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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ISL6613ECBZ-T | - | ![]() | 4500 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6613 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | UC2705D | 9.3200 | ![]() | 5171 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UC2705 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 5V〜40V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.5a,1.5a | 60n,60n | |||
![]() | ISL6612BCBZ-T | - | ![]() | 7689 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | LM5134BMFX/NOPB | 0.9105 | ![]() | 8343 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | LM5134 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4v〜12.6V | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 4.5a,7.6a | 3n,2ns | |||
![]() | adp3634ardz | 3.1500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ADP3634 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9.5V〜18V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 4a,4a | 10n,10n | |||
![]() | ISL6208IBZ | 2.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6208 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -isl6208ibz | Ear99 | 8542.39.0001 | 980 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.5V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 33 V | |
![]() | ISL89400AR3Z | - | ![]() | 4144 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 9-VFDFN暴露垫 | ISL89400 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 9-DFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 3.7V,7.4V | 1.25a,1.25a | 16ns,16ns | 100 v | ||
![]() | FAN3122TMPX | 2.0300 | ![]() | 142 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | FAN3122 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-mlp (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 10.6a,11.4a | 23ns,19ns | |||
![]() | MIC4605-2Y-TR | 1.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4605 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜16V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1a,1a | 20N,20N | 108 v | ||
![]() | IXDN609SIATR | 2.1300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDN609 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 9a,9a | 22ns,15ns | |||
![]() | HIP2105FRZ-T | 0.4676 | ![]() | 2222 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | HIP2105 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 20-hip2105frz-ttr | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.65V,1.3V | 4a,4a | 15ns,15ns | ||
![]() | ISL6594BCBZ-T | - | ![]() | 8314 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6594 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | FAN3183BMX | - | ![]() | 2572 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | FAN3183 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||
![]() | ISL6208CRZ | 1.1356 | ![]() | 6820 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -10°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vqfn裸露的垫子 | ISL6208 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-qfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.5V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 33 V | ||
NCP5355DR2 | - | ![]() | 5422 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCP5355 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,2a | 15ns,15ns | 26 V | |||
![]() | HIP6603BECBZ | - | ![]() | 5194 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | HIP6603 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 20N,20N | 15 v | ||
![]() | LM5114BMF/S7003094 | 1.7300 | ![]() | 205 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | LM5114 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4v〜12.6V | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.3a,7.6a | 82ns,12.5ns | |||
![]() | MIC4607-2YTS-T5 | - | ![]() | 1332 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 28-TSSOP (0.173英寸,4.40mm) | MIC4607 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.25V〜16V | 28-tssop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1a,1a | 20N,20N | 108 v | ||
![]() | MIC44F18YML-TR | 1.3700 | ![]() | 220 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-VFDFN暴露垫,8-MLF® | MIC44F18 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-MLF®(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | P通道MOSFET | 1.607V,1.615V | 6a,6a | 10n,10n | |||
![]() | EB01-FS450R12KE3 | - | ![]() | 8102 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | EB01-FS450 | - | 未行业行业经验证 | - | 模块 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8473.30.1180 | 1 | - | - | IGBT | - | - | - | 800 v | |||||
![]() | ISL6609AIBZ-T | - | ![]() | 9568 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6609 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | ||
![]() | FAN3111CSX | 0.9800 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | FAN3111 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 1.4a,1.4a | 9NS,8NS | |||
![]() | UCC27200ADDA | 1.6800 | ![]() | 8734 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powersoic(0.154英寸,3.90mm宽度) | UCC27200 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | 8-SO POWERPAD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 3V,8V | 3a,3a | 8NS,7NS | 120 v | ||
![]() | IR2183 | - | ![]() | 8103 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR2183 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IR2183 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | |
![]() | IRS2336STRPBF | 4.6888 | ![]() | 1056 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IRS2336 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | IXDN614SI | 4.9300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDN614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 14a,14a | 25NS,18NS | |||
2EDN7524GXTMA1 | 1.6500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 2EDN7524 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | PG-WSON-8-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 5a,5a | 5.3NS,4.5NS | ||||
![]() | L6387D | - | ![]() | 7551 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -45°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | L6387 | 反转 | 未行业行业经验证 | (17V)) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.5V,3.6V | 400mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | ||
![]() | LM5109ASDX/NOPB | 0.7590 | ![]() | 2454 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | LM5109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-wson(4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1a,1a | 15ns,15ns | 108 v | ||
![]() | IRS2453DSTRPBF | 3.0600 | ![]() | 4110 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | IRS2453 | RC输入电路 | 未行业行业经验证 | 10v〜15.6V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 全桥 | 1 | n通道MOSFET | 4.7V,9.3V | 180mA,260mA | 120NS,50NS | 600 v |
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