感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
MIC4452ZT	5.0100	询价	3295	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	TO-220-5	麦克风4452	非反相	未验证	4.5V~18V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-1212	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	12A, 12A	20纳秒、24纳秒
TC4467COE	5.4900	询价	第1659章	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	TC4467	反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	15纳秒，15纳秒
TC4420MJA	36.2300	询价	5129	微芯片	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	56	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
ADP3625ACPZ-RL	-	询价	3128	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	-	ADP3625	-	未验证	-	8-LFCSP	-		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	1	-	-		-	-	-	-
IR2010SPBF	4.6000	询价	2182	英飞凌科技	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	2010年红外	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	3A、3A	10纳秒、15纳秒	200V
1EBN1002AEXUMA1	1.6498	询价	7131	英飞凌科技	EiceDRIVER™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	1EBN1002	非反相	未验证	8V~18V	PG-DSO-14-43	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	-	6	IGBT	-	-	-
TLE7181EMXUMA1	3.9700	询价	9	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	24-LSSOP（0.154"，3.90mm宽）裸露焊盘	TLE7181	非反相	未验证	7V~34V	PG-SSOP-24-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	1V、2V	-	250纳秒、200纳秒	55V
FAN7080MX-GF085	3.0400	询价	4034	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7080	非反相	未验证	5.5V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	300毫安、600毫安	40纳秒、25纳秒	600伏
2SP0320T2A0C-XXXX (2)(3)(4)	239.4533	询价	4395	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-2SP0320T2A0C-XXXX(2)(3)(4)			3
UCC27531DBVR	1.3100	询价	9347	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	UCC27531	非反相	未验证	10V～32V	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.2V	2.5A、5A	15纳秒、7纳秒
UC2708NEG4	-	询价	2207	Texas Instruments	-	管子	过时的	-25°C ~ 85°C (TA)	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	UC2708	非反相	未验证	5V～35V	16-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	25纳秒, 25纳秒
ISL6609AIRZ-TR5453	-	询价	1613	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的				ISL6609		未验证			下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	20-ISL6609AIRZ-TR5453	过时的	0000.00.0000	1
IR2135J	-	询价	2979	英飞凌科技	-	管子	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2135	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2135J	EAR99	8542.39.0001	27	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	90纳秒、40纳秒	600伏
UC3714N	1.4500	询价	4	尤尼罗德	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	UC3714	反相、同相	未验证	7V～20V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，1安	30纳秒、25纳秒
MIC4421CT	-	询价	6464	微芯片	-	大部分	过时的	0℃～150℃（太焦）	通孔	TO-220-5	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	TO-220-5	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
HIP6603BECBZ	-	询价	5194	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	HIP6603	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
SN75372PSRE4	-	询价	8620	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	SIC停产	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.209英寸，5.30毫米宽）	SN75372	反相	未验证	4.75V～5.25V、4.75V～24V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，500毫安	-
HIP2101EIBZ	4.5800	询价	第955章	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	HIP2101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	-1291-HIP2101EIBZ	EAR99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
风扇5009MX	0.3400	询价	125	仙童	-	大部分	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇5009	反相、同相	未验证	10V～13.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	-	40纳秒、20纳秒	15V
DGD21064MS14-13	-	询价	3536	分散公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DGD21064	非反相	未验证	10V～20V	14-SO	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、2.5V	290毫安、600毫安	100纳秒、35纳秒	600伏
AUIR3240S	-	询价	第1237章	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIR3240	非反相	未验证	4V～36V	PG-DSO-8-903	下载		2（1年）	REACH 不出行	SP001513696	EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.9V、2.5V	-	-
LTC7000HMSE#TRPBF	9.9900	询价	6413	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	135V
LM5109BMAX/NOPB	0.9700	询价	3229	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5109	非反相	未验证	8V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	15纳秒，15纳秒	108V
NCP5109ADR2G	1.2400	询价	17号	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCP5109	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	250毫安、500毫安	85纳秒、35纳秒	200V
LTC1177ISW-5	-	询价	2551	模拟器件公司	-	大部分	过时的		表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	LTC1177I	非反相	未验证	4.75V～5.25V	28-SOIC	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	27		高侧	1
LTC7066RMSE#TRPBF	2.0015	询价	6268	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	12-TSSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘				5V~14V	12-MSOP-EP	下载			REACH 不出行	505-LTC7066RMSE#TRPBFTR			2,500人
IR21531	-	询价	7123	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR21531	RC输入电路	未验证	10V～15.6V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	80纳秒、45纳秒	600伏
DHP1140N08P5AUMA1	2.2356	询价	8285	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	不适合新设计				DHP1140		未验证			-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000
UC3706DWG4	-	询价	2555	Texas Instruments	-	管子	SIC停产	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	UC3706	反相、同相	未验证	5V～40V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.5A、1.5A	40纳秒、30纳秒
ISL83202IPZ	-	询价	4516	瑞萨	-	大部分	过时的	-55°C ~ 125°C（太焦）	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		非反相		8.5V～15V	16-PDIP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-ISL83202IPZ-1833			1	独立的	半桥	4	N沟道MOSFET	1V、2.5V	1A、1A	9纳秒，9纳秒	70V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²