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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
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![]() | LM5109AMA/NOPB | - | ![]() | 1472 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-SOIC | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1a,1a | 15ns,15ns | 108 v | |||
![]() | IR25607STRPBF | - | ![]() | 6382 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR25607 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 16-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 2.5a,2.5a | 25ns,17ns | 600 v | ||
![]() | UC2707N | 7.2700 | ![]() | 9148 | 0.00000000 | 单位树 | - | 大部分 | 积极的 | -25°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 16 浸(0.300英寸,7.62mm) | UC2707 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 5V〜40V | 16-PDIP | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.5a,1.5a | 40n,40n | |||
![]() | SP001690382 | - | ![]() | 7600 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | SP001690382 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | PG-SOT23-6-3 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 单身的 | 高侧和低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | - | 4a,8a | 6.5NS,4.5NS | ||||
![]() | FAN7888MX | - | ![]() | 8566 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) | Fan7888 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 20-SOIC | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 1V,2.5V | 350mA,650mA | 50ns,30ns | 200 v | |||
![]() | IR1167BSTRPBF | - | ![]() | 1266 | 0.00000000 | 国际整流器 | SmarTrectifier™ | 大部分 | 积极的 | -25°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR1167 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12v〜18V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 2V,2.15V | 2a,7a | 18NS,10NS | |||
NCP5901MNTBG | 0.1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vfdfn裸露的垫子 | NCP5901 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-DFN(2x2) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,777 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | - | 16ns,11ns | 35 v | |||
![]() | UC1709L | 31.1600 | ![]() | 383 | 0.00000000 | 单位树 | * | 大部分 | 积极的 | UC1709 | 未行业行业经验证 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | UC2709DW | 6.3300 | ![]() | 655 | 0.00000000 | 单位树 | * | 大部分 | 积极的 | UC2709 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||
![]() | 1EDN7550B | - | ![]() | 6711 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | 1EDN7550 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | PG-SOT23-6-3 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 单身的 | 高侧和低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | - | 4a,8a | 6.5NS,4.5NS | ||||
![]() | EL7457CLZ-T13 | - | ![]() | 8164 | 0.00000000 | Elantec | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | EL7457 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16 QFN (4x4) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 高方面或低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,2a | 13.5ns,13ns | |||
![]() | LM5106MMX/NOPB | - | ![]() | 3413 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽度) | LM5106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 10-VSSOP | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.2a,1.8a | 15ns,10ns | 118 v | ||
![]() | IRS2109pbf | 1.5800 | ![]() | 950 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IRS2109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 100NS,35NS | 600 v | ||
![]() | LM5100AM/NOPB | 2.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5100 | 不转变 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 148 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 3a,3a | 430ns,260ns | 118 v | 未行业行业经验证 | ||
![]() | UCC27210DDA | - | ![]() | 5148 | 0.00000000 | 单位树 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powersoic(0.154英寸,3.90mm宽度) | UCC27210 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | 8-SO POWERPAD | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.4V,5.9V | 4a,4a | 7.2NS,5.5NS | 120 v | ||
![]() | UCC37324PE4 | - | ![]() | 2287 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | UCC37324 | 未行业行业经验证 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | SM72482MA-4/NOPB | 1.3300 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SM72482 | 反转,无变形 | 3.5V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 300 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | 未行业行业经验证 | |||
![]() | IR22141SSPBF | - | ![]() | 2210 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) | IR22141 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 11.5v〜20V | 24 SSOP | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | 0.8V,2V | 2a,3a | 24ns,7ns | 1.2 v | ||
![]() | EMB1412MYE/NOPB | - | ![]() | 9240 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | EMB1412 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 8-msop-powerpad | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.3V | 3a,7a | 14ns,12ns | ||||
![]() | 5962-0051401VPA | 255.3100 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 5962-0051401 | 未行业行业经验证 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 5962-8761901V2A | - | ![]() | 9988 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 5962-8761901 | 未行业行业经验证 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | FAN73711MX | - | ![]() | 8560 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan73711 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 4a,4a | 25ns,15ns | 600 v | ||
![]() | FAN7392N | 0.9900 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | Fan7392 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14浸 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 302 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 4.5V,9.5V | 3a,3a | 25NS,20NS | 600 v | ||
![]() | FAN3225CMX | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3225 | 反转,无变形 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 5a,5a | 12ns,9ns | 未行业行业经验证 | |||
![]() | IRS2304STRPBF | - | ![]() | 4871 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2304 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.7V,2.3V | 290mA,600mA | 70ns,35ns | 600 v | ||
![]() | LM5100AMX/NOPB | 1.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5100 | 不转变 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 214 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 3a,3a | 430ns,260ns | 118 v | 未行业行业经验证 | ||
![]() | LM5101BMAX/NOPB | - | ![]() | 8122 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 2a,2a | 570NS,430NS | 118 v | ||
![]() | LM5110-1SDX/NOPB | - | ![]() | 1395年 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | LM5110 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 10-wson(4x4) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | |||
![]() | ISL6612BIRZ | - | ![]() | 3706 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
ISL89163FRTBZ | 2.6300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | ISL89163 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V,3.15V | 6a,6a | 20N,20N |
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