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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MP1921HN-A-LF	-	RFQ	3227	Monolithic Power Systems Inc.	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MP1921	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-soice	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	120 v
1SP0635V2M1-5SNA1200E330100	303.3133	RFQ	2203	电源集成	Scale™-2	盒子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	1Sp0635	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	6	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	35a，35a	9ns，30ns
ISL89163FRTCZ	-	RFQ	4998	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	ISL89163	不转变	未行业行业经验证	7.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl89163frtcz	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2.4V，9.6V	6a，6a	20N，20N
2SB315B-2MBI1200U4G-170	-	RFQ	5448	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
UCD7100PWPRG4	-	RFQ	8788	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜105°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	UCD7100	不转变	未行业行业经验证	4.25V〜15V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.16V，2.08V	4a，4a	10n，10n
2ED2738S01GXTMA1	3.1900	RFQ	5875	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的						未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				3,000
IR4426SPPBF	0.9500	RFQ	665	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR4426	不转变	未行业行业经验证	6v〜20V	8-SOIC	下载	不适用	2（1年）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
MCP14A0454-E/SN	1.5500	RFQ	243	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0454	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V，2V	4.5a，4.5a	12n，12ns
EL7457CS	-	RFQ	9522	Intersil	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	47	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
IXJ611P1	-	RFQ	3906	ixys	-	盒子	过时的	-	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXJ611	-	未行业行业经验证	-	8点	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	-	-		-	-	-	-
MCP14E6T-E/MF	2.0550	RFQ	4813	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14E6	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns
NCP5106APG	-	RFQ	9641	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	NCP5106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.3V	250mA，500mA	85ns，35ns	600 v
ISL6208CHRZ-TR5675	-	RFQ	3260	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
MIC4420YN	2.2900	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1190	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
adp3624ardz	3.1500	RFQ	277	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3624	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
MIC4127MME	1.2200	RFQ	690	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC4127	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，18NS
HIP2123FRTAZ	-	RFQ	2035	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	HIP2123	反转	未行业行业经验证	8v〜14V	10-tdfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.4V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
LTC7066RMSE＃trpbf	2.0015	RFQ	6268	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	12-tssop （0.118英寸，3.00mm宽）				5v〜14V	12-msop-ep	下载			到达不受影响	505-LTC7066RMSE＃trpbftr			2,500
MIC4420Y	2.0600	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
max5054bata+t	12.6000	RFQ	2	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	Max5054	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
1SP0335V2M1-33	306.6050	RFQ	2686	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	1Sp0335	-	未行业行业经验证	23.5v〜26.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1009	Ear99	8473.30.1180	6	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	35a，35a	9ns，30ns	3300 v
1SC0450E2B0C-45	152.6983	RFQ	1300	电源集成	-	大部分	积极的									-				596-1SC0450E2B0C-45			12
MCP14E8T-E/SN	1.9650	RFQ	7336	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E8	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns
Max17605ata+t	1.2450	RFQ	1959年	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	Max17605	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，SIC MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
UC2707Q	-	RFQ	3073	Texas Instruments	-	管子	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	20-lcc（j-lead）	UC2707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	20-PLCC （9x9）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	46	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n
AUIR2085S	-	RFQ	6414	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIR2085	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15V	PG-DSO-8-904	下载		3（168））	到达不受影响	SP001513986	Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1a，1a	40NS，20NS	100 v
ISL6612ACB-T	-	RFQ	2650	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC4468BWM TR	-	RFQ	8610	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4468	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
LTC7000HMSE-1 ＃TRPBF	5.5800	RFQ	9215	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118英寸，3.00mm宽度），12个铅，裸露的垫子，裸露的垫子	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
FAN73894MX	3.3300	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Fan73894	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²