	2447	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DGD2184	非反相	未验证	10V～20V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
ADP3416JR-卷轴	0.3400	询价	155	模拟器件公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3416	非反相	未验证	4.15V～7.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	高侧和低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	-	-
ZXGD3005E6TA	0.5900	询价	41	分散公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	ZXGD3005	非反相	未验证	25V（最大）	SOT-26	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	-	10A、10A	48纳秒、35纳秒
2EDL23I06PJXUMA1	3.3100	询价	11	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2EDL23	非反相	未验证	10V～25V	PG-DSO-14	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT	1.1V、1.7V	2.3A、2.3A	48纳秒、37纳秒	600伏
TC4428VUA	2.1300	询价	第237章	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428VUA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
MCP14E4T-E/SN	2.4500	询价	1	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14E4	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒、18纳秒
LTC4444HMS8E-5#TRPBF	3.6450	询价	7517	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4444	非反相	未验证	4.5V～13.5V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.25V	2.5A、3A	8纳秒、5纳秒	114V
ISL89165FRTBZ-T	2.9559	询价	5011	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89165	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
ISL6207CB	-	询价	9686	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6207	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
风扇73933MX	1.1956	询价	7093	onsemi	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇73933	非反相	未验证	10V～20V	14-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	2.5A、2.5A	40纳秒、20纳秒	600伏
HIP6604BCR-T	0.8700	询价	5	Intersil	-	大部分	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	HIP6604	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
DRV8304HRHAR	2.7300	询价	4937	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	40-VFQFN 裸露焊盘	DRV8304	非反相	未验证	6V~38V	40-VQFN (6x6)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	土耳其	高侧或低侧	3	N沟道MOSFET	0.8V、1.5V	150毫安、300毫安	300纳秒、150纳秒
LM5101ASD	8.0100	询价	2029年	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
LT1160IN#PBF	7.5472	询价	2467	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	LT1160	非反相	未验证	10V~15V	14-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	130纳秒、60纳秒	60V
IRS2817DSTRPBF	2.2200	询价	8947	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2817	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧和低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
2SC0108T2G0-17	53.1800	询价	109	电源集成	规模™-2+	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	模块	2SC0108	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1810-1023	EAR99	8473.30.1180	30	独立的	高侧或低侧	2	IGBT	-	8A, 8A	17纳秒、15纳秒	1700伏

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²