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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
TC4428AEUA	2.4500	RFQ	673	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	TC4428AEUA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
IRS23364DSTRPBF	7.0100	RFQ	85	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS23364	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
ADP3634ARDZ-R7	1.6800	RFQ	1027	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3634	不转变	未行业行业经验证	9.5V〜18V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
IXDI402SIA	-	RFQ	9960	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDI402	反转	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	8ns，8ns
MD1822K6-G	1.8100	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	MD1822	反转，无变形	未行业行业经验证	5v〜10V	16 QFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	4	n通道，p通道MOSFET	0.3V，1.7V	2a，2a	7n，7ns
UC2714DP	-	RFQ	7903	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC2714	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	240	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
ixde509d1t/r	-	RFQ	1387	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	IXDE509	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	6-DFN （4x5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	25ns，23ns
NCV7518MWTXG	-	RFQ	3533	Onmi	*	大部分	积极的				NCV7518		未行业行业经验证			下载					Ear99	8542.39.0001	1
MIC4600YML-TR	1.3650	RFQ	2433	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	MIC4600	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜28V	16-vqfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.65V，1.4V	-	15ns，13.5ns
max5056basa-t	-	RFQ	6134	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5056	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
IXDI609SI	3.2200	RFQ	12	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDI609	反转	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	9a，9a	22ns，15ns
MC33153D	-	RFQ	9865	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33153	反转	未行业行业经验证	11V〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MC33153DOS	Ear99	8542.39.0001	98	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，3.2V	1a，2a	17ns，17ns
tps2834dr	1.5945	RFQ	4716	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	TPS2834	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2.7a，2.4a	50n，40n	28 V
IR2214SS	-	RFQ	2524	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	IR2214	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	24 SSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2214SS	Ear99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	2a，3a	24ns，7ns	1200 v
IRS25752LTRPBF	-	RFQ	2724	国际整流器	µHVIC™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	IRS25752	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	PG-SOT23-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	160mA，240mA	85NS，40NS	600 v
ADP3118JRZ-RL	0.8000	RFQ	55	模拟设备公司	-	大部分	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3118	不转变	未行业行业经验证	4.15v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	25NS，20NS	25 v
A6862KLPTR-T	0.8820	RFQ	8389	Allegro微型系统	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	A6862	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜50V	16-ESSOP-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	8,000	3相	高方向	3	n通道MOSFET	0.4V，0.7V	-	-
LTC7000JMSE-1＃PBF	8.5300	RFQ	1447	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118英寸，3.00mm宽度），12个铅，裸露的垫子，裸露的垫子	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	37	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS
max4427cpa	-	RFQ	6284	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
L6386ED013TR	1.9000	RFQ	500	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6386	反转	未行业行业经验证	（17V））	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-6216-2	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
FAN73711MX	-	RFQ	8560	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan73711	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	25ns，15ns	600 v
drv8300drger	1.5200	RFQ	23	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-VFQFN暴露垫	DRV8300	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	24-VQFN （4x4）	下载	不适用	（1 （无限）		296-DRV8300DRGRGRTR	Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	高侧和低侧	3	n通道MOSFET	0.8V，2V	750mA，1.5a	12n，12ns	105 v
ATA6821-TUSY	-	RFQ	1902年	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ATA6821	不转变	未行业行业经验证	16V〜30V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	4a，4a	12n，12ns
IXB611S1T/r。	-	RFQ	8095	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXB611	-	未行业行业经验证	-	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	-	-		-	-	-	-
LM27222MX/NOPB	2.6800	RFQ	3	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM27222	不转变	未行业行业经验证	4V〜6.85V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，4.5a	17ns，12ns	33 V
UC3707DW	5.7300	RFQ	3835	单位树	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-Soic	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n
Max5048aaut ＃TG16	-	RFQ	1714年	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	Max5048	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜12.6V	SOT-6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	1.3a，7.6a	82ns，12.5ns
UCC27200DDA	3.1200	RFQ	169	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27200	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
max15019basa+t	7.0950	RFQ	9197	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max15019	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	50n，40n	125 v
BUK218-50DC，118	-	RFQ	4633	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	BUK218	-	未行业行业经验证	5.5V〜35V	D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	1.2V，3V	8a，8a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²