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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FAN5009MX | 0.3400 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan5009 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜13.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.5V | - | 40NS,20NS | 15 v | ||||
![]() | LM5100SD/NOPB | - | ![]() | 3082 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | LM5100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 10-wson(4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 3V,8V | 1.6a,1.6a | 600NS,600NS | 118 v | ||
![]() | UCC27322QDRQ1 | 1.5300 | ![]() | 3800 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27322 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 1.1V,2.7V | 9a,9a | 20N,20N | |||
![]() | HIP2100IRZ | 2.7221 | ![]() | 5784 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | HIP2100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 16 QFN(5x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 960 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 4V,7V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v | ||
![]() | LTC1177CSW-5 | - | ![]() | 9765 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | LTC1177C | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.75V〜5.25V | 28-SDIP | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 27 | 高方向 | 1 | |||||||||||
![]() | IR2085S | - | ![]() | 7533 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2085 | RC输入电路 | 未行业行业经验证 | 10v〜15V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IR2085S | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1a,1a | 40NS,20NS | 100 v | |
![]() | FAN73894MX | 3.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | Fan73894 | 反转 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 350mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | ||
![]() | ISL6596CRZ-T | 2.3500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6596 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 10-DFN (3x3) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | |||||
![]() | IXDN504D1 | - | ![]() | 6441 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | IXDN504 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 4a,4a | 9NS,8NS | ||||
![]() | IR21834STRPBF | 4.0400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | IR21834 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | ||
![]() | MIC5015BM | - | ![]() | 6814 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC5015 | 反转 | 未行业行业经验证 | 2.75V〜30V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | - | |||
TPS2819DBVRG4 | - | ![]() | 6979 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | TPS2819 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 1V,4V | 2a,2a | 14ns,14ns | ||||
![]() | IXDI414SI | - | ![]() | 3405 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | IXDI414 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 14-Soic | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 14a,14a | 22ns,20ns | ||||
max4420csa | - | ![]() | 7032 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max4420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 25n,25n | ||||
![]() | ADP3417JR-REEL7 | - | ![]() | 4092 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ADP3417 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||
TPS2828DBVR | 1.5700 | ![]() | 1697年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | TPS2828 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 1V,4V | 2a,2a | 14ns,14ns | ||||
TC1427EPAG | - | ![]() | 8446 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TC1427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,3V | 1.2a,1.2a | 35ns,25n | ||||
![]() | L6386 | - | ![]() | 7797 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | L6386 | 反转 | 未行业行业经验证 | (17V)) | 14浸 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.5V,3.6V | 400mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | ||
![]() | TC428EOA | 1.9000 | ![]() | 1977年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC428 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC428EOA-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 30ns,30ns | ||
![]() | ixde504siat/r | - | ![]() | 5943 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDE504 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 4a,4a | 9NS,8NS | ||||
![]() | TC4422AVMF713 | 2.3100 | ![]() | 6229 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 10a,10a | 38ns,33ns | |||
![]() | 2SP0320T2A0C-XXXX(2)(3)(3)(4) | 239.4533 | ![]() | 4395 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 积极的 | - | 596-2SP0320T2A0C-XXXX (2(3)(3)(4) | 3 | ||||||||||||||||||||||
![]() | EL7212CS-T13 | - | ![]() | 4474 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | EL7212 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 7.5NS,10NS | |||
![]() | TC4467EJD | - | ![]() | 2575 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | TC4467 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 14-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4467EJD-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 29 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.2a,1.2a | 15ns,15ns | ||
TC1412NEPA | 1.6600 | ![]() | 5283 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TC1412 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC1412NEPA-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,2a | 18N,18NS | |||
![]() | SI9976DY-E3 | - | ![]() | 5393 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | SI9976 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5v〜16.5V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 550 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,4V | 500mA,500mA | 110NS,50NS | 40 V | ||
![]() | UCC27221PWP | - | ![]() | 6148 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜115°C(TJ) | 表面安装 | 14-POWERTSOP (0.173英寸,4.40mm((4.40mm)) | UCC27221 | 反转 | 未行业行业经验证 | 3.7V〜20V | 14-htssop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2.6V | 4a,4a | 17ns,17ns | |||
![]() | LTC1255IS8#trpbf | 7.5000 | ![]() | 6043 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LTC1255 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜24V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方向 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | - | |||
![]() | TC4429IJA | 30。2000年 | ![]() | 5689 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -25°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | TC4429 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4429IJA-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 25n,25n | ||
![]() | MCP1407T-E/SN | 1.3700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP1407 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 20N,20N |
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