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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举)
IRS2005STRPBF Infineon Technologies IRS2005STRPBF 1.3800
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ECAD 31 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局2005 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 70纳秒、30纳秒 200V
IRS21851STRPBF Infineon Technologies IRS21851STRPBF -
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ECAD 7655 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局21851 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 15纳秒,15纳秒 600伏
MIC4606-1YML-T5 Microchip Technology MIC4606-1YML-T5 -
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ECAD 7350 0.00000000 微芯片 - 切带 (CT) SIC停产 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 麦克风4606 非反相 未验证 5.25V~16V 16-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 独立的 全桥 4 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 1A、1A 20纳秒, 20纳秒 108V
2EDN7523GXTMA1 Infineon Technologies 2EDN7523GXTMA1 0.6683
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ECAD 9885 0.00000000 英飞凌科技 EiceDriver™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 2EDN7523 反相 未验证 4.5V~20V PG-WSON-8-1 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 4,000 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET - 5A、5A 5.3纳秒、4.5纳秒
TCK423G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK423G,L3F 0.8500
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCK423 非反相 未验证 2.7V~28V 6-WCSPG (0.8x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.4V、1.2V - -
MAX4420ESA+T ADI/Maxim Integrated MAX4420ESA+T 3.2100
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ECAD 3831 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MAX4420 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 6A, 6A 25纳秒, 25纳秒
IXDF602D2TR IXYS Integrated Circuits Division IXDF602D2TR 0.7468
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ECAD 7649 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 IXDF602 反相、同相 未验证 4.5V~35V 8-DFN-EP (5x4) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 2A, 2A 7.5纳秒、6.5纳秒
ISL2100AAR3Z-T Renesas Electronics America Inc ISL2100AAR3Z-T 2.4716
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ECAD 1508 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 9-VFDFN 裸露焊盘 ISL2100 非反相 未验证 9V~14V 9-DFN-EP (3x3) 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 3.7V、7.4V 2A, 2A 10纳秒,10纳秒 114V
IR21368SPBF International Rectifier IR21368SPBF 3.7900
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ECAD 1 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) IR21368 反相 未验证 10V~20V 28-SOIC 下载 不适用 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 200毫安、350毫安 125纳秒、50纳秒 600伏
FAN3217TMX-F085 onsemi FAN3217TMX-F085 3.0200
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ECAD 第1476章 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇3217 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 3A、3A 12纳秒、9纳秒
LM5060QDGSRDN Texas Instruments LM5060QDGSRDN -
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ECAD 5181 0.00000000 Texas Instruments 汽车,AEC-Q100 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 10-TFSOP、10-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) 非反相 5.5V~65V 10-VSSOP - 符合ROHS3标准 1(无限制) 296-LM5060QDGSRDN 1 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、2V - -
1EDN8550BXTSA1 Infineon Technologies 1EDN8550BXTSA1 1.0700
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ECAD 6742 0.00000000 英飞凌科技 EiceDriver™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOT-23-6 1EDN8550 非反相 未验证 4.5V~20V PG-SOT23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 高侧 1 N沟道、P沟道MOSFET - 4A、8A 6.5纳秒、4.5纳秒 84V
UCC27201ADRCT Texas Instruments UCC27201ADRCT 3.1200
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ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘,9 引脚 UCC27201 非反相 未验证 8V~17V 9-VSON (3x3) 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 3A、3A 8纳秒、7纳秒 120V
IXDF502SIAT/R IXYS IXDF502SIAT/R -
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ECAD 4259 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXDF502 反相、同相 未验证 4.5V~30V 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 2A, 2A 7.5纳秒、6.5纳秒
LM5111-3M/NOPB National Semiconductor LM5111-3M/NOPB -
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ECAD 5027 0.00000000 国家安全委员会 汽车,AEC-Q100 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 反相、同相 3.5V~14V 8-SOIC - 不符合RoHS标准 供应商未定义 2156-LM5111-3M/NOPB-14 1 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 3A、5A 14纳秒、12纳秒
