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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
LMG1210RVRT	6.3300	RFQ	4489	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	19-WFQFN暴露垫	LMG1210	不转变	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V，6v〜18V	19-wqfn （3x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.5a，3a	500PS，500PS	200 v
UCC27321DGNR	0.6600	RFQ	9967	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC27321	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	9a，9a	20N，20N
ISL78420ARTBZ	-	RFQ	8510	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	9-WDFN暴露垫	ISL78420	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	9-TDFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.8V，4V	2a，2a	10n，10n	114 v
DGD21064S14-13	-	RFQ	4478	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	DGD21064	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
MIC4429ZN	2.4800	RFQ	15	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1207	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
ix4428ntr	1.2400	RFQ	56	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IX4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	10n，8ns
MIC4469BWM TR	-	RFQ	7268	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4469	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
BS2103F-E2	-	RFQ	7410	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	BS2103	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.6V	60mA，130mA	200NS，100NS	600 v
ISL6210CRZ-T	-	RFQ	5956	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6210	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	16 QFN （4x4）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
auirs21814str	1.7432	RFQ	7764	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	Auirs2181	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	15ns，15ns	600 v
LM5111-2MYX/NOPB	1.2300	RFQ	9403	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-POWERTSOP，8-MSOP （0.118英寸，3.00mm宽度）	LM5111	反转	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
IX2D11S7T/r。	-	RFQ	5077	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IX2D11	-	未行业行业经验证	-	14-Soic	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	-	-		-	-	-	-
IXDI630MYI	6.9702	RFQ	9777	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDI630	反转	未行业行业经验证	9V〜35V	TO-263-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	11n，11ns
TC4426AVPA	1.8400	RFQ	1531年	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426AVPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
LM5101CMA	-	RFQ	6314	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	118 v
IRS21084SPBF	-	RFQ	3460	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21084	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
UCC27221PWPR	-	RFQ	4560	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜115°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	UCC27221	反转	未行业行业经验证	3.7V〜20V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2.6V	4a，4a	17ns，17ns
2SP0115T2A0-12	90.0500	RFQ	47	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SP0115	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1038	Ear99	8473.30.1180	12	独立的	半桥	2	IGBT	-	8a，15a	5n，10ns	1200 v
MCP1406-E/p	1.4700	RFQ	396	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MCP1406	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
MIC4604YM-TR	0.9500	RFQ	12	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4604	不转变	未行业行业经验证	5.25V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1a	20N，20N
IR2131JPBF	4.0900	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2131	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IRS21814MPBF	-	RFQ	6587	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫，14个线索	IRS21814	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-MLPQ （4x4）	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	92	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
MP1921HQ-A-LF-P	1.5211	RFQ	5902	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MP1921	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	120 v
2ED4820EMXUMA2	6.5400	RFQ	2	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24-tssop （0.154英寸，3.90mm宽度）	2ED4820	不转变	未行业行业经验证	20V〜70V	PG-TSDSO-24	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	0.4V，2.6V	300mA，1.3a	3µs，3µs （最大）
IR4428S	-	RFQ	8957	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR4428	反转，无变形	未行业行业经验证	6v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR4428S	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
IR1167BSTRPBF	-	RFQ	9327	Infineon技术	SmarTrectifier™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR1167	不转变	未行业行业经验证	12v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	2a，7a	18NS，10NS
TC4423MJA	42.6600	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4423MJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
max15025aatb+t	12.1900	RFQ	9	ADI/MAXIM集成	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15025	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，4a	42ns，30ns
MC33883DW	-	RFQ	8540	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	MC33883	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜28V	20-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	38	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	80n，80n	55 v
L6498LD	2.7800	RFQ	4798	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6498	CMOS/TTL	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1.45V，2V	2a，2.5a	25n，25n	500 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²