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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
LM5111-3M/NOPB National Semiconductor LM5111-3M/NOPB -
RFQ
 ECAD 5027 0.00000000 国家半导体 汽车，AEC-Q100 大部分 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 反转，无变形 3.5V〜14V 8-SOIC - Rohs不合规 供应商不确定 2156-LM5111-3M/NOPB-14 1 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2 V 3a，5a 14ns，12ns
ADP3110KRZ-RL ADI adp3110krz-rl -
RFQ
 ECAD 6620 0.00000000 模拟设备公司 - 大部分 过时的 0°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 不转变 4.15v〜13.2V 8-SOIC - Rohs不合规 供应商不确定 2156-ADP3110KRZ-RL-505 1 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V - 40n，30ns 30 V
UCC37324DGN Unitrode UCC37324DGN -
RFQ
 ECAD 8482 0.00000000 单位树 * 大部分 积极的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UCC37324DGN-600018 1
LT1158CSW#PBF Linear Technology LT1158CSW ＃PBF -
RFQ
 ECAD 2340 0.00000000 线性技术 - 大部分 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 反转，无变形 5V〜30V 16件事 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-LT1158CSW ＃PBF-600060 1 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 500mA，500mA 130ns，120ns 56 v
ISL83202IPZ Renesas ISL83202IPZ -
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 -55°C〜125°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） 不转变 8.5V〜15V 16-PDIP - Rohs不合规 供应商不确定 2156-ISL83202IPZ-1833 1 独立的 半桥 4 n通道MOSFET 1V，2.5V 1a，1a 9NS，9NS 70 v
DGD0597FU-7 Diodes Incorporated DGD0597FU-7 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-vqfn裸露的垫子 不转变 4.5V〜5.5V V-QFN3030-8 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.5V 1.5a，2.5a 7NS，5NS 40 V
2EDL8033G4CXTMA1 Infineon Technologies 2EDL8033G4CXTMA1 2.4000
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vdfn裸露的垫子 不转变 8v〜17V PG-VDSON-10-2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 5,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 3a，6a 4.6NS，3.3NS 120 v
UCC27323DGN Unitrode UCC27323DGN -
RFQ
 ECAD 4742 0.00000000 单位树 * 大部分 积极的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UCC27323DGN-600018 1
IRS2127PBF onsemi IRS2127pbf -
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 ECAD 9275 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TA） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） 不转变 12v〜20V 8点 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-irs2127pbf-488 1 单身的 高侧和低侧 1 n通道MOSFET 0.8V，2.5V 200ma，420mA 80n，40n 600 v
QC962 Mornsun America, LLC QC962 -
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 ECAD 4223 0.00000000 Mornsun America，LLC - 托盘 过时的 -20°C〜70°C 通过洞 14 sip模块，12条线索 不转变 -7V〜 -10V，14V〜15V 模块 - rohs3符合条件 （1 （无限） 2725-QC962 过时的 60 单身的 高方面或低侧 1 IGBT - 5a，5a 600NS，400NS
PMC41420AUMA1 Infineon Technologies PMC41420AUMA1 1.7050
RFQ
 ECAD 1204 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - rohs3符合条件 448-PMC41420AUMA1TR 5,000
PMC41430AUMA1 Infineon Technologies PMC41430AUMA1 1.8470
RFQ
 ECAD 9046 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - rohs3符合条件 448-PMC41430AUMA1TR 5,000
ADP3419JRMZ-REEL ADI ADP3419JRMZ-REEL 0.9600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 模拟设备公司 * 大部分 积极的 ADP3419 未行业行业经验证 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-ADP3419JRMZ-REEL-505 1
MCP1405-E/SO Microchip Technology MCP1405-E/SO 2.5350
RFQ
 ECAD 4706 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） MCP1405 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.4V 4.5a，4.5a 15NS，18NS
MIC4427ZM-TR Microchip Technology MIC4427ZM-TR 1.4500
RFQ
 ECAD 4541 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MIC4427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.5a，1.5a 20N，29NS
MAX5056BASA-T ADI/Maxim Integrated max5056basa-t -
RFQ
 ECAD 6134 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） Max5056 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.1V 4a，4a 32ns，26ns
LM5102MM/NOPB Texas Instruments LM5102MM/NOPB 3.5100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度） LM5102 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 10-VSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 1.6a，1.6a 600NS，600NS 118 v
MCP1403T-E/SN Microchip Technology MCP1403T-E/SN 2.4150
RFQ
 ECAD 1246 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCP1403 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MCP1403T-E/SNTR Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.4V 4.5a，4.5a 15NS，18NS
MAX628CPA+ ADI/Maxim Integrated max628cpa+ 9.8300
RFQ
 ECAD 4609 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 0°C〜70°C（TA） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） Max628 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -4941-MAX628CPA+ Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 2a，2a 25NS，20NS
LM5111-3MX/NOPB Texas Instruments LM5111-3MX/NOPB 2.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LM5111 反转，无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 3a，5a 14ns，12ns
MIC4425BM Microchip Technology MIC4425BM -
RFQ
 ECAD 8482 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MIC4425 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 3a，3a 28ns，32ns
LTC7004HMSE#PBF ADI LTC7004HMSE ＃PBF 8.3500
RFQ
 ECAD 4930 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽） LTC7004 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜15V 10-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -2735-LTC7004HMSE ＃PBF Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 90NS，40NS 60 V
TC4469CPD Microchip Technology TC4469CPD 5.5500
RFQ
 ECAD 507 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜150°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） TC4469 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 14-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 30 独立的 低侧 4 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.2a，1.2a 15ns，15ns
LMG1210RVRT Texas Instruments LMG1210RVRT 6.3300
RFQ
 ECAD 4489 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 19-WFQFN暴露垫 LMG1210 不转变 未行业行业经验证 4.75V〜5.25V，6v〜18V 19-wqfn （3x4） 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 1.5a，3a 500PS，500PS 200 v
UCC27321DGNR Texas Instruments UCC27321DGNR 0.6600
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） UCC27321 反转 未行业行业经验证 4V〜15V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 1V，2V 9a，9a 20N，20N
ISL78420ARTBZ Renesas Electronics America Inc ISL78420ARTBZ -
RFQ
 ECAD 8510 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 汽车，AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 9-WDFN暴露垫 ISL78420 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 9-TDFN （4x4） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1.8V，4V 2a，2a 10n，10n 114 v
DGD21064S14-13 Diodes Incorporated DGD21064S14-13 -
RFQ
 ECAD 4478 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） DGD21064 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14件事 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.6V，2.5V 290mA，600mA 100NS，35NS 600 v
MIC4429ZN Microchip Technology MIC4429ZN 2.4800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） MIC4429 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 576-1207 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 6a，6a 12n，13ns
IX4428NTR IXYS Integrated Circuits Division ix4428ntr 1.2400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IX4428 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.5a，1.5a 10n，8ns
MIC4469BWM TR Microchip Technology MIC4469BWM TR -
RFQ
 ECAD 7268 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） MIC4469 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.2a，1.2a 14ns，13ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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