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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IR2302STRPBF	2.5500	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2302	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
ISL6613IBZ	-	RFQ	9977	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4452VAT	3.8200	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	TC4452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	13a，13a	30ns，32ns
5962-8766001pa	-	RFQ	4529	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-55°C〜125°C	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	5962-8766001	反转	未行业行业经验证	4.5V〜17V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
IR2010SPBF	4.6000	RFQ	2182	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2010	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	3a，3a	10n，15ns	200 v
HIP6601BECBZ	-	RFQ	4100	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP6601	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
ADP3415LRM-REEL7	0.7300	RFQ	5	模拟设备公司	-	大部分	积极的	0°C〜100°C（TA）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	ADP3415	不转变	未行业行业经验证	7V	10-msop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N	30 V
IR2125SPBF	5.1500	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2125	不转变	未行业行业经验证	0v〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	45	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，3.3a	43ns，26ns	500 v
2EDL8112GXUMA1	1.0675	RFQ	3185	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	2EDL8112	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	PG-VDSON-8-4	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	5a，6a	-	120 v
FAN3214TMX-F085	-	RFQ	5731	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3214	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	5a，5a	12ns，9ns
LM5101CMAX/NOPB	1.9800	RFQ	6351	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	118 v
IRS2001pbf	1.7900	RFQ	19	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2001	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
EL7242CS	2.6600	RFQ	1	Elantec	-	大部分	积极的	-40°C 〜85°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7242	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10n
ISL6612CBZA	-	RFQ	5637	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR21716S	-	RFQ	7241	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	-	IR21716	不转变	未行业行业经验证	13v〜20V	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	45	同步	半桥	2	IGBT	-	-	-	600 v
EL7154CSZ-T13	-	RFQ	9102	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.4V	4a，4a	4NS，4NS
TC4423AVPA	2.5300	RFQ	773	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
max15025fatb+t	-	RFQ	5557	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15025	反转，无变形	未行业行业经验证	6.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，4a	48ns，32ns
MCP14A0301T-E/SN	1.0500	RFQ	422	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0301	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	13ns，12ns
tps2816dbvt	2.1700	RFQ	740	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	TPS2816	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，14ns
ADP3634ARHZ-R7	1.8450	RFQ	6481	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	ADP3634	不转变	未行业行业经验证	9.5V〜18V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
Auirs2112s	-	RFQ	3611	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Auirs2112	不转变	未行业行业经验证	3v〜20V	16-Soic	下载		3（168））	到达不受影响	SP001511760	Ear99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	60n，30ns	600 v
IXBD4410SI	-	RFQ	6585	ixys	ISOSMART™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IXBD4410	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IXBD4410SI-NDR	Ear99	8542.39.0001	46	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，3.65V	2a，2a	15ns，15ns	1200 v
IR2104pbf	6.5400	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
EL7457CUZ-T7A	9.4400	RFQ	7557	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-qsop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
2SB315A-2MBI800U4G-1220	-	RFQ	3681	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
TC4467MJD	-	RFQ	1947年	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4467MJD-NDR	Ear99	8542.39.0001	29	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
TC4405COA	3.6900	RFQ	512	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4405	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4405COA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	40n，40n （最大）
tps2815d	1.4720	RFQ	7120	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2815	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
LM5101CMA	-	RFQ	6314	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	118 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²