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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
2SP0115T2A0-12	90.0500	RFQ	47	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SP0115	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1038	Ear99	8473.30.1180	12	独立的	半桥	2	IGBT	-	8a，15a	5n，10ns	1200 v
LM27222MX	-	RFQ	7849	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM27222	不转变	未行业行业经验证	4V〜6.85V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，4.5a	17ns，12ns	33 V
IRS21853SPBF	-	RFQ	6104	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21853	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001534704	Ear99	8542.39.0001	45	独立的	高方向	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，3.5V	2a，2a	15ns，15ns	600 v
L6399D	1.0103	RFQ	3064	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6399	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.9V	290mA，430mA	75ns，35ns	600 v
UC2707DWG4	-	RFQ	8022	单位树	-	大部分	积极的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC2707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-Soic	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n
max4427cpa	-	RFQ	6284	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（ta）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
lt1160in＃pbf	7.5472	RFQ	2467	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	LT1160	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	14-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
A6862KLPTR-T	0.8820	RFQ	8389	Allegro微型系统	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	A6862	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜50V	16-ESSOP-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	8,000	3相	高方向	3	n通道MOSFET	0.4V，0.7V	-	-
MIC4422Y	2.6100	RFQ	8855	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
IR2235J	-	RFQ	7746	Infineon技术	-	管子	过时的	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2235	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2235J	Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
TPS2848PWPRG4	-	RFQ	3945	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	TPS2848	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	65ns，65ns	29 v
UC3715DP	1.4700	RFQ	2	单位树	-	大部分	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC3715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
LM5111-2MX	-	RFQ	6583	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5111	反转	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q3552763A	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
adp3414jr	0.8500	RFQ	354	模拟设备公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3414	不转变	未行业行业经验证	4.15V〜7.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	-	-
TC1410NCOA713	1.6200	RFQ	1482	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1410	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1410NCOA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	25n，25n
LM5111-1MX	-	RFQ	1823年	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5111	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
ISL6612CRZR5238	1.1200	RFQ	3	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	不适用				Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LM5109BQNGTTQ1	1.5900	RFQ	7161	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
IR2108pbf	-	RFQ	5601	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2108	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
LM5100SD/NOPB	-	RFQ	3082	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
TC4427EOA-VAO	-	RFQ	2246	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
MIC4469CN	-	RFQ	4927	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（ta）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MIC4469	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
IXDN614SITR	4.9300	RFQ	5	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDN614	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	14a，14a	25NS，18NS
ISL6610CRZ-T	1.7700	RFQ	6	Intersil	-	大部分	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6610	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
IXDF602D2TR	0.7468	RFQ	7649	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	IXDF602	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-DFN-EP（5x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
MIC4469BWM TR	-	RFQ	7268	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4469	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
IR2132PBF	-	RFQ	6800	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2132	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	494	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
SM72482X/NOPB	-	RFQ	4251	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SM72482	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
ISL6613ACRZ-T	-	RFQ	5064	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IRS25752LTRPBF	-	RFQ	2724	国际整流器	µHVIC™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	IRS25752	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	PG-SOT23-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	160mA，240mA	85NS，40NS	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²