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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
1SD418F2-CM1200HB-66H	-	RFQ	9790	电源集成	Scale™-1	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	1SD418F2	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	100NS，100NS
ISL78420ARTBZ	-	RFQ	8510	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	9-WDFN暴露垫	ISL78420	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	9-TDFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.8V，4V	2a，2a	10n，10n	114 v
MAX627MJA/883B	-	RFQ	6592	ADI/MAXIM集成	军事，MIL-STD-883	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	Max627	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
IRS2609DSTRPBF	-	RFQ	7505	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2609	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	-	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
L6743Tr	-	RFQ	6722	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6743	不转变	未行业行业经验证	5v〜12v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a， -	-	41 v
L6571AD013TR	-	RFQ	6782	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6571	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜16.6V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	170mA，270mA	-	600 v
EL7243CMZ-T13	-	RFQ	9742	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	EL7243	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	20-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10ns （最大）
MIC4422AZT	3.5900	RFQ	6581	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
MIC4604YM-T5	-	RFQ	6755	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4604	不转变	未行业行业经验证	5.25V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1a	20N，20N
IRS2304pbf	1.7267	RFQ	5015	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2304	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.7V，2.3V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
EL7156CS-T13	-	RFQ	8067	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7156	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
L6571BD	2.5900	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6571	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜16.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	170mA，270mA	-	600 v
UCC27525DSDT	2.5200	RFQ	354	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	UCC27525	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
IR2106PBF	-	RFQ	6342	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
UC3708JE	4.2000	RFQ	100	单位树	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	UC3708	不转变	未行业行业经验证	5v〜35V	16-CDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	25n，25n
111-4135pbf	-	RFQ	2545	Infineon技术	*	托盘	过时的				111-4135		未行业行业经验证			-		供应商不确定	到达不受影响	SP001531018	过时的	0000.00.0000	1
Fan7383m	-	RFQ	4553	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（0.209英寸，宽度为5.30mm）	Fan7383	不转变	未行业行业经验证	15v〜20V	14分	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	54	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.9V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v
IXA611M6	-	RFQ	2045	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-vdfn暴露垫	IXA611	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	16-MLP（7x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，7V	600mA，600mA	23ns，22ns	650 v
max620cwn	-	RFQ	4647	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	Max620	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	18-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方向	4	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	-	1.7µs，2.5µs
IR2136JPBF	2.8800	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2136	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
FAN7080M-GF085	-	RFQ	1891年	Onmi	汽车，AEC-Q100	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7080	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	300mA，600mA	40ns，25ns	600 v
ISL6614BIBZ	-	RFQ	8689	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	14-Soic	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL6620CRZ	-	RFQ	3223	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl6620crz	Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
IXDS430SI	-	RFQ	4030	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IXDS430	反转，无变形	未行业行业经验证	8.5V〜35V	28-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	27	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	18NS，16NS
NCP4422T	1.3100	RFQ	13	Onmi	*	大部分	积极的				NCP4422		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
L6747C	-	RFQ	8096	Stmicroelectronics	-	托盘	在sic中停产	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	L6747	不转变	未行业行业经验证	5v〜12v	8-vfdfpn（3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3.5a， -	-	41 v
MIC4606-1YTS-TR	2.2800	RFQ	8897	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	MIC4606	不转变	未行业行业经验证	5.25V〜16V	16ssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	全桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
ISL6612CBZR5238	-	RFQ	5029	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UC3706NG4	-	RFQ	8031	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC3706	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，30ns
ISL6208CRZ	1.1356	RFQ	6820	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²