感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
MAX627MJA/883B	-	询价	6592	ADI/Maxim 集成	军事，MIL-STD-883	管子	的积极	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX627	非反相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	25纳秒、20纳秒
TC4422EMF	2.1000	询价	2289	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4422EMF-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	60纳秒, 60纳秒
IXG611P1	-	询价	3823	IXYS	-	盒子	过时的	-	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXG611	-	未验证	-	8-DIP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	450	-	-		-	-	-	-
1SP0335V2M1-FZ500R65KE3	202.2083	询价	1055	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SP0335	-	未验证	23.5V～26.5V	模块	-		1（无限制）		1810-1SP0335V2M1-FZ500R65KE3	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	6500伏
EL7457CS	-	询价	8040	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7457	非反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	高侧或低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	13.5纳秒、13纳秒
MCP14E6T-E/SN	1.8900	询价	1348	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14E6	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	12纳秒、15纳秒
EL7212CS-T13	-	询价	4474	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7212	反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
IR21362STR	-	询价	5167	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR21362	反相、同相	未验证	11.5V～20V	28-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
TDA21472AUMA1	3.5875	询价	1828	英飞凌科技	Optimos™	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	39电源VFQFN	TDA21472	非反相	未验证	4.25V～16V	PG-IQFN-39	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	单身的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	80A、80A	-
R2J20657NP#G3	6.8200	询价	2	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	40-WFQFN 裸露焊盘	R2J20657	TTL	未验证	4.5V~16V	40-QFN (6x6)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧或低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	-	-	25V
ISL6700IRZ	2.0600	询价	1	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	12-VQFN 裸露焊盘	ISL6700	非反相	未验证	9V～15V	12-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	750	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.4A、1.3A	5纳秒，5纳秒	80V
ISL78424AVEZ-T	2.9726	询价	5199	瑞萨电子美国公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	14-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘	ISL78424	反相、同相	未验证	8V~18V	14-高温SSOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	20-ISL78424AVEZ-TTR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.1V	3A、4A	10纳秒，10纳秒	100V
TMC6100-LA-T	4.6300	询价	1	Trinamic运动控制有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	37-VFQFN 裸露焊盘	TMC6100	-	未验证	8V～60V	37-QFN-EP (7x7)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	土耳其	半桥	3	N沟道MOSFET	-	500毫安，500毫安	20纳秒, 20纳秒	85V
UCC3776N	2.4900	询价	15	Texas Instruments	*	大部分	的积极				UCC3776		未验证			下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1
IRS2005SPBF	1.3800	询价	8522	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2005	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	70纳秒、30纳秒	200V
TC1428CPA	1.5500	询价	301	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC1428	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	1.2A、1.2A	35纳秒、25纳秒
AUIR2085S	-	询价	6414	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIR2085	RC输入电路	未验证	10V~15V	PG-DSO-8-904	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001513986	EAR99	8542.39.0001	95	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1A、1A	40纳秒、20纳秒	100V
MIC4605-2YMT-T5	-	询价	2406	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-UFDFN 裸露焊盘	麦克风4605	非反相	未验证	5.5V～16V	10-TDFN (2.5x2.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	20纳秒, 20纳秒	108V
RAA228000GNP#HA0	5.1737	询价	1760	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极									-	符合ROHS3标准	3（168小时）		20-RAA228000GNP#HA0TR			1
2SP0115T2D0-12	104.6683	询价	1913年	电源集成	规模™-2	大部分	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块		-		14.5V～15.5V	模块	-				596-2SP0115T2D0-12			12	独立的	半桥	2	IGBT	-	15A, 15A	5纳秒、10纳秒	1200伏
TC4422VMF	2.2350	询价	2298	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4422VMF-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	60纳秒, 60纳秒
LM2724ALD/NOPB	-	询价	8273	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	LM2724	非反相	未验证	4.3V~6.8V	8-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	3A、3.2A	17纳秒、12纳秒	28V
TC4425EOE713	2.6900	询价	2404	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	TC4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4425EOE713-NDR	EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	23纳秒、25纳秒
IRS2005STRPBF	1.3800	询价	31	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2005	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	70纳秒、30纳秒	200V
IRS21851STRPBF	-	询价	7655	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21851	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	15纳秒，15纳秒	600伏
MIC4606-1YML-T5	-	询价	7350	微芯片	-	切带 (CT)	SIC停产	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	麦克风4606	非反相	未验证	5.25V～16V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	独立的	全桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	20纳秒, 20纳秒	108V
2EDN7523GXTMA1	0.6683	询价	9885	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	2EDN7523	反相	未验证	4.5V～20V	PG-WSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	5A、5A	5.3纳秒、4.5纳秒
TCK423G,L3F	0.8500	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	6-XFBGA、WLCSP	TCK423	非反相	未验证	2.7V~28V	6-WCSPG (0.8x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	5,000	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.4V、1.2V	-	-
MAX4420ESA+T	3.2100	询价	3831	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
IXDF602D2TR	0.7468	询价	7649	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	IXDF602	反相、同相	未验证	4.5V～35V	8-DFN-EP (5x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	7.5纳秒、6.5纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²