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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MIC4426Y	1.4500	RFQ	197	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MIC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
LM5110-2SDX	-	RFQ	6220	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	反转	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
PX3511BDDG-RA	-	RFQ	3809	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	PX3511	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
NCP81075MNTXG	3.7200	RFQ	4859	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	NCP81075	不转变	未行业行业经验证	8.5V〜20V	8-DFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.7V	4a，4a	8NS，7NS	200 v
MIC4429BMM	-	RFQ	6334	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MIC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
LTC1623CS8 trpbf	3.0600	RFQ	2833	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1623	不转变	未行业行业经验证	2.7V〜5.5V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.6V，1.4V	-	-
UCC27423MDREP	12.0700	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27423	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
IRS2117pbf	2.1903	RFQ	4151	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2117	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
ISL89163FRTCZ	-	RFQ	4998	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	ISL89163	不转变	未行业行业经验证	7.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl89163frtcz	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2.4V，9.6V	6a，6a	20N，20N
TC4467MJD	-	RFQ	1947年	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4467MJD-NDR	Ear99	8542.39.0001	29	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
IRS21094SPBF	1.1541	RFQ	8543	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21094	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	55	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
TC1413CPA	1.6600	RFQ	8863	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1413	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1413CPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	20N，20N
IR2130	-	RFQ	3369	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2130	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2130S	Ear99	8542.39.0001	25	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
LM5109SD/NOPB	0.5800	RFQ	9	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫		不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2 V	1a，1a	15ns，15ns	118 v
RAA229621GNP＃ha0	3.7905	RFQ	1340	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA22229621GNP＃ha0tr			1
NCP5181DR2G	2.3200	RFQ	7943	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP5181	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	1.4a，2.2a	40NS，20NS	600 v
ISL6609ACBZ	2.4200	RFQ	2	Intersil	-	大部分	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6609	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	- ，4A	8ns，8ns	36 V
FAN73833MX	1.8100	RFQ	639	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan73833	不转变	未行业行业经验证	11V〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.5V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v
isl662222irz	4.8000	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl662222irz	Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MCP1406-E/MFVAO	-	RFQ	2602	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP1406	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
UC3710N	11.0900	RFQ	168	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC3710	反转，无变形	未行业行业经验证	4.7V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	6a，6a	85ns，85ns
TC4423VMF	1.9350	RFQ	7831	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4423VMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
TC4422EMF713	2.1000	RFQ	4098	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4422EMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
max5064AATC+	5.9100	RFQ	176	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	12-WQFN暴露垫	Max5064	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	12-TQFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX5064AATC+	Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	65ns，65ns	125 v
IR2132S	-	RFQ	6907	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2132	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
max626cpa+	9.8300	RFQ	7199	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max626	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX626CPA+	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
ISL6605IRZA-T	-	RFQ	7442	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
ISL6613AIR-T	-	RFQ	7119	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
NCP81080DR2G	1.6100	RFQ	4454	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP81080	TTL	未行业行业经验证	5.5V〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.2V，1.8V	500mA，800mA	19ns，17ns
ISL6613CRZ	-	RFQ	7990	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²