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感应驱动器(7161)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
TC4469CPD Microchip Technology TC4469CPD 5.5500
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 ECAD 507 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃～150℃（太焦） 通孔 14-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TC4469 反相、同相 未验证 4.5V~18V 14-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 30 独立的 低侧 4 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.2A、1.2A 15纳秒，15纳秒
IR4428STR Infineon Technologies IR4428STR -
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 ECAD 8339 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IR4428 反相、同相 未验证 6V～20V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.7V 2.3A、3.3A 15纳秒、10纳秒
IXDD609SIA IXYS Integrated Circuits Division IXDD609SIA 2.0700
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 ECAD 25 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDD609 非反相 未验证 4.5V～35V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 CLA358 EAR99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 9A, 9A 22纳秒、15纳秒
FAN3224TUM1X-F085 onsemi FAN3224TUM1X-F085 3.3700
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 ECAD 4100 0.00000000 onsemi 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 风扇3224 非反相 未验证 9.5V～18V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET - 5A、5A 12纳秒、9纳秒
2CG010BBC12N Tamura 2CG010BBC12N 73.2700
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 ECAD 120 0.00000000 田村 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 模块 2CG010 非反相 未验证 13V~28V 模块 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 132-2CG010BBC12N EAR99 8543.90.8885 30 独立的 半桥 2 IGBT、碳化硅MOSFET 1.65V、3.85V 500纳秒、500纳秒
TC4426MJA Microchip Technology TC4426MJA 40.9000
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 ECAD 34 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -55℃～125℃（TA） 通孔 8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米） TC4426 反相 未验证 4.5V~18V 8-CERDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 56 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 19纳秒, 19纳秒
IRS2127SPBF Infineon Technologies IRS2127SPBF 0.8351
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 ECAD 5838 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 最后一次购买 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 国税局2127 非反相 未验证 12V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
EL7242CSZ-T13 Renesas Electronics America Inc EL7242CSZ-T13 3.1229
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 ECAD 9549 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） EL7242 反相、同相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 2A, 2A 10纳秒，10纳秒
1SD1548AI UL Power Integrations 1SD1548AI UL 131.2500
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 ECAD 7127 0.00000000 电源集成 规模™-1 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 模块 1SD1548 - 未验证 15V 模块 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8473.30.1180 16 - 半桥 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET - 48A, 48A -
TC4422VMF Microchip Technology TC4422VMF 2.2350
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 ECAD 2298 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 TC4422 非反相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC4422VMF-NDR EAR99 8542.39.0001 60 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 60纳秒, 60纳秒
IR2110STRPBF Infineon Technologies IR2110STRPBF 3.3900
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 ECAD 60 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IR2110 非反相 未验证 3.3V～20V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 2A, 2A 25纳秒、17纳秒 500V
L9857-TR STMicroelectronics L9857-TR -
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 ECAD 8111 0.00000000 意法半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） L9857 非反相 未验证 10V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET - 500毫安，500毫安 100纳秒，100纳秒 300伏
MP1907GQ-Z Monolithic Power Systems Inc. MP1907GQ-Z 2.1000
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 ECAD 第1429章 0.00000000 单片电力系统公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 MP1907 非反相 未验证 4.5V~18V 10-QFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 5,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2.4V 2.5A、2.5A 12纳秒、9纳秒 100伏
RT9629AZQW Richtek USA Inc. RT9629AZQW 1.7200
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 ECAD 第421章 0.00000000 立锜美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 24-WQFN 裸露焊盘 RT9629 反相、同相 未验证 4.5V～13.2V 24-WQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,500人 土耳其 半桥 6 N沟道MOSFET 0.7V、3.2V - 25纳秒、12纳秒 15V
IR22141SSPBF Infineon Technologies IR22141SSPBF -
