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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
UC2715DP	-	RFQ	1627年	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC2715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
LM27222MX	-	RFQ	7849	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM27222	不转变	未行业行业经验证	4V〜6.85V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，4.5a	17ns，12ns	33 V
MCP14A0154-E/MS	1.1400	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	11.5NS，10NS
UCC27324P	-	RFQ	2038	单位树	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC27324	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
TSC426EPA	2.0800	RFQ	1	ADI/MAXIM集成	*	大部分	积极的				TSC426		未行业行业经验证			下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-TSC426EPA-175			1
ISL83202IPZ-REN	2.8900	RFQ	6642	Renesas Electronics America Inc	*	管子	积极的				ISL83202		未行业行业经验证			下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
MIC4423BWMTR	0.7200	RFQ	3	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C 〜85°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
SI9912DY-E3	-	RFQ	9079	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9912	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1a，1a	30ns，20ns	30 V
NCD57001FDWR2G	5.1300	RFQ	629	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	NCD57001	反转，无变形	未行业行业经验证	24V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	半桥	1	IGBT	-	7.8a，7.1a	10n，15ns
2EDN8523RXUMA1	-	RFQ	4343	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	2EDN8523	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-TSSOP-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.2V，1.9V	5a，5a	5.3NS，4.5NS
TD352IDT	3.0500	RFQ	23	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TD352	不转变	未行业行业经验证	12v〜26V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，4.2V	1.3a，1.7a	100NS，100NS （最大）
TC4425COE713	2.5900	RFQ	6818	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4425COE713-NDR	Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
MIC4421YM	2.3500	RFQ	229	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1193	Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
2EDS8165HXUMA1	-	RFQ	1965年	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	2EDS8165	不转变	未行业行业经验证	20V	PG-DSO-16-30	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道，p通道MOSFET	- ，1.65V	1a，2a	6.5NS，4.5NS
UCD7232RTJR	0.7920	RFQ	8753	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-WFQFN暴露垫	UCD7232	不转变	未行业行业经验证	4.7V〜15V	20-qfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	27ns，21ns
IRS4427pbf	-	RFQ	6369	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）		不转变		6v〜20V	8-pdip	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-irs4427pbf-600047			1	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	2.3a，3.3a	25n，25n
ISL2111BR4Z	5.6500	RFQ	413	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	ISL2111	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-DFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	750	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.4V，2.2V	3a，4a	9NS，7.5NS	114 v
MAX8552EUB+TGC1	-	RFQ	9027	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MAX8552		未行业行业经验证			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
MCP14E9-E/SN	1.8300	RFQ	6037	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E9	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E9ESN	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	14ns，17ns
SC1311BSTRT	-	RFQ	5973	Semtech Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				SC1311		未行业行业经验证			-	Rohs符合条件	（1 （无限）		600-SC1311BSTRTTR	过时的		2,500
TC4428EMF713	1.0950	RFQ	6610	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428EMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
LM5104MX/NOPB	2.9500	RFQ	9	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5104	反转，无变形	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
LM5101CMAX/NOPB	1.9800	RFQ	6351	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	118 v
IRS2104STRPBF	-	RFQ	9543	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载						0000.00.0000	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
DGD0597FUQ-7	0.9000	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子		不转变		4.5V〜5.5V	V-QFN3030-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.5a，2.5a	7NS，5NS	40 V
MIC4422CM	-	RFQ	6259	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
TC4428AVMF	1.1700	RFQ	4586	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428AVMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
SG1626T	-	RFQ	5694	微芯片技术	军事，MIL-STD-883	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-99-8金属罐	SG1626	反转	未行业行业经验证	22V	到99	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG1626T	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2V	3a	30ns，30ns
ISL89164FBECZ-T	-	RFQ	3892	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89164	反转	未行业行业经验证	7.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2.4V，9.6V	6a，6a	20N，20N
MCP14A0602T-E/MNY	1.3350	RFQ	1230	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0602	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	6a，6a	10n，10n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²