LTC7003IMSE#TRPBF ADI LTC7003IMSE#TRPBF 7.9200
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ECAD 6635 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 16-TFSOP(0.118",3.00mm宽)裸露焊盘 LTC7003 非反相 未验证 3.5V~15V 16-MSOP-EP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET - - 90纳秒、40纳秒 60V
EB01-FS150R17KE3G Power Integrations EB01-FS150R17KE3G -
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ECAD 6594 0.00000000 电源集成 规模™-1 大部分 过时的 -40℃~85℃ 安装结构 模块 EB01-FS150 - 未验证 - 模块 下载 1(无限制) EAR99 8473.30.1180 1 - - IGBT - - - 1200伏
MIC4451ZT Microchip Technology MIC4451ZT 3.7200
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ECAD 64 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃~70℃(TA) 通孔 TO-220-5 麦克风4451 反相 未验证 4.5V~18V TO-220-5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.4V 12A, 12A 20纳秒、24纳秒
ISL6610CRZ Renesas Electronics America Inc ISL6610CRZ -
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ECAD 8123 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 ISL6610 非反相 未验证 4.5V~5.5V 16-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 75 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - -, 4A 8纳秒,8纳秒 36V
IR4427SPBF Infineon Technologies IR4427SPBF 2.5700
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ECAD 2 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IR4427 非反相 未验证 6V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.7V 2.3A、3.3A 15纳秒、10纳秒
IR2131JTR Infineon Technologies IR2131JTR -
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ECAD 5655 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 44-LCC(J 引脚),32 引脚 IR2131 反相 未验证 10V~20V 44-PLCC,32端口 (16.58x16.58) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 250毫安、500毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
FAN7382M1 onsemi 风扇7382M1 -
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ECAD 5709 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7382 非反相 未验证 10V~20V 14-SOP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 54 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 350毫安、650毫安 60纳秒、30纳秒 600伏
AUIRS2110S Infineon Technologies AUIRS2110S -
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ECAD 6793 0.00000000 英飞凌科技 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) AUIRS2110 非反相 未验证 3V~20V 16-SOIC 下载 3(168小时) REACH 不出行 SP001511402 EAR99 8542.39.0001 45 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 2.5A、2.5A 25纳秒、15纳秒 500V
R2J20655NP#G0 Renesas Electronics America Inc R2J20655NP#G0 4.4400
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ECAD 95 0.00000000 瑞萨电子美国公司 * 大部分 的积极 R2J20655 未验证 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人
FAN7171MX-F085P onsemi FAN7171MX-F085P -
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ECAD 7937 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7171 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 25纳秒、15纳秒 600伏
TC4426MJA Microchip Technology TC4426MJA 40.9000
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ECAD 34 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -55℃~125℃(TA) 通孔 8-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) TC4426 反相 未验证 4.5V~18V 8-CERDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 56 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 19纳秒, 19纳秒
L6741 STMicroelectronics L6741 -
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ECAD 5890 0.00000000 意法半导体 - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) L6741 非反相 未验证 5V~12V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2.3V 2A, 2A - 41V
IR21271S Infineon Technologies IR21271S -
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ECAD 3950 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IR21271 非反相 未验证 9V~20V 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 *IR21271S EAR99 8542.39.0001 95 单身的 高侧或低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、3V 250毫安、500毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
NCP81258MNTBG onsemi NCP81258MNTBG 0.4800
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ECAD 5153 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-VFDFN 裸露焊盘 NCP81258 非反相 未验证 4.5V~13.2V 8-DFN (2x2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.7V、3.4V - 16纳秒、11纳秒 35V
MD1822K6-G Microchip Technology MD1822K6-G 1.8100
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ECAD 3 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 16-VFQFN 裸露焊盘 MD1822 反相、同相 未验证 5V~10V 16-QFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 半桥 4 N沟道、P沟道MOSFET 0.3V、1.7V 2A, 2A 7纳秒,7纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库