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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IR2233S | - | ![]() | 7772 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR2233 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IR2233S | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2V | 250mA,500mA | 90NS,40NS | 1200 v | ||
![]() | LM5100SD/NOPB | - | ![]() | 3082 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | LM5100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 10-wson(4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 3V,8V | 1.6a,1.6a | 600NS,600NS | 118 v | |||
![]() | IR2132PBF | - | ![]() | 6800 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | IR2132 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 494 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 80n,35ns | 600 v | |||
![]() | LM5111-1MX | - | ![]() | 1823年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5111 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | ||||
![]() | LM5109BQNGTTQ1 | 1.5900 | ![]() | 7161 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | LM5109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-wson(4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1a,1a | 15ns,15ns | 108 v | |||
![]() | ISL6610CRZ-T | 1.7700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6610 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 16 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | |||||
![]() | FAN3217TMX-F085 | 3.0200 | ![]() | 1476 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3217 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 3a,3a | 12ns,9ns | ||||
![]() | SM72482X/NOPB | - | ![]() | 4251 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SM72482 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | ||||
![]() | TC4428ACOA713 | 1.7800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC4428 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 25n,25n | ||||
![]() | ISL6613ACRZ-T | - | ![]() | 5064 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6613 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
![]() | MIC4469BWM TR | - | ![]() | 7268 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MIC4469 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.2a,1.2a | 14ns,13ns | ||||
![]() | IXDN614SITR | 4.9300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDN614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 14a,14a | 25NS,18NS | ||||
![]() | IXDF602D2TR | 0.7468 | ![]() | 7649 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | IXDF602 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-DFN-EP(5x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 2a,2a | 7.5NS,6.5NS | ||||
![]() | MIC4469CN | - | ![]() | 4927 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | MIC4469 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 14浸 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.2a,1.2a | 14ns,13ns | ||||
![]() | ISL6612CRZR5238 | 1.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||||
![]() | TC4427EOA-VAO | - | ![]() | 2246 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC4427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 19NS,19NS | ||||
![]() | IR2108pbf | - | ![]() | 5601 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR2108 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | |||||||
![]() | Max15025Datb+ | 2.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-WFDFN暴露垫 | Max15025 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜28V | 10-TDFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 2V,4.25V | 2a,4a | 3NS,3NS | ||||
![]() | FAN3224CMX | 1.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3224 | 不转变 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 285 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 5a,5a | 12ns,9ns | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | 5962-0051401VPA | 255.3100 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 5962-0051401 | 未行业行业经验证 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | ISL89400ABZ | 2.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL89400 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 3.7V,7.4V | 1.25a,1.25a | 16ns,16ns | 100 v | |||
![]() | IR25602SPBF | - | ![]() | 1918年 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR25602 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | - | 不适用 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,3V | 210mA,360mA | 100NS,50NS | 600 v | |||
![]() | ISL6612AIBZ-T | - | ![]() | 2088 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
![]() | TND508S-R-TL-E | - | ![]() | 2685 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 过时的 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-TND508S-R-TL-E-488 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | IR25606SPBF | - | ![]() | 3530 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR25606 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | |||
![]() | max4429csa | 3.8300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max4429 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 25n,25n | ||||
![]() | 1SD312F2-CM600HB-90H | - | ![]() | 3798 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 底盘安装 | 模块 | 1SD312F2 | - | 未行业行业经验证 | 15.5v〜16.8V | 模块 | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8473.30.1180 | 1 | 单身的 | 半桥 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | - | 12a,12a | 100NS,100NS | ||||||
max628csa+ | 5.8600 | ![]() | 5461 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max628 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -4941-MAX628CSA+ | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 25NS,20NS | ||||
![]() | TC4428EMF713 | 1.0950 | ![]() | 6610 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC4428 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4428EMF713-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 19NS,19NS | |||
![]() | IRS21851SPBF | - | ![]() | 1060 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS21851 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 2(1年) | 到达不受影响 | SP001542848 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 4a,4a | 15ns,15ns | 600 v |
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