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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
HIP6602BCRZA-T	-	RFQ	2576	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP6602	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
MIC4127MME	1.2200	RFQ	690	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC4127	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，18NS
UC2710N	12.1120	RFQ	5217	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC2710	反转，无变形	未行业行业经验证	4.7V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	6a，6a	85ns，85ns
IR2235STRPBF	10.4400	RFQ	5366	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2235	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
ADP3629ARZ-R7	2.9800	RFQ	714	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3629	反转	未行业行业经验证	9.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	10n，10n
ISL6612IRZ-T	-	RFQ	8600	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC4422AZT	3.5900	RFQ	6581	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
EL7243CMZ-T13	-	RFQ	9742	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	EL7243	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	20-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10ns （最大）
ISL6620IBZ	-	RFQ	6338	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl6620ibz	Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
max5078aatt-t	-	RFQ	7170	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5078	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	6-TDFN （3x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，4a	32ns，26ns
TC4423CPA	3.4100	RFQ	116	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
ISL6609AIBZ-T	-	RFQ	9568	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6609	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	- ，4A	8ns，8ns	36 V
ICL7667EBA+t	-	RFQ	1578年	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜17V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	-	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
ISL6605IBZ-T	-	RFQ	8063	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
ISL6615ACRZ	-	RFQ	3306	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
Auirs2124	-	RFQ	1243	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs2124	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响	SP001511382	Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	-	500mA，500mA	80n，80n	600 v
MC33153DG	2.8500	RFQ	211	Onmi	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33153	反转	未行业行业经验证	11V〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MC33153DGOS	Ear99	8542.39.0001	98	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，3.2V	1a，2a	17ns，17ns
ISL89401ABZ-TK	-	RFQ	2016	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89401	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.4V，2.2V	1.25a，1.25a	16ns，16ns	100 v
1SD1548AI UL	131.2500	RFQ	7127	电源集成	Scale™-1	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	模块	1SD1548	-	未行业行业经验证	15V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	16	-	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	48a，48a	-
2SB315B-2MBI800VT-170E	-	RFQ	8339	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
LM25101CMY/NOPB	2.3760	RFQ	8352	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LM25101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	100 v
MCP14E6T-E/MF	2.0550	RFQ	4813	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14E6	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns
A4937Klptr-at	2.4600	RFQ	9304	Allegro微型系统	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	A4937	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜50V	28-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	8,000	3相	半桥	6	n通道MOSFET	-	-	-
IRS21281SPBF	-	RFQ	2064	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21281	反转	未行业行业经验证	9v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001542700	Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	80n，40n	600 v
IXG611P1	-	RFQ	3823	ixys	-	盒子	过时的	-	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXG611	-	未行业行业经验证	-	8点	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	-	-		-	-	-	-
ISL6612BECB	-	RFQ	5152	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL89166FBEAZ-T	-	RFQ	2845	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89166	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
HIP2123FRTAZ	-	RFQ	2035	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	HIP2123	反转	未行业行业经验证	8v〜14V	10-tdfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.4V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
IR2135STR	-	RFQ	3338	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2135	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
IGD515EI-34	216.4104	RFQ	8110	电源集成	Scale™-1	托盘	积极的	-40°C〜85°C	通过洞	36浸，24条线索	IGD515	-	未行业行业经验证	12v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	24	单身的	高方面或低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.9V，3.8V	15a，15a	40n，40n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²