SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
TPS2811D Texas Instruments tps2811d 3.5000
RFQ
ECAD 200 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPS2811 反转 未行业行业经验证 4V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,4V 2a,2a 14ns,15ns
MP18021HN-LF Monolithic Power Systems Inc. MP18021HN-LF -
RFQ
ECAD 2479 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 管子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MP18021 不转变 未行业行业经验证 9V〜16V 8-soice 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2.4V 2.5a,2.5a 12ns,9ns 100 v
FAN7382M onsemi Fan7382m -
RFQ
ECAD 1197 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Fan7382 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-sop 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 8,100 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 350mA,650mA 60n,30ns 600 v
ISL2110AR4Z Renesas Electronics America Inc ISL2110AR4Z 3.4736
RFQ
ECAD 9840 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 12-VFDFN暴露垫 ISL2110 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 12-DFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 750 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 3.7V,7.4V 3a,4a 9NS,7.5NS 114 v
UCC27325DGN Texas Instruments UCC27325DGN 2.3000
RFQ
ECAD 396 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) UCC27325 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 80 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,2V 4a,4a 20N,15n
1SD1548AI Power Integrations 1SD1548AI -
RFQ
ECAD 4372 0.00000000 电源集成 Scale™-1 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 模块 1SD1548 - 未行业行业经验证 15V 模块 下载 不适用 Ear99 8473.30.1180 1 - 半桥 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet - 48a,48a -
MAX5078AATT-T ADI/Maxim Integrated max5078aatt-t -
RFQ
ECAD 7170 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 6-WDFN暴露垫 Max5078 反转,无变形 未行业行业经验证 4V〜15V 6-TDFN (3x3) - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 4a,4a 32ns,26ns
MIC4428BM-TR Microchip Technology MIC4428BM-TR -
RFQ
ECAD 2721 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 20N,29NS
TC4424AVMF-VAO Microchip Technology TC4424AVMF-VAO -
RFQ
ECAD 5232 0.00000000 微芯片技术 汽车,AEC-Q100 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4424 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S( 6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 4.5a,4.5a 12n,12ns
EL7243CMZ-T13 Renesas Electronics America Inc EL7243CMZ-T13 -
RFQ
ECAD 9742 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) EL7243 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 20-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 10n,10ns (最大)
TPS2832D Texas Instruments tps2832d 2.3673
RFQ
ECAD 6528 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPS2832 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2.7a,2.4a 50n,50n 28 V
1SD418F2-CM1200HC-66H Power Integrations 1SD418F2-CM1200HC-66H -
RFQ
ECAD 3094 0.00000000 电源集成 Scale™-1 盒子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 底盘安装 模块 1SD418F2 - 未行业行业经验证 14.5v〜15.5V 模块 下载 (1 (无限) Ear99 8473.30.1180 1 单身的 半桥 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet - - 100NS,100NS
ICL7667EBA+T ADI/Maxim Integrated ICL7667EBA+t -
RFQ
ECAD 1578年 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ICL7667 反转 未行业行业经验证 4.5V〜17V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 - 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 20N,20N
UCC27517ADBVR Texas Instruments UCC27517ADBVR 1.0700
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 SC-74A,SOT-753 UCC27517 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 1V,2.4V 4a,4a 8NS,7NS
ISL6605IBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6605IBZ-T -
RFQ
ECAD 8063 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6605 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V 2a,2a 8ns,8ns 33 V
IR2112-2 Infineon Technologies IR2112-2 -
RFQ
ECAD 6212 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 16 浸(0.300英寸,7.62毫米),14个线索 IR2112 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-PDIP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 -2 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 高方面或低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 250mA,500mA 80n,40n 600 v
HIP6602BCRZA-T Renesas Electronics America Inc HIP6602BCRZA-T -
RFQ
ECAD 2576 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-VQFN暴露垫 HIP6602 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 16 QFN(5x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 4 n通道MOSFET - - 20N,20N 15 v
ISL6608IB-T Renesas Electronics America Inc ISL6608IB-T -
RFQ
ECAD 9946 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6608 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2a,2a 8ns,8ns 22 v
UCC27324PG4 Texas Instruments UCC27324PG4 -
RFQ
ECAD 2347 0.00000000 Texas Instruments - 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) UCC27324 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,2V 4a,4a 20N,15n
MIC4127BME Microchip Technology MIC4127BME -
RFQ
ECAD 3949 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4127 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜20V 8-SOIC - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 20N,18NS
MIC4100YM Microchip Technology MIC4100YM 2.5000
RFQ
ECAD 124 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4100 不转变 未行业行业经验证 9V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 576-1183 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 3V,8V 2a,2a 400NS,400NS 118 v
TC428IJA Microchip Technology TC428IJA -
RFQ
ECAD 9353 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 -25°C〜85°C(TA) 通过洞 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) TC428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-Cerdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC428IJA-NDR Ear99 8542.39.0001 56 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 30ns,30ns
LM5104SD/NOPB Texas Instruments LM5104SD/NOPB 3.5400
RFQ
ECAD 715 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-wdfn暴露垫 LM5104 反转,无变形 未行业行业经验证 9V〜14V 10-wson(4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1.6a,1.6a 600NS,600NS 118 v
L9380 STMicroelectronics L9380 -
RFQ
ECAD 6350 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) L9380 不转变 未行业行业经验证 7v〜18.5V 20-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 40 独立的 高方向 3 n通道MOSFET 1V,3V - -
MIC4606-2YML-T5 Microchip Technology MIC4606-2YML-T5 -
RFQ
ECAD 4791 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-VQFN暴露垫 MIC4606 不转变 未行业行业经验证 5.25V〜16V 16 QFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 同步 全桥 4 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1a,1a 20N,20N 108 v
IXDE509D1 IXYS IXDE509D1 -
RFQ
ECAD 8413 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IXDE509 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 6-DFN (4x5) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 56 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 25ns,23ns
NCP81152MNTWG onsemi NCP81152MNTWG 0.9300
RFQ
ECAD 4353 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-VFQFN暴露垫 NCP81152 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 16-qfn(2.5x3.5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 4 n通道MOSFET 0.7V,3.4V - 16ns,11ns 35 v
TPS2835PWP Texas Instruments TPS2835PWP 2.3587
RFQ
ECAD 4150 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 14-POWERTSOP (0.173英寸,4.40mm((4.40mm)) TPS2835 反转 未行业行业经验证 4.5V〜15V 14-htssop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 90 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V 2.7a,2.4a 50n,40n 28 V
ZL1505ALNNT1 Renesas Electronics America Inc ZL1505ALNNT1 -
RFQ
ECAD 3897 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ZL1505 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜7.5V 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.7V,3.4V 3.2a,3.2a 5.3NS,4.8NS 30 V
ISL6612BECB Renesas Electronics America Inc ISL6612BECB -
RFQ
ECAD 5152 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 8-SOIC-EP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库