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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRS2005STRPBF | 1.3800 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局2005 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 70纳秒、30纳秒 | 200V | ||
![]() | IRS21851STRPBF | - | ![]() | 7655 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局21851 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 4A, 4A | 15纳秒,15纳秒 | 600伏 | |||
![]() | MIC4606-1YML-T5 | - | ![]() | 7350 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 切带 (CT) | SIC停产 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 16-VQFN 裸露焊盘 | 麦克风4606 | 非反相 | 未验证 | 5.25V~16V | 16-QFN (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | 独立的 | 全桥 | 4 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 1A、1A | 20纳秒, 20纳秒 | 108V | ||
| 2EDN7523GXTMA1 | 0.6683 | ![]() | 9885 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EiceDriver™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | 2EDN7523 | 反相 | 未验证 | 4.5V~20V | PG-WSON-8-1 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 5A、5A | 5.3纳秒、4.5纳秒 | ||||
| TCK423G,L3F | 0.8500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 6-XFBGA、WLCSP | TCK423 | 非反相 | 未验证 | 2.7V~28V | 6-WCSPG (0.8x1.2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.4V、1.2V | - | - | |||||
| MAX4420ESA+T | 3.2100 | ![]() | 3831 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MAX4420 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 6A, 6A | 25纳秒, 25纳秒 | ||||
![]() | IXDF602D2TR | 0.7468 | ![]() | 7649 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | IXDF602 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~35V | 8-DFN-EP (5x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3V | 2A, 2A | 7.5纳秒、6.5纳秒 | |||
![]() | ISL2100AAR3Z-T | 2.4716 | ![]() | 1508 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 9-VFDFN 裸露焊盘 | ISL2100 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 9-DFN-EP (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 3.7V、7.4V | 2A, 2A | 10纳秒,10纳秒 | 114V | ||
![]() | IR21368SPBF | 3.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | IR21368 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 28-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 200毫安、350毫安 | 125纳秒、50纳秒 | 600伏 | ||
![]() | FAN3217TMX-F085 | 3.0200 | ![]() | 第1476章 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇3217 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 3A、3A | 12纳秒、9纳秒 | |||
![]() | LM5060QDGSRDN | - | ![]() | 5181 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 10-TFSOP、10-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | 非反相 | 5.5V~65V | 10-VSSOP | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 296-LM5060QDGSRDN | 1 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | - | |||||||
![]() | 1EDN8550BXTSA1 | 1.0700 | ![]() | 6742 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EiceDriver™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | SOT-23-6 | 1EDN8550 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~20V | PG-SOT23-6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | - | 4A、8A | 6.5纳秒、4.5纳秒 | 84V | ||
![]() | UCC27201ADRCT | 3.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 10-VFDFN 裸露焊盘,9 引脚 | UCC27201 | 非反相 | 未验证 | 8V~17V | 9-VSON (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 3A、3A | 8纳秒、7纳秒 | 120V | ||
![]() | IXDF502SIAT/R | - | ![]() | 4259 | 0.00000000 | IXYS | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IXDF502 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~30V | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3V | 2A, 2A | 7.5纳秒、6.5纳秒 | ||||
![]() | LM5111-3M/NOPB | - | ![]() | 5027 | 0.00000000 | 国家安全委员会 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 反相、同相 | 3.5V~14V | 8-SOIC | - | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2156-LM5111-3M/NOPB-14 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 3A、5A | 14纳秒、12纳秒 | |||||||
| LTC7003IMSE#TRPBF | 7.9200 | ![]() | 6635 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 16-TFSOP(0.118",3.00mm宽)裸露焊盘 | LTC7003 | 非反相 | 未验证 | 3.5V~15V | 16-MSOP-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | - | - | 90纳秒、40纳秒 | 60V | |||
![]() | EB01-FS150R17KE3G | - | ![]() | 6594 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-1 | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | EB01-FS150 | - | 未验证 | - | 模块 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8473.30.1180 | 1 | - | - | IGBT | - | - | - | 1200伏 | |||||
![]() | MIC4451ZT | 3.7200 | ![]() | 64 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | TO-220-5 | 麦克风4451 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | TO-220-5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 12A, 12A | 20纳秒、24纳秒 | |||
![]() | ISL6610CRZ | - | ![]() | 8123 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 16-VQFN 裸露焊盘 | ISL6610 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 16-QFN (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步化 | 半桥 | 4 | N沟道MOSFET | - | -, 4A | 8纳秒,8纳秒 | 36V | ||
![]() | IR4427SPBF | 2.5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IR4427 | 非反相 | 未验证 | 6V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.7V | 2.3A、3.3A | 15纳秒、10纳秒 | |||
![]() | IR2131JTR | - | ![]() | 5655 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 44-LCC(J 引脚),32 引脚 | IR2131 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 44-PLCC,32端口 (16.58x16.58) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | 独立的 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 250毫安、500毫安 | 80纳秒、40纳秒 | 600伏 | ||
![]() | 风扇7382M1 | - | ![]() | 5709 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇7382 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 14-SOP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 54 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 350毫安、650毫安 | 60纳秒、30纳秒 | 600伏 | |||
![]() | AUIRS2110S | - | ![]() | 6793 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | AUIRS2110 | 非反相 | 未验证 | 3V~20V | 16-SOIC | 下载 | 3(168小时) | REACH 不出行 | SP001511402 | EAR99 | 8542.39.0001 | 45 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 6V、9.5V | 2.5A、2.5A | 25纳秒、15纳秒 | 500V | ||
![]() | R2J20655NP#G0 | 4.4400 | ![]() | 95 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | R2J20655 | 未验证 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | ||||||||||||||||
![]() | FAN7171MX-F085P | - | ![]() | 7937 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇7171 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 4A, 4A | 25纳秒、15纳秒 | 600伏 | ||
![]() | TC4426MJA | 40.9000 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~125℃(TA) | 通孔 | 8-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) | TC4426 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-CERDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.5A、1.5A | 19纳秒, 19纳秒 | |||
![]() | L6741 | - | ![]() | 5890 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 管子 | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | L6741 | 非反相 | 未验证 | 5V~12V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1V、2.3V | 2A, 2A | - | 41V | ||
![]() | IR21271S | - | ![]() | 3950 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IR21271 | 非反相 | 未验证 | 9V~20V | 8-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | *IR21271S | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、3V | 250毫安、500毫安 | 80纳秒、40纳秒 | 600伏 | |
![]() | NCP81258MNTBG | 0.4800 | ![]() | 5153 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-VFDFN 裸露焊盘 | NCP81258 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~13.2V | 8-DFN (2x2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.7V、3.4V | - | 16纳秒、11纳秒 | 35V | ||
![]() | MD1822K6-G | 1.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 16-VFQFN 裸露焊盘 | MD1822 | 反相、同相 | 未验证 | 5V~10V | 16-QFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 半桥 | 4 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.3V、1.7V | 2A, 2A | 7纳秒,7纳秒 |

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