感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
LM5060QDGSRDN	-	询价	5181	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）		非反相		5.5V～65V	10-VSSOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		296-LM5060QDGSRDN			1	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
1EDN8550BXTSA1	1.0700	询价	6742	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	1EDN8550	非反相	未验证	4.5V～20V	PG-SOT23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	高侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	-	4A、8A	6.5纳秒、4.5纳秒	84V
UCC27201ADRCT	3.1200	询价	2	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘，9 引脚	UCC27201	非反相	未验证	8V~17V	9-VSON (3x3)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V
IXDF502SIAT/R	-	询价	4259	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDF502	反相、同相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	7.5纳秒、6.5纳秒
LM5111-3M/NOPB	-	询价	5027	国家安全委员会	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		反相、同相		3.5V～14V	8-SOIC	-	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-LM5111-3M/NOPB-14			1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
LTC7003IMSE#TRPBF	7.9200	询价	6635	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7003	非反相	未验证	3.5V～15V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	90纳秒、40纳秒	60V
EB01-FS150R17KE3G	-	询价	6594	电源集成	规模™-1	大部分	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	EB01-FS150	-	未验证	-	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	-	-		IGBT	-	-	-	1200伏
MIC4451ZT	3.7200	询价	64	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	TO-220-5	麦克风4451	反相	未验证	4.5V~18V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	12A, 12A	20纳秒、24纳秒
ISL6610CRZ	-	询价	8123	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6610	非反相	未验证	4.5V~5.5V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
IR2131JTR	-	询价	5655	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2131	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
AUIRS2110S	-	询价	6793	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	AUIRS2110	非反相	未验证	3V～20V	16-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001511402	EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、15纳秒	500V
R2J20655NP#G0	4.4400	询价	95	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极				R2J20655		未验证			下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人
FAN7171MX-F085P	-	询价	7937	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7171	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	25纳秒、15纳秒	600伏
TC4426MJA	40.9000	询价	34	微芯片	-	管子	的积极	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
L6741	-	询价	5890	意法半导体	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6741	非反相	未验证	5V~12V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.3V	2A, 2A	-	41V
IR21271S	-	询价	3950	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR21271	非反相	未验证	9V～20V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IR21271S	EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧或低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	250毫安、500毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
NCP81258MNTBG	0.4800	询价	5153	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	NCP81258	非反相	未验证	4.5V～13.2V	8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、3.4V	-	16纳秒、11纳秒	35V
MD1822K6-G	1.8100	询价	3	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-20°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VFQFN 裸露焊盘	MD1822	反相、同相	未验证	5V～10V	16-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.3V、1.7V	2A, 2A	7纳秒，7纳秒
IR21362STRPBF	-	询价	1809年	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR21362	反相、同相	未验证	11.5V～20V	28-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
风扇7190MX	-	询价	7141	仙童	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7190	非反相	未验证	10V~22V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.5V	4.5A、4.5A	25纳秒、20纳秒	600伏
L6384ED013TR	1.8700	询价	1719	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-45°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6384	反相	未验证	14.6V～16.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.5V、3.6V	400毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
TD352IDT	3.0500	询价	23	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TD352	非反相	未验证	12V~26V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、4.2V	1.3A、1.7A	100ns、100ns（顶部）
风扇7171M	-	询价	9427	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7171	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	9,500	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	25纳秒、15纳秒	600伏
ISL6622IBZ-T	-	询价	2069	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6622	非反相	未验证	6.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MIC4426YMM	1.4500	询价	197	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	麦克风4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
LM5134ASD/NOPB	1.0920	询价	4273	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	LM5134	反相、同相	未验证	4V～12.6V	6-WSON (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	-	4.5A、7.6A	3纳秒、2纳秒
ISL6614AIRZ	-	询价	5253	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
UCC27712DR	1.5900	询价	4661	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27712	-	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	1.5V、1.6V	1.8A、2.8A	16纳秒、10纳秒	600伏
UCC27201DDAR	2.3600	询价	9	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27201	非反相	未验证	8V~17V	8-SO电源板	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V
IR2125SPBF	5.1500	询价	1	英飞凌科技	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	红外2125	非反相	未验证	0V～18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	45	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.6A、3.3A	43纳秒、26纳秒	500V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²