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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MIC4469CN	-	RFQ	4927	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MIC4469	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
STSR30D	-	RFQ	6504	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STSR30	不转变	未行业行业经验证	4v〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	1.5a，1.5a	40n，40n
UC3707N	10.2600	RFQ	930	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC3707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n
LTC4446EMS8E ＃PBF	5.8100	RFQ	3	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4446	不转变	未行业行业经验证	7.2v〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
IR2110pbf	3.3000	RFQ	7	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR2110	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	500 v
LM5101ASD	8.0100	RFQ	2029	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
IRS21844pbf	5.8900	RFQ	4154	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS21844	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
IR21362J	-	RFQ	4218	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR21362	反转，无变形	未行业行业经验证	11.5v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR21362J	Ear99	8542.39.0001	13	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
TC4467COE	5.4900	RFQ	1659年	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
IXD611S1T/r。	-	RFQ	9600	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXD611	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	2.4V，2.7V	600mA，600mA	28NS，18NS	600 v
ISL89412IPZ	1.8000	RFQ	7	Intersil	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	ISL89412	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
IR2133J	-	RFQ	9862	Infineon技术	-	管子	过时的	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2133	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2133J	Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
IR21381QPBF	-	RFQ	4307	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	64-BQFP	IR21381	反转，无变形	未行业行业经验证	12.5v〜20V	64-mqfp （20x14）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	660	3相	半桥	6	IGBT	0.8V，2V	350mA，540mA	80n，25ns	600 v
UCC2722222PWP	3.7888	RFQ	3216	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜115°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	UCC27222	不转变	未行业行业经验证	3.7V〜20V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2.6V	4a，4a	17ns，17ns
L6571AD013TR	-	RFQ	6782	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6571	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜16.6V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	170mA，270mA	-	600 v
TC4426AMJA	-	RFQ	1826年	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426AMJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
IRS2308SPBF	2.5000	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2308	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
IRS21844SPBF	1.5881	RFQ	6286	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21844	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	55	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
IR2131JPBF	-	RFQ	1403	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2131	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001547332	Ear99	8542.39.0001	1,134	独立的	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
T6801-Taqy	-	RFQ	1329	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	T6801	不转变	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	单身的	低侧	1	-	-	-	-
LMG1205YFXT	4.1700	RFQ	4400	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-WFBGA，DSBGA	LMG1205	TTL	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	12-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.76V，1.89V	1.2a，5a	7NS，3.5NS	100 v
IR11662SPBF	-	RFQ	9666	Infineon技术	高级智能整流器™	管子	在sic中停产	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR11662	不转变	未行业行业经验证	11.4v〜18v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP001562668	Ear99	8542.31.0001	95	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	1A，4A	21ns，10ns
UCC27516DRST	0.8700	RFQ	8210	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	UCC27516	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	6（3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.4V	4a，4a	8NS，7NS
ISL6614BCRZ	-	RFQ	6604	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	16 QFN （4x4）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IRS21834STRPBF	3.4600	RFQ	3	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21834	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
IR2151S	-	RFQ	9949	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2151	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2151S	Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	125mA，250mA	80n，40n	600 v
IR44252LTRPBF	-	RFQ	9741	Infineon技术	µHVIC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	IR44252	不转变	未行业行业经验证	5v〜18V	PG-SOT23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.7V	300mA，550mA	85NS，40NS
LTC1255in8	-	RFQ	5675	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	LTC1255	不转变	未行业行业经验证	9V〜24V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
IRS21091SPBF	1.1541	RFQ	1065	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
IR2233J	-	RFQ	7386	Infineon技术	-	管子	过时的	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2233	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2233J	Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²