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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
UCC27425DRG4	-	RFQ	5781	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27425	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
MIC4225YM	2.7800	RFQ	1789年	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4225	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-3551-5	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	15ns，15ns
ISL6622ACBZ-T	-	RFQ	4787	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LTC4440ES6-5＃trpbf	6.0400	RFQ	1	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	LTC4440	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	TSOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.3V，1.6V	2.4a，2.4a	10n，7ns	80 V
MC33152D	-	RFQ	6449	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MC33152DOS	Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
max4429cpa	-	RFQ	2646	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
HIP6601BCBZ	-	RFQ	9205	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP6601	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-HIP6601BCBZ	Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
ISL6612CBZR5214	-	RFQ	7302	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MP1907GQ-P	1.5211	RFQ	1877年	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	MP1907	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	10-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	100 v
IGD515EI-34	216.4104	RFQ	8110	电源集成	Scale™-1	托盘	积极的	-40°C〜85°C	通过洞	36浸，24条线索	IGD515	-	未行业行业经验证	12v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	24	单身的	高方面或低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.9V，3.8V	15a，15a	40n，40n
ISL6615ACRZ	-	RFQ	3306	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
LM5111-1M/NOPB	2.9000	RFQ	10	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5111	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
Fan7371m	-	RFQ	2255	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7371	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	25ns，15ns	600 v
LM5060Q1MM/NOPB	2.7800	RFQ	2069	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	LM5060	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜65V	10-VSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	24µA，2.2mA	-
auirs2113str	-	RFQ	9892	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Auirs2113	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2.5a，2.5a	25ns，15ns	600 v
TC4428AVPA	1.8400	RFQ	1010	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428AVPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
HIP2123FRTAZ	-	RFQ	2035	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	HIP2123	反转	未行业行业经验证	8v〜14V	10-tdfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.4V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
LM5107MA/NOPB	2.8300	RFQ	3	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5107	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.3a，1.4a	15ns，15ns	118 v
MC33153DG	2.8500	RFQ	211	Onmi	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33153	反转	未行业行业经验证	11V〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MC33153DGOS	Ear99	8542.39.0001	98	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，3.2V	1a，2a	17ns，17ns
IR2113STRPBF	5.3500	RFQ	589	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2113	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	600 v
MIC4480ME-T5	-	RFQ	8466	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4480	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜32V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	2.5a，2.5a	120NS，45NS
ISL6594ACRZ	-	RFQ	4351	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6594	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
FAN3227CMX-F085	2.0500	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3227	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
TC1412NCOA713	1.8200	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1412	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	18N，18NS
RAA228000GNP ＃AA0	6.9436	RFQ	1311	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））		20-RAA228000GNP ＃AA0			1
2EDN7524RXUMA1	-	RFQ	6954	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	2EDN7524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-TSSOP-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	5a，5a	5.3NS，4.5NS
UC3714DP	-	RFQ	5203	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC3714	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
IR2132SPBF	11.9200	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2132	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
FAN7371MX	1.7400	RFQ	1797年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7371	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	25ns，15ns	600 v
LTC4442IMS8E ＃PBF	4.8000	RFQ	1	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4442	不转变	未行业行业经验证	6v〜9.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LTC4442IMS8E ＃PBF	Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.4a，2.4a	12n，8ns	42 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²