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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MP1921HN-A-LF | - | ![]() | 3227 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MP1921 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9v〜18V | 8-soice | 下载 | rohs3符合条件 | 2a (4周) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2.4V | 2.5a,2.5a | 12ns,9ns | 120 v | ||
![]() | 1SP0635V2M1-5SNA1200E330100 | 303.3133 | ![]() | 2203 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 底盘安装 | 模块 | 1Sp0635 | - | 未行业行业经验证 | 14.5v〜15.5V | 模块 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8473.30.1180 | 6 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | - | 35a,35a | 9ns,30ns | ||||
![]() | ISL89163FRTCZ | - | ![]() | 4998 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | ISL89163 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.5V〜16V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -isl89163frtcz | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 2.4V,9.6V | 6a,6a | 20N,20N | ||
![]() | 2SB315B-2MBI1200U4G-170 | - | ![]() | 5448 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | 模块 | 2SB315 | - | 未行业行业经验证 | 0v〜16V | 模块 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8473.30.1180 | 2 | 单身的 | 半桥 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | - | - | - | |||||
![]() | UCD7100PWPRG4 | - | ![]() | 8788 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TJ) | 表面安装 | 14-POWERTSOP (0.173英寸,4.40mm((4.40mm)) | UCD7100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.25V〜15V | 14-htssop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 1.16V,2.08V | 4a,4a | 10n,10n | |||
![]() | 2ED2738S01GXTMA1 | 3.1900 | ![]() | 5875 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | IR4426SPPBF | 0.9500 | ![]() | 665 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR4426 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 2(1年) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 2.3a,3.3a | 15ns,10ns | |||
![]() | MCP14A0454-E/SN | 1.5500 | ![]() | 243 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14A0454 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT | 0.8V,2V | 4.5a,4.5a | 12n,12ns | |||
![]() | EL7457CS | - | ![]() | 9522 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | EL7457 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 47 | 独立的 | 高方面或低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,2a | 13.5ns,13ns | |||||
![]() | IXJ611P1 | - | ![]() | 3906 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | - | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXJ611 | - | 未行业行业经验证 | - | 8点 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 450 | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | MCP14E6T-E/MF | 2.0550 | ![]() | 4813 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MCP14E6 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 12n,15ns | |||
![]() | NCP5106APG | - | ![]() | 9641 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | NCP5106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.3V | 250mA,500mA | 85ns,35ns | 600 v | |||
ISL6208CHRZ-TR5675 | - | ![]() | 3260 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -10°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vfdfn裸露的垫子 | ISL6208 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.5V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 33 V | |||
![]() | MIC4420YN | 2.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | MIC4420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 576-1190 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 12n,13ns | ||
![]() | MCP14A1201T-E/MNYVAO | - | ![]() | 5783 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | MCP14A1201 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-tdfn (2x3) | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2V | 12a,12a | 25n,25n | |||||
![]() | adp3624ardz | 3.1500 | ![]() | 277 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ADP3624 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 4a,4a | 10n,10n | |||
![]() | MIC4127MME | 1.2200 | ![]() | 690 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | MIC4127 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 20N,18NS | |||
![]() | HIP2123FRTAZ | - | ![]() | 2035 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | HIP2123 | 反转 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 10-tdfn (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.4V,2.2V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v | ||
![]() | LTC7066RMSE#trpbf | 2.0015 | ![]() | 6268 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 12-tssop (0.118英寸,3.00mm宽) | 5v〜14V | 12-msop-ep | 下载 | 到达不受影响 | 505-LTC7066RMSE#trpbftr | 2,500 | ||||||||||||||||
![]() | MIC4420Y | 2.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 12n,13ns | |||
![]() | max5054bata+t | 12.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Max5054 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.1V | 4a,4a | 32ns,26ns | |||
![]() | 1SP0335V2M1-33 | 306.6050 | ![]() | 2686 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 模块 | 1Sp0335 | - | 未行业行业经验证 | 23.5v〜26.5V | 模块 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 1810-1009 | Ear99 | 8473.30.1180 | 6 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | - | 35a,35a | 9ns,30ns | 3300 v | ||
![]() | VLA541-11R | - | ![]() | 4777 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 大部分 | 积极的 | VLA541 | 未行业行业经验证 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 1SC0450E2B0C-45 | 152.6983 | ![]() | 1300 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 积极的 | - | 596-1SC0450E2B0C-45 | 12 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MCP14E8T-E/SN | 1.9650 | ![]() | 7336 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14E8 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 12n,15ns | |||
![]() | Max17605ata+t | 1.2450 | ![]() | 1959年 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Max17605 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,SIC MOSFET | 2V,4.25V | 4a,4a | 40ns,25ns | |||
![]() | UC2707Q | - | ![]() | 3073 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 20-lcc(j-lead) | UC2707 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 5V〜40V | 20-PLCC (9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.5a,1.5a | 40n,40n | |||
![]() | AUIR2085S | - | ![]() | 6414 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AUIR2085 | RC输入电路 | 未行业行业经验证 | 10v〜15V | PG-DSO-8-904 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | SP001513986 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1a,1a | 40NS,20NS | 100 v | ||
![]() | ISL6612ACB-T | - | ![]() | 2650 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | MIC4468BWM TR | - | ![]() | 8610 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MIC4468 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.2a,1.2a | 14ns,13ns |
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