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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
IXA611M6	-	RFQ	2045	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-vdfn暴露垫	IXA611	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	16-MLP（7x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，7V	600mA，600mA	23ns，22ns	650 v
IRS2101pbf	1.1700	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2101	不转变		10v〜20V	8-pdip	下载					Ear99	8542.39.0001	257	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v	未行业行业经验证
LTC7063RMSE＃trpbf	2.0015	RFQ	4481	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	12-tssop （0.118英寸，3.00mm宽）				6v〜14V	12-msop-ep	下载			到达不受影响	505-LTC7063RMSE＃trpbftr	Ear99	8542.39.0001	2,500
2ED1323S12PXUMA1	5.8200	RFQ	1266	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-bessop（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		不转变		13v〜25V	PG-DSO-20-U03	-		3（168））					1,000	同步	半桥	1	IGBT		2.3a，2.3a		1200 v
2ED1322S12MXUMA1	5.2900	RFQ	7001	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-		3（168））					1,000
TMC6200-TA	5.3800	RFQ	7391	ADI/MAXIM集成	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	48-TQFP暴露垫		不转变		10v〜60V	48-TQFP-EP（7x7）	-					Ear99	8542.39.0001	250	3相	半桥	3	n通道MOSFET	-		-
drv8300 -dipwr	1.6900	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	20-tssop （0.173“，4.40mm宽度）	DRV8300	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	20-tssop	下载	不适用	2（1年）		296-DRV8300DIPWRTR	Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	高侧和低侧	3	n通道MOSFET	0.8V，2V	750mA，1.5a	12n，12ns	105 v
DRV8300NPWR	1.6900	RFQ	8	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	20-tssop （0.173“，4.40mm宽度）	DRV8300	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	20-tssop	下载	不适用	2（1年）			Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	高侧和低侧	3	n通道MOSFET	0.8V，2V	750mA，1.5a	12n，12ns	105 v
drv8300udipwr	1.6500	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	20-tssop （0.173“，4.40mm宽度）	DRV8300	不转变	未行业行业经验证	8.7V〜20V	20-tssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	750mA，1.5a	24ns，12ns	125 v
ISL6208DHRZ-TS2378	-	RFQ	5802	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN（2x2）	-				20-ISL6208DHRZ-TS2378	过时的		1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
ISL6208CBZ-TS2568	-	RFQ	6045	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载				20-ISL6208CBZ-TS2568	过时的		1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
ISL95808BW	-	RFQ	3146	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	-	-	-	ISL95808	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	-	-				20-ISL95808BW			1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
HIP2211FBZ-T	1.9100	RFQ	9003	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2211	不转变		6v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.47V，1.84V	3a，4a	20N，20N	115 v	未行业行业经验证
1EDN9550BXTSA1	0.5863	RFQ	6621	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	1EDN9550	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-SOT23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高侧和低侧	2	N通道MOSFET，SIC MOSFET	-	5.2a，9.4a	1NS，1NS	400 v
TD350IDT	-	RFQ	8541	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	TD350	不转变	未行业行业经验证	12v〜26V	14件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，4.2V	1.5a，2.3a	130NS，75NS （最大）
ISL6613BCB-T	-	RFQ	7247	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UCC37322D	1.5600	RFQ	2	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37322	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
LM5110-2SDX	-	RFQ	6220	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	反转	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
UCC27526DSDR	1.2900	RFQ	3	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	UCC27526	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
DGD0547FN-7	-	RFQ	3568	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	DGD0547	CMOS/TTL	未行业行业经验证	0.3V〜60V	W-DFN3030-10	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，2a	16ns，12ns	50 V
AMT49107KEVSR-3-T	5.6000	RFQ	5238	Allegro微型系统	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TA）	表面安装，可润湿的侧面	48-VFQFN暴露垫		不转变		4.5V〜50V	48-qfn （7x7）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	620-AMT49107KEVSR-3-T			4,000	3相	半桥	6	n通道MOSFET	0.99V，2.1V	1.1a，2.2a	-
AMT49100KJPTR-B-5	3.5111	RFQ	2044	Allegro微型系统	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TA）	表面安装	48-LQFP暴露垫		不转变		5v〜80V	48-LQFP-EP（7x7）	下载	rohs3符合条件			620-AMT49100KJPTR-B-5			4,500	3相	半桥	6	n通道MOSFET	1.5V，3.5V	2.4a，4.2a	-
A89500Kejsr	1.9400	RFQ	7848	Allegro微型系统	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TA）	表面安装，可润湿的侧面	10-WFDFN暴露垫		不转变		8v〜15v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	620-A89500Kejsr			6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2.7a，2.7a	105NS，46NS	100 v
EL7154CN	-	RFQ	6663	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.4V	4a，4a	4NS，4NS
DGD2103MS8-13	1.1600	RFQ	11	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2103	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
AUIRS2003S	-	RFQ	6063	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auiirs2003	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响	SP001514376	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
ISL6614ACR-T	-	RFQ	5309	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
max4420esa+t	3.2100	RFQ	3831	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
IRS26310DJPBF	-	RFQ	9134	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IRS26310	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载		3（168））	到达不受影响	SP001548964	Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
MIC5013YN	7.4300	RFQ	54	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC5013	不转变	未行业行业经验证	7v〜32v	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1232	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	2V，4.5V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²