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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRS2128STRPBF | - | ![]() | 2641 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局2128 | 反相 | 未验证 | 12V~20V | 8-SOIC | 下载 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 80纳秒、40纳秒 | 600伏 | ||||
![]() | 风扇7361M | - | ![]() | 5973 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇7361 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 8,100 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 1V、3.6V | 250毫安、500毫安 | 70纳秒、30纳秒 | 600伏 | ||||
| 2EDS8165HXUMA1 | - | ![]() | 1965年 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EiceDriver™ | 卷带式 (TR) | SIC停产 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 2EDS8165 | 非反相 | 未验证 | 20V | PG-DSO-16-30 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | -,1.65V | 1A、2A | 6.5纳秒、4.5纳秒 | |||||
![]() | 风扇7380MX | - | ![]() | 4024 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇7380 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 90毫安、180毫安 | 230纳秒、90纳秒 | 600伏 | ||||||
![]() | MIC4417BM4 TR | - | ![]() | 8845 | 0.00000000 | 微芯片 | 伊蒂比蒂® | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | TO-253-4、TO-253AA | 麦克风4417 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | SOT-143 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.2A、1.2A | 14纳秒、16纳秒 | ||||
![]() | UCC27325D | 1.4900 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC27325 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~15V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 75 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 1V、2V | 4A, 4A | 20纳秒、15纳秒 | ||||
![]() | MCP14A0455-E/MS | 1.2900 | ![]() | 3424 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | MCP14A0455 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-MSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT | 0.8V、2V | 4.5A、4.5A | 12纳秒, 12纳秒 | ||||
![]() | ADP3633ACPZ-RL | - | ![]() | 5614 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 表面贴装 | - | ADP3633 | - | 未验证 | - | 8-LFCSP | - | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | - | - | |||||||
| MAX17605ASA+T | - | ![]() | 9423 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MAX17605 | 反相、同相 | 未验证 | 4V~14V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、碳化硅MOSFET | 2V、4.25V | 4A, 4A | 40纳秒、25纳秒 | |||||
![]() | 风扇73896MX | 3.1200 | ![]() | 第962章 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 风扇73896 | 非反相 | 未验证 | 12V~20V | 28-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 350毫安、650毫安 | 50纳秒、30纳秒 | 600伏 | |||
![]() | LM2722MX | - | ![]() | 1701 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LM2722 | 非反相 | 未验证 | 4V~7V | 8-SOIC | - | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 3A、3.2A | 17纳秒、12纳秒 | |||||
![]() | DGD2106MS8-13 | 1.8200 | ![]() | 8319 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | DGD2106 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.6V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 100纳秒、35纳秒 | 600伏 | ||||
![]() | UCC27523DGN | 1.5400 | ![]() | 第393章 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 | UCC27523 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-HVSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 80 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 1V、2.3V | 5A、5A | 7纳秒、6纳秒 | ||||
![]() | 2SB315B-FF800R17KF6 | - | ![]() | 3468 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-1 | 盒子 | 过时的 | - | 安装结构 | 模块 | 2SB315 | - | 未验证 | 0V~16V | 模块 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8473.30.1180 | 2 | 单身的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | - | - | - | ||||||
![]() | TC4428EMF713 | 1.0950 | ![]() | 6610 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | TC4428 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-DFN-S (6x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | TC4428EMF713-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.5A、1.5A | 19纳秒, 19纳秒 | |||
![]() | 1SD210F2-5SNA0600G650100_OPT1 | - | ![]() | 2383 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 托盘 | 过时的 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | 1SD210F2 | - | 未验证 | 15.5V~16.8V | 模块 | - | 1(无限制) | 1810-1SD210F2-5SNA0600G650100_OPT1 | 过时的 | 20 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | 6A、10A | 100纳秒、100纳秒 | 1200伏 | |||||
![]() | EB01-FS450R12KE3 | - | ![]() | 8102 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-1 | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | EB01-FS450 | - | 未验证 | - | 模块 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8473.30.1180 | 1 | - | - | IGBT | - | - | - | 800V | ||||||
![]() | L6386ED013TR | 1.9000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | L6386 | 反相 | 未验证 | 17V(最大) | 14-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 497-6216-2 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 1.5V、3.6V | 400毫安、650毫安 | 50纳秒、30纳秒 | 600伏 | ||
![]() | UCC27201DDA | 2.8300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 8-PowerSOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC27201 | 非反相 | 未验证 | 8V~17V | 8-SO电源板 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 75 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 3A、3A | 8纳秒、7纳秒 | 120V | |||
![]() | DRV8304SRHAR | 3.6700 | ![]() | 5780 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 40-VFQFN 裸露焊盘 | DRV8304 | 非反相 | 未验证 | 6V~38V | 40-VQFN (6x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 土耳其 | 高侧或低侧 | 3 | N沟道MOSFET | 0.8V、1.5V | 150毫安、300毫安 | 300纳秒、150纳秒 | ||||
![]() | TC4627EOE713 | 5.0100 | ![]() | 6398 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TC4627 | 非反相 | 未验证 | 4V~6V | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | TC4627EOE713-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.5A、1.5A | 33纳秒、27纳秒 | |||
![]() | 风扇3225CMX | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇3225 | 反相、同相 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 5A、5A | 12纳秒、9纳秒 | 未验证 | |||||||
![]() | 2ED1323S12PXUMA1 | 5.8200 | ![]() | 1266 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 20-BSSOP(0.295英寸,7.50毫米宽) | 非反相 | 13V~25V | PG-DSO-20-U03 | - | 3(168小时) | 1,000 | 同步化 | 半桥 | 1 | IGBT | 2.3A、2.3A | 1200伏 | |||||||||||
| IXDD630CI | 9.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-5 | IXDD630 | 非反相 | 未验证 | 12.5V~35V | TO-220-5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3.5V | 30A、30A | 11纳秒, 11纳秒 | |||||
![]() | TC4422AVAT | 3.3900 | ![]() | 第537章 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-5 | TC4422 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | TO-220-5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 10A、10A | 38纳秒、33纳秒 | ||||
![]() | LM5100AMRX/NOPB | 1.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国家安全委员会 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerSOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LM5100 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 8-SO电源板 | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 2.3V,- | 3A、3A | 430纳秒、260纳秒 | 118V | ||||||
![]() | MIC4225YM | 2.7800 | ![]() | 第1789章 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 麦克风4225 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 576-3551-5 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 4A, 4A | 15纳秒,15纳秒 | |||
![]() | IXDN504D1 | - | ![]() | 6441 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-VDFN 裸露焊盘 | IXDN504 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3V | 4A, 4A | 9纳秒、8纳秒 | |||||
![]() | IX2D11S7T/R | - | ![]() | 5077 | 0.00000000 | IXYS | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IX2D11 | - | 未验证 | - | 14-SOIC | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | - | - | - | - | - | - | ||||||
| IXDD409YI | - | ![]() | 5243 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-6、D²Pak(5引脚+接片)、TO-263BA | IXDD409 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~35V | TO-263-5 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3.5V | 9A, 9A | 10纳秒,10纳秒 |

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