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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
TSC427EPA	2.0000	RFQ	3	ADI/MAXIM集成	-	大部分	积极的	-	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TSC427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
IRS2005SPBF	1.3800	RFQ	8522	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2005	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70NS，30NS	200 v
MCP14A0304T-E/SN	1.1400	RFQ	9	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0304	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
IRS2330DJPBF	3.7600	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IRS2330	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，0.8V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
IRS2001SPBF	-	RFQ	4747	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2001	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
IRS23364DJTRPBF	5.1300	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IRS23364	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	-					Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
2DMB80206CC	-	RFQ	9185	塔穆拉	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C	通过洞	模块	2DMB80206	不转变	未行业行业经验证	3v〜5.5V	模块	下载	rohs3符合条件	不适用		132-2DMB80206CC	Ear99	8542.39.0001	120	独立的	半桥	2	IGBT，SIC MOSFET	-	5mA， -	500NS，500NS
drv8300udipwr	1.6500	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	20-tssop （0.173“，4.40mm宽度）	DRV8300	不转变	未行业行业经验证	8.7V〜20V	20-tssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	750mA，1.5a	24ns，12ns	125 v
2ED020I12F2XUMA1	8.4900	RFQ	8	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	36-Bessop （0.295英寸，7.50mm宽度），32条线索	2ED020	反转，无变形	未行业行业经验证	13v〜20V	PG-DSO-36-58	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT	1.5V，3.5V	2a，2a	30ns，50ns	1200 v
IRS2336SPBF	-	RFQ	6810	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS2336	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载					Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
ADUM4221-1CRIZ-RL	8.2700	RFQ	6023	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	ADUM4221	反转，无变形	未行业行业经验证	2.5V〜6.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	IGBT	1.5V，3.5V	4a，6a	25n，25n
NCP303150DMNTWG	3.0900	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	39-PowerVFQFN	NCP303150	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	39-pqfn （5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	半桥，低侧	2	n通道MOSFET	0.65V，2.7V	100mA，100mA	17ns，26ns	30 V
IR21834pbf	3.0700	RFQ	1	国际整流器	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8542.39.0001	98									未行业行业经验证
adp3624ardz-rl	3.1500	RFQ	4	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3624	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
IR22141SSPBF	-	RFQ	2210	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	IR22141	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	24 SSOP	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	2a，3a	24ns，7ns	1.2 v
IRS25091STRPBF	-	RFQ	9481	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS25091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001546520	Ear99	8541.29.0095	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
IRS21844pbf	5.8900	RFQ	4154	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS21844	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
max620ewn+t	-	RFQ	3728	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	Max620	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	18-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	高方向	4	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	-	1.7µs，2.5µs
FAN7382M1	-	RFQ	5709	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	Fan7382	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14分	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	54	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	60n，30ns	600 v
FAN7190M-F085	-	RFQ	8766	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7190	不转变	未行业行业经验证	10v〜22v	8-sop	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.5V	4.5a，4.5a	25NS，20NS	600 v
NCP81072MNTXG	-	RFQ	6166	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				NCP81072		未行业行业经验证			-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500
LM5100CMY	1.2800	RFQ	1	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-msop-powerpad	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V	1a，1a	8ns，8ns	118 v
UC3710DWG4	-	RFQ	3085	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3710	反转，无变形	未行业行业经验证	4.7V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	6a，6a	85ns，85ns
LM5113TMX/NOPB	2.6025	RFQ	7552	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-WFBGA	LM5113	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	12-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.76V，1.89V	1.2a，5a	7NS，1.5NS	107 v
LM5111-3MY/NOPB	-	RFQ	6067	国家半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）		反转，无变形		3.5V〜14V	8-msop-powerpad	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-LM5111-3MY/NOPB-14			1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2 V	3a，5a	14ns，12ns
tps28226drbt	1.7600	RFQ	9218	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TPS28226	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜8.8V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	10n，10n	33 V
ISL89164FRTBZ	4.6900	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89164	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.85V，3.15V	6a，6a	20N，20N
ltc4444hms8e-5 trpbf	3.6450	RFQ	7517	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
TPS2819QDBVRQ1	1.0845	RFQ	9641	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	TPS2819	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，14ns
MCP1404T-E/SNVAO	-	RFQ	7735	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP1404	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²