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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
L6747C	-	RFQ	8096	Stmicroelectronics	-	托盘	在sic中停产	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	L6747	不转变	未行业行业经验证	5v〜12v	8-vfdfpn（3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3.5a， -	-	41 v
ISL6594ACRZ	-	RFQ	4351	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6594	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC4225MME-TR	2.1800	RFQ	5703	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC4225	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	15ns，15ns
L6498LD	2.7800	RFQ	4798	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6498	CMOS/TTL	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1.45V，2V	2a，2.5a	25n，25n	500 v
max5075baua-t	-	RFQ	7366	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max5075	RC输入电路	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	10n，10n
UCC27324P	1.2600	RFQ	435	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC27324	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
MIC4606-1YTS-TR	2.2800	RFQ	8897	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	MIC4606	不转变	未行业行业经验证	5.25V〜16V	16ssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	全桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
ISL6612CBZR5238	-	RFQ	5029	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UC3706NG4	-	RFQ	8031	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC3706	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，30ns
ISL6208CRZ	1.1356	RFQ	6820	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
UC2708NEG4	-	RFQ	2207	Texas Instruments	-	管子	过时的	-25°C〜85°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC2708	不转变	未行业行业经验证	5v〜35V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	25n，25n
FAN7382M1X	2.0600	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	Fan7382	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14分	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	60n，30ns	600 v
MIC4422CTL3	-	RFQ	8759	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	300	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
IR2133SPBF	8.1800	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2133	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
ISL6208CBZ-T	2.1300	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
EL7457CLZ-T13	-	RFQ	8164	Elantec	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-VQFN暴露垫	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16 QFN （4x4）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
EL7202CN	3.9300	RFQ	1	Elantec	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7202	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
max4429cpa	-	RFQ	2646	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
ISL6594BCB	-	RFQ	8878	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6594	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
2SB315A-FF800R12KE3	-	RFQ	9653	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
1EDN7550B	-	RFQ	6711	Infineon技术	eicedriver™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	1EDN7550	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-SOT23-6-3	下载						0000.00.0000	1	单身的	高侧和低侧	2	n通道，p通道MOSFET	-	4a，8a	6.5NS，4.5NS
IRS26072DSTRPBF	-	RFQ	3772	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS26072	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
IXC611S1T/r。	-	RFQ	1319	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXC611	-	未行业行业经验证	-	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	-	-		-	-	-	-
MIC5018YM4-TR	2.2000	RFQ	21	微芯片技术	ittybitty®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	MIC5018	不转变	未行业行业经验证	2.7V〜9V	SOT-143	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	-	-
LM5107MA/NOPB	2.8300	RFQ	3	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5107	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.3a，1.4a	15ns，15ns	118 v
MIC4420ZT	3.0600	RFQ	182	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MIC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
2SP0115T2C0-12	105.0000	RFQ	24	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SP0115	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1044	Ear99	8473.30.1180	12	独立的	半桥	2	IGBT	-	8a，15a	5n，10ns	1200 v
TC4422EMF713	2.1000	RFQ	4098	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4422EMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
EL7158ISZ-T7A	10.8717	RFQ	6540	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7158	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜12V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	12a，12a	12ns，12.2ns
MCP14E5T-E/SL	-	RFQ	9332	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MCP14E5	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,600	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²