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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
2EDN7523FXTMA1	1.4500	RFQ	5	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	2EDN7523	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	5a，5a	5.3NS，4.5NS
IR1166SPBF	-	RFQ	6535	Infineon技术	SmarTrectifier™	管子	过时的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR1166	不转变	未行业行业经验证	11.4v〜18v	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	1A，4A	21ns，10ns
2ED2304S06FXLSA1	-	RFQ	6812	Infineon技术	*	管子	过时的				2ED2304		未行业行业经验证			下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP001700972	Ear99	8542.39.0001	95
max17601ata+t	2.4500	RFQ	17	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	Max17601	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	40ns，25ns
ISL6208CHRZ-TR5675	-	RFQ	3260	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
TPS2819QDBVRQ1	1.0845	RFQ	9641	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	TPS2819	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，14ns
IR21014S	-	RFQ	3352	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21014	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
LTC7000HMSE＃trpbf	9.9900	RFQ	6413	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118，3.00mm宽）	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
ISL89165FBEAZ	2.9559	RFQ	4864	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89165	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	980	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
IRS21531DSTRPBF	1.7900	RFQ	4	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.4V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	180mA，260mA	120NS，50NS	600 v
Auirs2336str	-	RFQ	1947年	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Auirs2336	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
ISL6615AFRZ-T	-	RFQ	2239	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
LM5107MA	-	RFQ	1342	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5107	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.3a，1.4a	15ns，15ns	118 v
IXDI609YI	3.9400	RFQ	1	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDI609	反转	未行业行业经验证	4.5V〜35V	TO-263-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	9a，9a	22ns，15ns
ISL6208CBZ-T	2.1300	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
MCP14A0304T-E/SN	1.1400	RFQ	9	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0304	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
TSC428EPA	-	RFQ	2309	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TSC428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
ISL89164FRTAZ-T	2.9559	RFQ	8838	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89164	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
IR21834pbf	6.4800	RFQ	119	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR21834	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
ISL6608IB-T	-	RFQ	9946	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6608	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	22 v
IXDE509D1	-	RFQ	8413	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	IXDE509	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	6-DFN （4x5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	56	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	25ns，23ns
NCP81152MNTWG	0.9300	RFQ	4353	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	NCP81152	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	16-qfn（2.5x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	0.7V，3.4V	-	16ns，11ns	35 v
MIC4606-2YML-T5	-	RFQ	4791	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	MIC4606	不转变	未行业行业经验证	5.25V〜16V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	同步	全桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
IRS21281pbf	-	RFQ	4064	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS21281	反转	未行业行业经验证	9v〜20V	8-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001534540	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	80n，40n	600 v
FAN3229CMPX	-	RFQ	2064	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	FAN3229	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-mlp （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
IR21064pbf	-	RFQ	3109	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR21064	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
LM5100BSD	-	RFQ	8764	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	2a，2a	570NS，430NS	118 v
MP18021HQ-A-LF-Z	1.0050	RFQ	3632	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MP18021	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	100 v
LTC4444HMS8E＃wpbf	-	RFQ	8942	模拟设备公司	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	7.2v〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	200	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
IR2118STR	-	RFQ	2640	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²