RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
auxdi2117str	-	RFQ	3376	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				AUXDI2117		未行业行业经验证			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001511488	过时的	0000.00.0000	2,500
SC1211STRT	-	RFQ	6985	Semtech Corporation	combi-sense®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	SC1211	-	未行业行业经验证	9v〜12v	8-Powersoic	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		600-SC1211STRTTR	过时的		2,500	同步	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	2V，0.8V	-	15ns，10ns
L6491d	3.0000	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6491	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-15443-5	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.45V，2V	4a，4a	15ns，15ns	600 v
IXA531S10	-	RFQ	5297	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	48-TFQFN暴露垫	IXA531	反转	未行业行业经验证	8v〜35V	48-MLP（7x7）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	600mA，600mA	125ns，50ns	650 v
1SD210F2-MBN1200H45E2-H_OPT1	-	RFQ	5636	电源集成	-	托盘	过时的	-	底盘安装	模块	1SD210F2	-	未行业行业经验证	-	模块	-		（1 （无限）		1810-1SD210F2-MBN1200H45E2-H_OPT1	过时的		20	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	-	-	6500 v
A4919GetTr-3-T	3.0600	RFQ	4863	Allegro微型系统	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	28-VFQFN暴露垫	A4919	TTL	未行业行业经验证	5.5V〜50V	28-qfn（5x5）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	3相	高方面或低侧	6	n通道MOSFET	0.8V，1.5V	-	35NS，20NS
LM5109AMA/NOPB	-	RFQ	1472	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
DGD21064MS14-13	-	RFQ	3536	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	DGD21064	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
HIP2106IP	0.8500	RFQ	2366	Intersil	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	HIP2106	不转变	未行业行业经验证	9v〜16.5V	8-pdip	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	116 v
IRS2336STRPBF	-	RFQ	9903	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS2336	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载					Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
SP001690382	-	RFQ	7600	Infineon技术	eicedriver™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	SP001690382	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-SOT23-6-3	下载						0000.00.0000	1	单身的	高侧和低侧	2	n通道，p通道MOSFET	-	4a，8a	6.5NS，4.5NS
UC2706N	8.5219	RFQ	1931年	Texas Instruments	-	管子	积极的	-25°C〜85°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC2706	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，30ns
HIP2100IT	-	RFQ	9064	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	16 QFN（5x5）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v
MIC4429YM-TR	2.0600	RFQ	1212	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
ISL6612EIBZ	-	RFQ	9255	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR2130J	-	RFQ	1800	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2130	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
max5048batt-t	-	RFQ	7520	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5048	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜12.6V	6-TDFN （3x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.3a，7.6a	82ns，12.5ns
2SD315AI	112.0300	RFQ	408	电源集成	Scale™-1	托盘	积极的	-40°C〜85°C	通过洞	44浸模块，42条线索	2SD315	-	未行业行业经验证	-	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8543.70.9860	12	-	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	18a，18a	160NS，130NS
LM2724ALD/NOPB	-	RFQ	8273	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM2724	不转变	未行业行业经验证	4.3V〜6.8V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，3.2a	17ns，12ns	28 V
DGD0503FN-7	0.4326	RFQ	6752	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	DGD0503	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	W-DFN3030-10（TH）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	100 v
DGD05062FN-7	-	RFQ	3731	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	DGD05062	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	W-DFN3030-10	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，2.5a	17ns，12ns	50 V
ISL89412IPZ	1.8000	RFQ	7	Intersil	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	ISL89412	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
TSC426C/d	-	RFQ	1872年	ADI/MAXIM集成	-	大部分	过时的	0°C〜70°C	表面安装	死	TSC426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
IRS23364DJTR	5.1300	RFQ	500	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IRS23364	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.51x16.51）	-						0000.00.0000	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
ISL6615ACRZ	-	RFQ	3306	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
EL7155CN	6.1700	RFQ	7	Elantec	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7155	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-pdip	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
RAA229001GNP＃ha0	6.3794	RFQ	7983	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	12-WFDFN暴露垫	RAA229001	不转变	未行业行业经验证	6v〜13.2V	12-tdfn （3x3）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	20-RAA229001GNP＃ha0tr			4,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	31ns，18ns	36 V
MCP14A0302-E/SN	1.0500	RFQ	718	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0302	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	13ns，12ns
MC33153DG	2.8500	RFQ	211	Onmi	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33153	反转	未行业行业经验证	11V〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MC33153DGOS	Ear99	8542.39.0001	98	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，3.2V	1a，2a	17ns，17ns
IR11662SPBF	-	RFQ	9666	Infineon技术	高级智能整流器™	管子	在sic中停产	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR11662	不转变	未行业行业经验证	11.4v〜18v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP001562668	Ear99	8542.31.0001	95	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	1A，4A	21ns，10ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²