SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
IXD611S1T/R IXYS IXD611S1T/r。 -
RFQ
ECAD 9600 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXD611 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 2.4V,2.7V 600mA,600mA 28NS,18NS 600 v
LM27222SD Texas Instruments LM27222SD -
RFQ
ECAD 3033 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 LM27222 不转变 未行业行业经验证 4V〜6.85V 8-wson(4x4) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 3a,4.5a 17ns,12ns 33 V
IR2183PBF Infineon Technologies IR2183PBF 5.7500
RFQ
ECAD 870 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR2183 反转,无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.7V 1.9a,2.3a 40NS,20NS 600 v
IR2235S Infineon Technologies IR2235S -
RFQ
ECAD 7424 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 125°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR2235 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IR2235S Ear99 8542.39.0001 25 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2V 250mA,500mA 90NS,40NS 1200 v
LM5101CMYX/NOPB Texas Instruments LM5101CMYX/NOPB 1.9800
RFQ
ECAD 6670 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-POWERTSOP,8-MSOP (0.118英寸,3.00mm宽度) LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 1a,1a 990NS,715NS 118 v
SC1301BISKTRT Semtech Corporation SC1301Bisktrt -
RFQ
ECAD 8930 0.00000000 Semtech Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 SC-74A,SOT-753 SC1301 反转 未行业行业经验证 4.5v〜16.5V SOT-23-5 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V,2V 2a,2a 20N,20N
R2J20656ANP#G0 Renesas Electronics America Inc R2J20656ANP #G0 8.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 R2J20656 未行业行业经验证 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500
IR21271PBF Infineon Technologies IR21271pbf 4.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR21271 不转变 未行业行业经验证 9v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 高方面或低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 250mA,500mA 80n,40n 600 v
ISL89410IPZ Renesas Electronics America Inc ISL89410IPZ -
RFQ
ECAD 4553 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) ISL89410 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 7.5NS,10NS
IRS2330JTRPBF Infineon Technologies IRS2330JTRPBF -
RFQ
ECAD 3743 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IRS2330 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 80n,35ns 600 v
TPS2815DR Texas Instruments tps2815dr 0.9195
RFQ
ECAD 7051 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPS2815 反转 未行业行业经验证 4V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,4V 2a,2a 14ns,15ns
1SC0450V2A0-45 Power Integrations 1SC0450V2A0-45 225.1767
RFQ
ECAD 2104 0.00000000 电源集成 Scale™-2 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 模块 1SC0450 - 未行业行业经验证 14.5v〜15.5V 模块 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1810-1002 Ear99 8473.30.1180 12 单身的 高方面或低侧 1 IGBT - 50a,50a 30ns,25ns 4500 v
NCP81381MNTXG onsemi NCP81381MNTXG -
RFQ
ECAD 6600 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 36-TFQFN暴露垫 NCP81381 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 36 QFN (6x4) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方面或低侧 1 n通道MOSFET - - - 35 v
UC3715N Texas Instruments UC3715N -
RFQ
ECAD 3808 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 0°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) UC3715 不转变 未行业行业经验证 7v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 500mA,1a 30ns,25ns
ICL7667EBA+T ADI/Maxim Integrated ICL7667EBA+t -
RFQ
ECAD 1578年 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ICL7667 反转 未行业行业经验证 4.5V〜17V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 - 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 20N,20N
IR2103S Infineon Technologies IR2103S -
RFQ
ECAD 3017 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2103 反转,无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 210mA,360mA 100NS,50NS 600 v
FAN7083CM_F085 onsemi FAN7083CM_F085 -
RFQ
ECAD 5085 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Fan7083 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 9,500 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET - 200mA,400mA 200NS,25NS 600 v
FAN7190MX Fairchild Semiconductor FAN7190MX -
RFQ
ECAD 7141 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Fan7190 不转变 未行业行业经验证 10v〜22v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.5V 4.5a,4.5a 25NS,20NS 600 v
UCC27201ATDA2 Texas Instruments UCC27201ATDA2 23.1490
RFQ
ECAD 2219 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 UCC27201 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 10 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.5V 3a,3a 8NS,7NS 120 v
TC4431EPA Microchip Technology TC4431EPA 3.1600
RFQ
ECAD 3630 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TC4431 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 TC4431EPA-NDR Ear99 8542.39.0001 60 单身的 高方面或低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 25ns,33ns
ISL6612ACBZ-TR5214 Renesas Electronics America Inc ISL6612ACBZ-TR5214 -
RFQ
ECAD 8302 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
UCC37325P Unitrode UCC37325p 0.7200
RFQ
ECAD 9263 0.00000000 单位树 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) UCC37325 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-pdip 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,2V 4a,4a 20N,15n
MP18021HN-LF Monolithic Power Systems Inc. MP18021HN-LF -
RFQ
ECAD 2479 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 管子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MP18021 不转变 未行业行业经验证 9V〜16V 8-soice 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2.4V 2.5a,2.5a 12ns,9ns 100 v
SM72482MAE-4/NOPB Texas Instruments SM72482MAE-4/NOPB 2.7200
RFQ
ECAD 485 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SM72482 反转,无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,5a 14ns,12ns
LM2722MX Texas Instruments LM2722MX -
RFQ
ECAD 1701 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM2722 不转变 未行业行业经验证 4V〜7V 8-SOIC - Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3.2a 17ns,12ns
IXDI409SI IXYS IXDI409SI -
RFQ
ECAD 3843 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDI409 反转 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Q3203874 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3.5V 9a,9a 10n,10n
UCC27201D Texas Instruments UCC27201D 2.8300
RFQ
ECAD 8403 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC27201 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.5V 3a,3a 8NS,7NS 120 v
LM27222M-TI Texas Instruments LM27222M-TI 2.4000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Texas Instruments - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM27222 不转变 未行业行业经验证 4V〜6.85V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 3a,4.5a 17ns,12ns 33 V
AUXDI2117STR Infineon Technologies auxdi2117str -
RFQ
ECAD 3376 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 AUXDI2117 未行业行业经验证 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001511488 过时的 0000.00.0000 2,500
SC1211STRT Semtech Corporation SC1211STRT -
RFQ
ECAD 6985 0.00000000 Semtech Corporation combi-sense® 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powersoic(0.154英寸,3.90mm宽度) SC1211 - 未行业行业经验证 9v〜12v 8-Powersoic 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 600-SC1211STRTTR 过时的 2,500 同步 高侧和低侧 2 n通道MOSFET 2V,0.8V - 15ns,10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库