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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
MCP14E5T-E/SL	-	RFQ	9332	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MCP14E5	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,600	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS
max4427csa	-	RFQ	7629	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
ISL6605CBZA	1.7100	RFQ	6	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
MCP1402T-E/OT	0.8300	RFQ	113	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	MCP1402	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	500mA，500mA	19ns，15ns
NCV57080CDR2G	2.8100	RFQ	2858	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCV57080	反转，无变形	未行业行业经验证	20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NCV57080CDR2GTR	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	半桥	1	IGBT	6V，14V	8a，8a	13ns，13ns
HIP6602BCB	-	RFQ	4926	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	HIP6602	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
IR2010SPBF	4.6000	RFQ	2182	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2010	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	3a，3a	10n，15ns	200 v
5962-8766001pa	-	RFQ	4529	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-55°C〜125°C	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	5962-8766001	反转	未行业行业经验证	4.5V〜17V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
2EDL8112GXUMA1	1.0675	RFQ	3185	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	2EDL8112	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	PG-VDSON-8-4	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	5a，6a	-	120 v
IR2128pbf	2.7249	RFQ	6836	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2128	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方面或低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IR21381QPBF	-	RFQ	4307	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	64-BQFP	IR21381	反转，无变形	未行业行业经验证	12.5v〜20V	64-mqfp （20x14）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	660	3相	半桥	6	IGBT	0.8V，2V	350mA，540mA	80n，25ns	600 v
MIC4421ZT	3.9500	RFQ	121	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
UCC27524ADR	1.3400	RFQ	6	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
MCP1407T-E/MF	1.5200	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP1407	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
NJW4832KH1-B-TE3	0.6798	RFQ	4247	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	6-xfdfn暴露垫	NJW4832	不转变	未行业行业经验证	4.6V〜40V	6-DFN（1.6x1.6）	下载					Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	P通道MOSFET	0.9V，2.64V	-	10µs，10µs
IXZ631DF18N50	-	RFQ	1327	ixys-rf	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-SMD，平坦的铅	IXZ631	不转变	未行业行业经验证	8v〜18V	10-SMD	-		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	20	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3.5V	95a，95a	3.4NS，1.65NS	500 v
ISL2100AAR3Z-T	2.4716	RFQ	1508	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	9-VFDFN暴露垫	ISL2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	9-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3.7V，7.4V	2a，2a	10n，10n	114 v
IRS2004STRPBF	1.6500	RFQ	12	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2004	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
MCP1415T-E/MC	-	RFQ	5955	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	MCP1415	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
LM5104M	3.3637	RFQ	3656	Texas Instruments	-	管子	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5104	反转，无变形	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
ISL66222BZ-T	-	RFQ	2069	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LM5111-1M/NOPB	2.9000	RFQ	10	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5111	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
IR2104STRPBF	2.7900	RFQ	36	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
IR2235STRPBF	10.4400	RFQ	5366	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2235	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
IXDN409YI	-	RFQ	6816	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDN409	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	TO-263-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	9a，9a	10n，10n
MCZ33883EGR2	-	RFQ	1442	自由度半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	MCZ33883	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜55V	20-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	-
UP1966E	3.6000	RFQ	131	EPC	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-UFBGA，WLCSP	UP1966	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	12-wlcsp-b （1.6x1.6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	增强模式甘发	0.5V，2.3V	7.1a，12.5a	8NS，4NS	85 v
IR2125STR	-	RFQ	1169	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2125	不转变	未行业行业经验证	0v〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，3.3a	43ns，26ns	500 v
IR2130JPBF	7.9000	RFQ	1	国际整流器	*	大部分	积极的				IR2130					下载					Ear99	8542.39.0001	38									未行业行业经验证
IRS2005STRPBF	1.3800	RFQ	31	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2005	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70NS，30NS	200 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²