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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IR2106PBF	-	RFQ	6342	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
UC3708JE	4.2000	RFQ	100	单位树	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	UC3708	不转变	未行业行业经验证	5v〜35V	16-CDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	25n，25n
111-4135pbf	-	RFQ	2545	Infineon技术	*	托盘	过时的				111-4135		未行业行业经验证			-		供应商不确定	到达不受影响	SP001531018	过时的	0000.00.0000	1
MIC5011BM	-	RFQ	6288	微芯片技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5011	不转变	未行业行业经验证	4.75V〜32V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	2V，4.5V	-	-
TC4431EOA713	2.9300	RFQ	8610	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4431	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4431EOA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25ns，33ns
Fan7383m	-	RFQ	4553	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（0.209英寸，宽度为5.30mm）	Fan7383	不转变	未行业行业经验证	15v〜20V	14分	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	54	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.9V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v
IXA611M6	-	RFQ	2045	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-vdfn暴露垫	IXA611	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	16-MLP（7x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，7V	600mA，600mA	23ns，22ns	650 v
max620cwn	-	RFQ	4647	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	Max620	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	18-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方向	4	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	-	1.7µs，2.5µs
MIC4452ZT	5.0100	RFQ	3295	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	TO-220-5	MIC4452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1212	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	12a，12a	20N，24NS
IR2136JPBF	2.8800	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2136	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
ISL6210CRZ-T	-	RFQ	5956	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6210	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	16 QFN （4x4）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
FAN7080M-GF085	-	RFQ	1891年	Onmi	汽车，AEC-Q100	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7080	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	300mA，600mA	40ns，25ns	600 v
ISL6614BIBZ	-	RFQ	8689	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	14-Soic	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL6620CRZ	-	RFQ	3223	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl6620crz	Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
IXDS430SI	-	RFQ	4030	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IXDS430	反转，无变形	未行业行业经验证	8.5V〜35V	28-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	27	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	18NS，16NS
NCP4422T	1.3100	RFQ	13	Onmi	*	大部分	积极的				NCP4422		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
TC4422AVMF713	2.3100	RFQ	6229	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	10a，10a	38ns，33ns
L6747C	-	RFQ	8096	Stmicroelectronics	-	托盘	在sic中停产	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	L6747	不转变	未行业行业经验证	5v〜12v	8-vfdfpn（3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3.5a， -	-	41 v
ISL6594ACRZ	-	RFQ	4351	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6594	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC4225MME-TR	2.1800	RFQ	5703	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC4225	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	15ns，15ns
L6498LD	2.7800	RFQ	4798	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6498	CMOS/TTL	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1.45V，2V	2a，2.5a	25n，25n	500 v
max5075baua-t	-	RFQ	7366	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max5075	RC输入电路	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	10n，10n
MIC4606-1YTS-TR	2.2800	RFQ	8897	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	MIC4606	不转变	未行业行业经验证	5.25V〜16V	16ssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	全桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
ISL6612CBZR5238	-	RFQ	5029	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UC3706NG4	-	RFQ	8031	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC3706	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，30ns
ISL6208CRZ	1.1356	RFQ	6820	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
UC2708NEG4	-	RFQ	2207	Texas Instruments	-	管子	过时的	-25°C〜85°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC2708	不转变	未行业行业经验证	5v〜35V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	25n，25n
FAN7382M1X	2.0600	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	Fan7382	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14分	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	60n，30ns	600 v
MIC4422CTL3	-	RFQ	8759	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	300	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
IR2133SPBF	8.1800	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2133	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²