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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
IRS21851SPBF	-	RFQ	1060	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21851	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001542848	Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	15ns，15ns	600 v
IRS2109pbf	1.5800	RFQ	950	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2109	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载					Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
LTC1177CSW-12	-	RFQ	9306	模拟设备公司	-	大部分	过时的		表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LTC1177C	不转变	未行业行业经验证	11.4v〜12.6v	28-Soic	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	27		高方向	1
ISL6608CB-T	-	RFQ	3160	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6608	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	22 v
HIP6601BCBZ	-	RFQ	9205	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP6601	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-HIP6601BCBZ	Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
Adum4221-1ariz-rl	8.2700	RFQ	5183	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	ADUM4221	反转，无变形	未行业行业经验证	2.5V〜6.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	IGBT	1.5V，3.5V	4a，6a	25n，25n
IR2213STRPBF	6.4900	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2213	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2.5a	25ns，17ns	1200 v
2EDN7524RXUMA1	-	RFQ	6954	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	2EDN7524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-TSSOP-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	5a，5a	5.3NS，4.5NS
EL7252CN	4.1500	RFQ	2	Elantec	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7252	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10n
IR2118STRPBF	2.6900	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
MIC5015BM	-	RFQ	6814	微芯片技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5015	反转	未行业行业经验证	2.75V〜30V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
MIC5015YN	3.2500	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC5015	反转	未行业行业经验证	2.75V〜30V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
max4429cpa+	4.0300	RFQ	91	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX4429CPA+	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
MC33151VDR2G	1.6700	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns
MIC4604YM-TR	0.9500	RFQ	12	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4604	不转变	未行业行业经验证	5.25V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1a	20N，20N
MIC4422ABM-TR	-	RFQ	8722	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
ISL6615CRZ-T	-	RFQ	4708	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
ISL6614ACBZA	-	RFQ	9853	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IRS26310DJPBF	-	RFQ	9134	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IRS26310	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载		3（168））	到达不受影响	SP001548964	Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
IR2155pbf	-	RFQ	6415	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2155	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	250mA，500mA	80ns，45ns	600 v
IR2301SPBF	-	RFQ	5161	国际整流器	*	大部分	积极的				IR2301					下载		2（1年）	到达不受影响	2156-IR2301SPBF-600047	Ear99	8542.39.0001	1									未行业行业经验证
IR2213S	-	RFQ	3947	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2213	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2213S	Ear99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2.5a	25ns，17ns	1200 v
IR2233STRPBF	9.3500	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2233	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
SG1644T-DESC	-	RFQ	1883年	微芯片技术	军事，MIL-STD-883	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-99-8金属罐	SG1644	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	到99	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG1644T-DESC	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2V	500mA，500mA	35ns，30ns
TPS2818DBVT	0.9800	RFQ	5	Texas Instruments	*	大部分	积极的				TPS2818		未行业行业经验证			下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-TPS2818DBVT-296			1
IRS21834pbf	3.3400	RFQ	7	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS21834	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
ISL89162FRTBZ	3.2600	RFQ	723	Intersil	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89162	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.85V，3.15V	6a，6a	20N，20N
2SB315B-2MBI800U4G-170	-	RFQ	9404	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
UC3710DWTR	4.4600	RFQ	1	Texas Instruments	*	大部分	积极的				UC3710		未行业行业经验证			下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000
MPQ18021HN-A-AEC1-LF-P	-	RFQ	6936	Monolithic Power Systems Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MPQ18021	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-soice	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	1589-MPQ18021HN-AA-AA-AEC1-LF-PTR	Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	115 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²