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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
LM5100AMX/NOPB	1.4100	RFQ	7	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5100	不转变		9V〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	214	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v	未行业行业经验证
LM5101BMAX/NOPB	-	RFQ	8122	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	2a，2a	570NS，430NS	118 v
UCC27210DDA	-	RFQ	5148	单位树	-	大部分	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27210	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.4V，5.9V	4a，4a	7.2NS，5.5NS	120 v
LM5100AM/NOPB	2.0400	RFQ	1	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5100	不转变		9V〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	148	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v	未行业行业经验证
UCC37324PE4	-	RFQ	2287	Texas Instruments	*	大部分	积极的				UCC37324		未行业行业经验证			下载					Ear99	8542.39.0001	1
IR22141SSPBF	-	RFQ	2210	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	IR22141	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	24 SSOP	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	2a，3a	24ns，7ns	1.2 v
D3CYD08CME-E	-	RFQ	5173	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				D3CYD08		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件		到达不受影响	559-d3Cyd08cme-etr	Ear99	8542.39.0001	3,000
drv8300drger	1.5200	RFQ	23	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-VFQFN暴露垫	DRV8300	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	24-VQFN （4x4）	下载	不适用	（1 （无限）		296-DRV8300DRGRGRTR	Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	高侧和低侧	3	n通道MOSFET	0.8V，2V	750mA，1.5a	12n，12ns	105 v
LTC7001JMSE ＃PBF	7.5900	RFQ	2583	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7001	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜15V	10-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
2ED2101S06FXUMA1	1.4900	RFQ	6993	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	2ED2101	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	PG-DSO-8-69	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高侧和低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.7V	290mA，700mA	70ns，35ns	650 v
2ED2103S06FXUMA1	1.2800	RFQ	1313	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	2ED2103	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	PG-DSO-8-69	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.7V	290mA，700mA	70ns，35ns	650 v
ltc7062imse＃wtrpbf	2.3850	RFQ	5424	模拟设备公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-tssop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7062	不转变	未行业行业经验证	5v〜14V	12-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	-	-	18NS，14NS	115 v
CMT-TIT8244A	202.6400	RFQ	1	cissoid	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）		模块	CMT-TIT8244	不转变	未行业行业经验证	12v〜18V	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	3276-CMT-TIT8244A	Ear99	8542.39.0000	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	10a，10a	-	1700 v
ISL6613AEIB	-	RFQ	5024	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
1EDN7512BXTSA1	1.0700	RFQ	16	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	1EDN7512	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-SOT23-5-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，8a	6.5NS，4.5NS
MIC4128YMME-TR	1.2600	RFQ	8435	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC4128	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，18NS
HIP0060AB	5.3400	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	HIP0060	不转变	未行业行业经验证	3.2v〜4.4V	24-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	4	n通道MOSFET	-	-	-	50 V
MCP14A0455-E/MS	1.2900	RFQ	3424	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0455	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V，2V	4.5a，4.5a	12n，12ns
Fan7383m	-	RFQ	4553	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（0.209英寸，宽度为5.30mm）	Fan7383	不转变	未行业行业经验证	15v〜20V	14分	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	54	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.9V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v
IRS2001MPBF	-	RFQ	9671	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	IRS2001	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-MLPQ （4x4）	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001542662	Ear99	8542.39.0001	92	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
LM5104M	3.3637	RFQ	3656	Texas Instruments	-	管子	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5104	反转，无变形	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
ISL6608CB-T	-	RFQ	3160	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6608	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	22 v
MIC4103YM-TR	2.2350	RFQ	5020	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4103	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	2a，3a	10n，6ns	118 v
MCP14E8T-E/SN	1.9650	RFQ	7336	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E8	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns
MAX5056AASA	-	RFQ	2106	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5056	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC-EP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
2EDN7524GXTMA1	1.6500	RFQ	3	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	2EDN7524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-WSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	5a，5a	5.3NS，4.5NS
L9857-TR-LF	-	RFQ	5619	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L9857	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	500mA，500mA	100NS，100NS	300 v
1SD418F2-FZ1500R25KF1	-	RFQ	4096	电源集成	Scale™-1	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	1SD418F2	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	18a，18a	100NS，100NS
DGD2106MS8-13	1.8200	RFQ	8319	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
LM5104SDX/NOPB	1.6695	RFQ	7001	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5104	反转，无变形	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²