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 ECAD 4074 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 24-SSOP（0.209英寸，5.30毫米宽） IR22141 非反相 未验证 11.5V～20V 24-SSOP 下载 3（168小时） REACH 不出行 SP001547750 EAR99 8542.39.0001 55 独立的 半桥 2 IGBT 0.8V、2V 2A、3A 24纳秒、7纳秒 1200伏
ISL6609CBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6609CBZ-T -
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 ECAD 3033 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ISL6609 非反相 未验证 4.5V~5.5V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V -, 4A 8纳秒，8纳秒 36V
LM5101CMAX Texas Instruments LM5101CMAX -
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 ECAD 3341 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LM5101 非反相 未验证 9V~14V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V，- 1A、1A 990纳秒、715纳秒 118V
IR1176 Infineon Technologies 红外1176 -
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 ECAD 6067 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 20-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 红外1176 非反相 未验证 4V～5.25V 20-PDIP 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 18 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET - 4A, 4A 20纳秒, 20纳秒
FAN7083MXSN00037 onsemi FAN7083MXSN00037 -
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 ECAD 7114 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 风扇7083 未验证 - 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 488-FAN7083MXSN00037TR 过时的 2,500人
TPS2812DR Texas Instruments TPS2812DR 1.8900
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 ECAD 9 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TPS2812 非反相 未验证 4V~14V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 1V、4V 2A, 2A 14纳秒、15纳秒
MP1924AHS-LF-Z Monolithic Power Systems Inc. MP1924AHS-LF-Z 1.0050
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 ECAD 1546 0.00000000 单片电力系统公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） MP1924 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC - 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2.4V 4A, 4A 15纳秒、12纳秒 115V
MIC4469BWM TR Microchip Technology MIC4469BWM TR -
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 ECAD 7268 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 麦克风4469 反相、同相 未验证 4.5V~18V 16-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.2A、1.2A 14纳秒、13纳秒
TC427EOA Microchip Technology TC427EOA 1.5900
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 ECAD 1405 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TC427 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC427EOA-NDR EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 30纳秒、30纳秒
ISL6608IRZ Renesas Electronics America Inc ISL6608IRZ -
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 ECAD 9634 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-VQFN 裸露焊盘 ISL6608 非反相 未验证 4.5V~5.5V 8-QFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 2A, 2A 8纳秒，8纳秒 22V
ISL6613ECBZ-TR5214 Renesas Electronics America Inc ISL6613ECBZ-TR5214 -
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 ECAD 6293 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 ISL6613 非反相 未验证 10.8V～13.2V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
NCP81161MNTBG onsemi NCP81161MNTBG 0.4400
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 ECAD 6554 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～150℃（太焦） 表面贴装 8-VFDFN 裸露焊盘 NCP81161 非反相 未验证 4.5V～13.2V 8-DFN (2x2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V - 16纳秒、11纳秒 35V
MIC4422CTL3 Microchip Technology MIC4422CTL3 -
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 ECAD 8759 0.00000000 微芯片 - 大部分 过时的 0℃～150℃（太焦） 通孔 TO-220-5 麦克风4422 非反相 未验证 4.5V~18V TO-220-5 - 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 300 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 20纳秒、24纳秒
MAX5054BATA-T ADI/Maxim Integrated MAX5054BATA-T -
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 ECAD 1962年 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 MAX5054 反相、同相 未验证 4V～15V 8-TDFN (3x3) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.1V 4A, 4A 32纳秒、26纳秒
L6387ED013TR STMicroelectronics L6387ED013TR 1.6600
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 ECAD 第466章 0.00000000 意法半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -45°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） L6387 反相 未验证 17V（最大） 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 1.5V、3.6V 400毫安、650毫安 50纳秒、30纳秒 600伏
IR2135STRPBF Infineon Technologies IR2135STRPBF 7.5009
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 ECAD 7015 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 125°C（太焦） 表面贴装 28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IR2135 反相 未验证 10V～20V 28-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 250毫安、500毫安 90纳秒、40纳秒 600伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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