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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IR21364JTRPBF	-	RFQ	1927年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR21364	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
max15025batb+t	-	RFQ	2674	ADI/MAXIM集成	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15025	反转，无变形	未行业行业经验证	6.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2V，4.25V	2a，4a	48ns，32ns
LM5104M	3.3637	RFQ	3656	Texas Instruments	-	管子	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5104	反转，无变形	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
UC2714DP	-	RFQ	7903	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC2714	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	240	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
ADP3413JR-REEL7	-	RFQ	1691年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3413					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
MC33GD3100EKR2	7.7301	RFQ	3393	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	32-bessop （0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MC33GD3100	-	未行业行业经验证	5V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	半桥	1	IGBT，N通道MOSFET	-	15a，15a	-
UC2715NG4	-	RFQ	6230	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC2715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
max628esa	-	RFQ	9484	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max628	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
UCD7232RTJR	0.7920	RFQ	8753	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-WFQFN暴露垫	UCD7232	不转变	未行业行业经验证	4.7V〜15V	20-qfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	27ns，21ns
TC4468EPD	5.5500	RFQ	162	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	TC4468	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4468EPD-NDR	Ear99	8542.39.0001	30	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
ICL7667CBAZA-T	2.9800	RFQ	14	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	-	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
HIP2100IBT	-	RFQ	6492	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v
UC3715NG4	-	RFQ	8341	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC3715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
MC33151VDR2	-	RFQ	6484	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns
max4427cpa	-	RFQ	6284	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
ZXGD3001E6TA	0.7800	RFQ	9154	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXGD3001	不转变	未行业行业经验证	12v （最大）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	-	9a，9a	7.3NS，11NS
L6387D	-	RFQ	7551	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-45°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6387	反转	未行业行业经验证	（17V））	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
IXDI502D1	-	RFQ	2816	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	IXDI502	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	6-DFN （4x5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
max5077aud+	8.4500	RFQ	92	ADI/MAXIM集成	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	Max5077	RC输入电路	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	96	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	10n，10n
ADP3417JR-REEL7	-	RFQ	4092	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3417					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
ISL6612IR-T	-	RFQ	7752	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IRS26072DSPBF	-	RFQ	3820	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS26072	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
HIP2210FRTZ	1.0310	RFQ	4974	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫		不转变		6v〜18V	10-tdfn （4x4）	-	rohs3符合条件	3（168））		20-hip2210frtz			1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.47V，1.84V	3a，4a	20N，20N	115 v
UCC27523DR	1.6700	RFQ	17	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27523	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
RT9624BZSP	-	RFQ	7350	Richtek USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RT9624	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-SOP-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，3.2V	-	25ns，12ns	15 v
tps2813dr	1.2510	RFQ	9171	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2813	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
max620cwn	-	RFQ	4647	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	Max620	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	18-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方向	4	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	-	1.7µs，2.5µs
UC2708NEG4	-	RFQ	2207	Texas Instruments	-	管子	过时的	-25°C〜85°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC2708	不转变	未行业行业经验证	5v〜35V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	25n，25n
UCC2722222PWP	3.7888	RFQ	3216	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜115°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	UCC27222	不转变	未行业行业经验证	3.7V〜20V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2.6V	4a，4a	17ns，17ns
TPIC44L01DBR	1.2150	RFQ	2206	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	TPIC44L01	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	24 SSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	-	1.2mA，1.2mA	3.5µs，3µs

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²