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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
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HIP2101IB	-	RFQ	8287	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
MIC4127BME	-	RFQ	3949	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4127	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，18NS
HIP2122FRTBZ	-	RFQ	4994	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	HIP2122	反转	未行业行业经验证	8v〜14V	10-tdfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	-hip2122frtbz	Ear99	8541.29.0095	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3.7V，7.93V	2a，2a	10n，10n	114 v
L6747C	-	RFQ	8096	Stmicroelectronics	-	托盘	在sic中停产	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	L6747	不转变	未行业行业经验证	5v〜12v	8-vfdfpn（3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3.5a， -	-	41 v
ADP3634ARDZ-R7	1.6800	RFQ	1027	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3634	不转变	未行业行业经验证	9.5V〜18V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
IRS2011STSTRPBF	2.8200	RFQ	10	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2011	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2.5V	1a，1a	25ns，15ns	200 v
DRV8304HRHAT	3.8500	RFQ	270	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	40-VFQFN暴露垫	DRV8304	不转变	未行业行业经验证	6v〜38V	40-VQFN （6x6）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	3相	高方面或低侧	3	n通道MOSFET	0.8V，1.5V	150mA，300mA	300NS，150NS
IXDN409YI	-	RFQ	6816	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDN409	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	TO-263-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	9a，9a	10n，10n
L9380	-	RFQ	6350	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	L9380	不转变	未行业行业经验证	7v〜18.5V	20-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	独立的	高方向	3	n通道MOSFET	1V，3V	-	-
LM5102SD/NOPB	3.5100	RFQ	153	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5102	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
IR2235JPBF	13.3291	RFQ	2587	Infineon技术	-	管子	积极的	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2235	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,134	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
IR2301pbf	5.4700	RFQ	282	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2301	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
SC1302Estrt	-	RFQ	6842	Semtech Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SC1302	反转	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	-		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	20N，20N
IR2136JTR	-	RFQ	7652	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2136	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
HIP2105FRZ-T	0.4676	RFQ	2222	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	HIP2105	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	20-hip2105frz-ttr	Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.65V，1.3V	4a，4a	15ns，15ns
L6386D013TR	-	RFQ	4093	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6386	反转	未行业行业经验证	（17V））	14件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
max4429csa+t	-	RFQ	2851	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
TLE7182EMXUMA1	4.5300	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24-lssop （0.154英寸，3.90mm宽）	TLE7182	反转，无变形	未行业行业经验证	7v〜34V	PG-SSOP-24-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	4	n通道MOSFET	1V，2V	-	250NS，200NS	55 v
tps2811d	3.5000	RFQ	200	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2811	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
ISL6610IBZ	-	RFQ	8920	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6610	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
IR2112-2	-	RFQ	6212	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62毫米），14个线索	IR2112	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	-2	Ear99	8542.39.0001	25	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
NCP3418APDR2	-	RFQ	9456	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP3418	不转变	未行业行业经验证	4.6V〜13.2V	8-SOIC-EP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	18NS，10NS	30 V
IR2153DPBF	2.8700	RFQ	5	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2153	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
MIC4480ME-TR	-	RFQ	3563	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4480	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜32V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	2.5a，2.5a	120NS，45NS
1SD1548AI	-	RFQ	4372	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	模块	1SD1548	-	未行业行业经验证	15V	模块	下载		不适用			Ear99	8473.30.1180	1	-	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	48a，48a	-
TC1411NEPA	1.8000	RFQ	45	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1411	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1411NEPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
tps2832d	2.3673	RFQ	6528	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2832	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.7a，2.4a	50n，50n	28 V
1SD418F2-CM1200HC-66H	-	RFQ	3094	电源集成	Scale™-1	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	1SD418F2	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	100NS，100NS
MP18021HN-LF	-	RFQ	2479	Monolithic Power Systems Inc.	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MP18021	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-soice	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	100 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²