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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序） sic可编程
MPQ18021HN-A-AEC1-LF-P Monolithic Power Systems Inc. MPQ18021HN-A-AEC1-LF-P -
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MPQ18021 不转变 未行业行业经验证 9v〜18V 8-soice - rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 1589-MPQ18021HN-AA-AA-AEC1-LF-PTR Ear99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2.4V 2.5a，2.5a 12ns，9ns 115 v
LTC7062IMSE#WTRPBF ADI ltc7062imse＃wtrpbf 2.3850
RFQ
 ECAD 5424 0.00000000 模拟设备公司 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 12-tssop （0.118英寸，3.00mm宽） LTC7062 不转变 未行业行业经验证 5v〜14V 12-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方向 2 n通道MOSFET - - 18NS，14NS 115 v
LTC3900HS8#PBF ADI LTC3900HS8 ＃PBF 6.5283
RFQ
 ECAD 5970 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LTC3900 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜11V 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 低侧 2 n通道MOSFET - 2a，2a 15ns，15ns
TC4428AVOA713 Microchip Technology TC4428AVOA713 1.3500
RFQ
 ECAD 8420 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TC4428 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 TC4428AVOA713-NDR Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.5a，1.5a 25n，25n
BD2320UEFJ-LAE2 Rohm Semiconductor BD2320UEFJ-LAE2 2.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BD2320 不转变 未行业行业经验证 7.5V〜14.5V 8-HTSOP-J 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.7V，1.5V 3.5a，4.5a 8ns，6ns 100 v
TC4404EOA713 Microchip Technology TC4404EOA713 2.9300
RFQ
 ECAD 3676 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TC4404 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 TC4404EOA713-NDR Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.4V 1.5a，1.5a 40n，40n （最大）
UCC27423QDGNRQ1 Texas Instruments UCC27423QDGNRQ1 0.5670
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 ECAD 6163 0.00000000 Texas Instruments 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） UCC27423 反转 未行业行业经验证 4V〜15V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 1V，2V 4a，4a 20N，15n
IR2213SPBF International Rectifier IR2213SPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 4492 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IR2213 不转变 12v〜20V 16-Soic 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V 2a，2.5a 25ns，17ns 1.2 v 未行业行业经验证
LTC3900IS8#PBF ADI LTC3900IS8 ＃PBF 7.8700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LTC3900 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜11V 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 低侧 2 n通道MOSFET - 2a，2a 15ns，15ns
MIC4421YM Microchip Technology MIC4421YM 2.3500
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MIC4421 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 576-1193 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 低侧 1 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.4V 9a，9a 20N，24NS
DGD21814S14-13 Diodes Incorporated DGD21814S14-13 1.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） DGD21814 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14件事 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 1.9a，2.3a 40NS，20NS 600 v
IXD611S1T/R IXYS IXD611S1T/r。 -
RFQ
 ECAD 9600 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXD611 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 2.4V，2.7V 600mA，600mA 28NS，18NS 600 v
LM27222SD Texas Instruments LM27222SD -
RFQ
 ECAD 3033 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 LM27222 不转变 未行业行业经验证 4V〜6.85V 8-wson（4x4） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 3a，4.5a 17ns，12ns 33 V
IR2183PBF Infineon Technologies IR2183PBF 5.7500
RFQ
 ECAD 870 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IR2183 反转，无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.7V 1.9a，2.3a 40NS，20NS 600 v
IR2235S Infineon Technologies IR2235S -
RFQ
 ECAD 7424 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 125°C（TJ） 表面安装 28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IR2235 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IR2235S Ear99 8542.39.0001 25 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2V 250mA，500mA 90NS，40NS 1200 v
LM5101CMYX/NOPB Texas Instruments LM5101CMYX/NOPB 1.9800
RFQ
 ECAD 6670 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTSOP，8-MSOP （0.118英寸，3.00mm宽度） LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V， - 1a，1a 990NS，715NS 118 v
SC1301BISKTRT Semtech Corporation SC1301Bisktrt -
RFQ
 ECAD 8930 0.00000000 Semtech Corporation - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SC-74A，SOT-753 SC1301 反转 未行业行业经验证 4.5v〜16.5V SOT-23-5 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V，2V 2a，2a 20N，20N
R2J20656ANP#G0 Renesas Electronics America Inc R2J20656ANP ＃G0 8.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 R2J20656 未行业行业经验证 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500
IR21271PBF Infineon Technologies IR21271pbf 4.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IR21271 不转变 未行业行业经验证 9v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 高方面或低侧 1 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3V 250mA，500mA 80n，40n 600 v
ISL89410IPZ Renesas Electronics America Inc ISL89410IPZ -
RFQ
 ECAD 4553 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ISL89410 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 2a，2a 7.5NS，10NS
IRS2330JTRPBF Infineon Technologies IRS2330JTRPBF -
RFQ
 ECAD 3743 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 44-LCC（J-LEAD），32个领先优势 IRS2330 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58） 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.2V 250mA，500mA 80n，35ns 600 v
TPS2815DR Texas Instruments tps2815dr 0.9195
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPS2815 反转 未行业行业经验证 4V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 1V，4V 2a，2a 14ns，15ns
1SC0450V2A0-45 Power Integrations 1SC0450V2A0-45 225.1767
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 电源集成 Scale™-2 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 模块 1SC0450 - 未行业行业经验证 14.5v〜15.5V 模块 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1810-1002 Ear99 8473.30.1180 12 单身的 高方面或低侧 1 IGBT - 50a，50a 30ns，25ns 4500 v
NCP81381MNTXG onsemi NCP81381MNTXG -
RFQ
 ECAD 6600 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 36-TFQFN暴露垫 NCP81381 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 36 QFN （6x4） - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方面或低侧 1 n通道MOSFET - - - 35 v
UC3715N Texas Instruments UC3715N -
RFQ
 ECAD 3808 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 0°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） UC3715 不转变 未行业行业经验证 7v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2V 500mA，1a 30ns，25ns
ICL7667EBA+T ADI/Maxim Integrated ICL7667EBA+t -
RFQ
 ECAD 1578年 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ICL7667 反转 未行业行业经验证 4.5V〜17V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 - 2 n通道MOSFET 0.8V，2V - 20N，20N
IR2103S Infineon Technologies IR2103S -
RFQ
 ECAD 3017 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IR2103 反转，无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3V 210mA，360mA 100NS，50NS 600 v
FAN7083CM_F085 onsemi FAN7083CM_F085 -
RFQ
 ECAD 5085 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） Fan7083 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 9,500 单身的 高方向 1 IGBT，N通道MOSFET - 200mA，400mA 200NS，25NS 600 v
FAN7190MX Fairchild Semiconductor FAN7190MX -
RFQ
 ECAD 7141 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） Fan7190 不转变 未行业行业经验证 10v〜22v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 1.2V，2.5V 4.5a，4.5a 25NS，20NS 600 v
UCC27201ATDA2 Texas Instruments UCC27201ATDA2 23.1490
RFQ
 ECAD 2219 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 表面安装 死 UCC27201 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 死 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 10 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.5V 3a，3a 8NS，7NS 120 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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