SIC
close

门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
LM2724M Texas Instruments LM2724M -
RFQ
 ECAD 7660 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LM2724 不转变 未行业行业经验证 4.3V〜6.8V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 3a，3.2a 17ns，12ns 35 v
NCP5359AMNR2G onsemi NCP5359AMNR2G -
RFQ
 ECAD 7404 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-vfdfn裸露的垫子 NCP5359 不转变 未行业行业经验证 10v〜13.2V 8-DFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2V - 16ns，15ns 30 V
IR2106STRPBF International Rectifier IR2106STRPBF -
RFQ
 ECAD 3090 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IR2106 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.9V 200mA，350mA 150NS，50NS 600 v
IR2128STRPBF Infineon Technologies IR2128STRPBF 3.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IR2128 反转 未行业行业经验证 12v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方面或低侧 1 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3V 250mA，500mA 80n，40n 600 v
UCC27524AD Texas Instruments UCC27524AD 2.6600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） UCC27524 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 独立的 低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 1V，2.3V 5a，5a 7NS，6NS
DGD0597FU-7 Diodes Incorporated DGD0597FU-7 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-vqfn裸露的垫子 不转变 4.5V〜5.5V V-QFN3030-8 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.5V 1.5a，2.5a 7NS，5NS 40 V
2DM180506CM Tamura 2DM180506CM 118.0200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 塔穆拉 - 托盘 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通过洞 34浸模块，31条线索 2DM180506 - 未行业行业经验证 15V〜24V 0502 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V - -
LM27222SDX Texas Instruments LM27222SDX -
RFQ
 ECAD 9461 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 LM27222 不转变 未行业行业经验证 4V〜6.85V 8-wson（4x4） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 3a，4.5a 17ns，12ns 33 V
IXS839S1 IXYS IXS839S1 -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXS839 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V 2a，4a 20N，15n 24 V
IR2184 Infineon Technologies IR2184 -
RFQ
 ECAD 3094 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IR2184 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IR2184 Ear99 8542.39.0001 50 同步 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.7V 1.9a，2.3a 40NS，20NS 600 v
MIC5016BWM Microchip Technology MIC5016BWM -
RFQ
 ECAD 2838 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） MIC5016 不转变 未行业行业经验证 2.75V〜30V 16-Soic 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 47 独立的 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2V - -
TC1410EUA Microchip Technology TC1410EUA 1.7600
RFQ
 ECAD 5908 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） TC1410 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-msop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 TC1410EUA-NDR Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2V 500mA，500mA 25n，25n
FAN3214TMX-F085 onsemi FAN3214TMX-F085 -
RFQ
 ECAD 5731 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FAN3214 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2V 5a，5a 12ns，9ns
LM5101CMAX/NOPB Texas Instruments LM5101CMAX/NOPB 1.9800
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V， - 1a，1a 990NS，715NS 118 v
EL7202CS Renesas Electronics America Inc EL7202CS -
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） EL7202 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 97 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 2a，2a 7.5NS，10NS
ICL7667MTV Harris Corporation ICL7667MTV 7.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C（TA） 通过洞 TO-99-8金属罐 ICL7667 反转 未行业行业经验证 4.5V〜15V TO-99-8 下载 Rohs不合规 3（168）） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2V - 20N，20N
UCC37324DGN Unitrode UCC37324DGN -
RFQ
 ECAD 8482 0.00000000 单位树 * 大部分 积极的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UCC37324DGN-600018 1
IXK611P1 IXYS IXK611P1 -
RFQ
 ECAD 1637年 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 - 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IXK611 - 未行业行业经验证 - 8点 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 450 - - - - - -
LM5112MYX Texas Instruments LM5112MMYX -
RFQ
 ECAD 5927 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） LM5112 反转，无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-HVSOP 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V，2.3V 3a，7a 14ns，12ns
UCC27322DGNR Texas Instruments UCC27322DGNR 1.4500
RFQ
 ECAD 9065 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） UCC27322 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 1.1V，2.7V 9a，9a 20N，20N
MC33395DWB NXP USA Inc. MC33395DWB -
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 32-bessop （0.295英寸，宽度为，7.50mm） MC33395 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜24V 32-Soic 下载 Rohs不合规 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 42 3相 半桥 6 n通道MOSFET - - 350n，250n
2EDN8524GXTMA1 Infineon Technologies 2EDN8524GXTMA1 0.6683
RFQ
 ECAD 9937 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 2EDN8524 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜20V PG-WSON-8-1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,000 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.1V，1.98V 5a，5a 5.3NS，4.5NS
IXRFD615 IXYS-RF IXRFD615 -
RFQ
 ECAD 6946 0.00000000 ixys-rf - 管子 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 IXRFD615 不转变 未行业行业经验证 8v〜18V 6-SMD 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 30 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，3.5V 15a，15a 4NS，4NS
MC33152DR2G onsemi MC33152DR2G 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MC33152 不转变 未行业行业经验证 6.1v〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.6V 1.5a，1.5a 36ns，32ns
1SP0635D2S1C-XXXX (2)(3)(4) Power Integrations 1SP0635D2S1C-XXXX （2）（3）（3）（4） 215.3067
RFQ
 ECAD 9151 0.00000000 电源集成 - 大部分 积极的 - 596-1SP0635D2S1C-XXXX（2）（3）（3）（4） 6
IX4424N IXYS Integrated Circuits Division IX4424N -
RFQ
 ECAD 6798 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IX4424 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 CLA397 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，3V 3a，3a 18N，18NS
MIC4468BN Microchip Technology MIC44680亿 -
RFQ
 ECAD 6620 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） MIC4468 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 14浸 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 低侧 4 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.2a，1.2a 14ns，13ns
IR2112 Infineon Technologies IR2112 -
RFQ
 ECAD 5208 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） IR2112 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IR2112 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 高方面或低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V 250mA，500mA 80n，40n 600 v
SSC4S701 Sanken SSC4S701 1.6100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 桑肯 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SSC4S701 不转变 未行业行业经验证 13.5v〜16.5V 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT 2.6V，1.3V 800mA，1.75a -
2EDL8033G4CXTMA1 Infineon Technologies 2EDL8033G4CXTMA1 2.4000
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vdfn裸露的垫子 不转变 8v〜17V PG-VDSON-10-2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 5,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 3a，6a 4.6NS，3.3NS 120 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0个项目）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