RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
TC4467CPD	5.5500	RFQ	37	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	TC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	30	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
UCC27321D	1.5600	RFQ	8605	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27321	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
ISL6613BEIBZ-T	-	RFQ	9522	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR2105	-	RFQ	8980	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2105	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
1SD418F2-CM1200HB-66H	-	RFQ	9790	电源集成	Scale™-1	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	1SD418F2	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	100NS，100NS
NCP81074AMNTBG	2.0000	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP81074	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.5V，1.9V	10a，10a	4NS，4NS
ISL78420ARTBZ	-	RFQ	8510	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	9-WDFN暴露垫	ISL78420	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	9-TDFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.8V，4V	2a，2a	10n，10n	114 v
MAX627MJA/883B	-	RFQ	6592	ADI/MAXIM集成	军事，MIL-STD-883	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	Max627	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
IR4428STRPBF	-	RFQ	5460	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR4428	反转，无变形	未行业行业经验证	6v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500		低侧	2
IRS2609DSTRPBF	-	RFQ	7505	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2609	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	-	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
L6743Tr	-	RFQ	6722	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6743	不转变	未行业行业经验证	5v〜12v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a， -	-	41 v
PX3517FTMA1	-	RFQ	6656	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	PX3517	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜8V	10-tdson（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000923218	Ear99	8542.39.0001	4,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	2a，2a	10n，10n	30 V
L6571AD013TR	-	RFQ	6782	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6571	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜16.6V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	170mA，270mA	-	600 v
EL7243CMZ-T13	-	RFQ	9742	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	EL7243	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	20-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10ns （最大）
MIC4422AZT	3.5900	RFQ	6581	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
BUK218-50DY，118	-	RFQ	7159	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	BUK218	-	未行业行业经验证	5.5V〜35V	D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	1.2V，3V	8a，8a	-
UCC27516DRST	0.8700	RFQ	8210	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	UCC27516	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	6（3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.4V	4a，4a	8NS，7NS
NCP81161MNTBG	0.4400	RFQ	6554	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP81161	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	-	16ns，11ns	35 v
MIC4604YM-T5	-	RFQ	6755	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4604	不转变	未行业行业经验证	5.25V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1a	20N，20N
IRS2304pbf	1.7267	RFQ	5015	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2304	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.7V，2.3V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
MCP14A0305T-E/MS	1.1400	RFQ	7817	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0305	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
IRS21834STRPBF	3.4600	RFQ	3	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21834	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
EL7156CS-T13	-	RFQ	8067	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7156	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
AUIRS44261S	-	RFQ	2524	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs4426	反转	未行业行业经验证	4.8V〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001513242	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，25ns
tps2814d	1.8500	RFQ	65	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2814	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
L6571BD	2.5900	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6571	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜16.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	170mA，270mA	-	600 v
TC4422VMF	2.2350	RFQ	2298	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4422VMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
IR21271SPBF	2.7600	RFQ	2	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR21271	不转变	未行业行业经验证	9v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方面或低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
UCC27525DSDT	2.5200	RFQ	354	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	UCC27525	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
IR2106PBF	-	RFQ	6342	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²