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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
NCD5703BDR2G	1.2285	RFQ	2317	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCD5703	不转变	未行业行业经验证	20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	半桥	1	IGBT	0.75V，4.3V	7.8a，6.8a	9.2NS，7.9NS
ICL7667CPAZ	4.8300	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	-	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
TC4426AVOA	1.7800	RFQ	9420	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426AVOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
98-0231	-	RFQ	2514	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
L6395d	2.1500	RFQ	55	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6395	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-14335-5	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.9V	290mA，430mA	75ns，35ns	600 v
LM5109ASD/NOPB	1.7900	RFQ	7	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
L6387D	-	RFQ	7551	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-45°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6387	反转	未行业行业经验证	（17V））	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
max5055555basa+	11.1100	RFQ	100	ADI/MAXIM集成	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5055	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
TC4405EOA	3.8400	RFQ	135	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4405	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4405EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	40n，40n （最大）
ISL89160FRTAZ-T	-	RFQ	4288	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89160	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
ZXGD3006E6QTA	0.7000	RFQ	25	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXGD3006	不转变	未行业行业经验证	（40V））	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，SIC MOSFET	-	10a，10a	48ns，35ns
IR2109STR	-	RFQ	1274	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2109	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
ICL7667CBA	-	RFQ	8580	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜17V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	-	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
MC33395TEW	-	RFQ	7290	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	32-bessop （0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MC33395	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜24V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	42	3相	半桥	6	n通道MOSFET	-	-	350n，250n
VLA553-02R	267.1720	RFQ	3988	Powerex Inc.	-	大部分	积极的	-25°C〜70°C（TA）	底盘安装	模块	VLA553	不转变	未行业行业经验证	14.2v〜15.8V	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		835-1189	Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT	-	24a，24a	-
MCP14E3-E/SN	2.3500	RFQ	3381	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E3	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS
MIC5011BM	-	RFQ	6288	微芯片技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5011	不转变	未行业行业经验证	4.75V〜32V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	2V，4.5V	-	-
max15012basa+	4.5800	RFQ	1	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max15012	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	65ns，65ns	175 v
TC1428CPA	1.5500	RFQ	301	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
1EBN1001AEXUMA1	3.2800	RFQ	4	Infineon技术	Automotive，AEC-Q100，eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	1EBN1001	-	未行业行业经验证	13v〜18V	PG-DSO-14-43	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.5V，3.5V	-	50NS，90NS	1200 v
DGD05463M10-13	0.2688	RFQ	9947	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	DGD05463	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜14V	10-msop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，2.5a	17ns，12ns	50 V
ISL6614CRZR5238	-	RFQ	6575	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UC3715DP	1.4700	RFQ	2	单位树	-	大部分	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC3715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
LM5101BMAX	-	RFQ	7668	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	2a，2a	570NS，430NS	118 v
Adum4221-1ariz-rl	8.2700	RFQ	5183	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	ADUM4221	反转，无变形	未行业行业经验证	2.5V〜6.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	IGBT	1.5V，3.5V	4a，6a	25n，25n
TC4421AVPA	2.8200	RFQ	1405	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	10a，10a	38ns，33ns
UC3705D	10.1000	RFQ	24	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UC3705	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	60n，60n
IGD616NT1	-	RFQ	2278	电源集成	Scale™-1	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	36浸，24条线索	IGD616	不转变	未行业行业经验证	14V〜16V	模块	下载	Rohs符合条件			1810-IGD616NT1	Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方面或低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	100NS，80NS
L9857-Tr-s	-	RFQ	3884	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L9857	-	未行业行业经验证	-	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	-	-		-	-	-
ISL6613BEIBZ	-	RFQ	5489	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²