SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序) sic可编程
IR2233S Infineon Technologies IR2233S -
RFQ
ECAD 7772 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 125°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR2233 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IR2233S Ear99 8542.39.0001 25 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2V 250mA,500mA 90NS,40NS 1200 v
LM5100SD/NOPB Texas Instruments LM5100SD/NOPB -
RFQ
ECAD 3082 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-wdfn暴露垫 LM5100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 10-wson(4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 3V,8V 1.6a,1.6a 600NS,600NS 118 v
IR2132PBF Infineon Technologies IR2132PBF -
RFQ
ECAD 6800 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) IR2132 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 494 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 80n,35ns 600 v
LM5111-1MX Texas Instruments LM5111-1MX -
RFQ
ECAD 1823年 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5111 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,5a 14ns,12ns
LM5109BQNGTTQ1 Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1 1.5900
RFQ
ECAD 7161 0.00000000 Texas Instruments 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 LM5109 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 8-wson(4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1a,1a 15ns,15ns 108 v
ISL6610CRZ-T Intersil ISL6610CRZ-T 1.7700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Intersil - 大部分 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-VQFN暴露垫 ISL6610 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 16 QFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 4 n通道MOSFET - - ,4A 8ns,8ns 36 V
FAN3217TMX-F085 onsemi FAN3217TMX-F085 3.0200
RFQ
ECAD 1476 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3217 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 3a,3a 12ns,9ns
SM72482X/NOPB Texas Instruments SM72482X/NOPB -
RFQ
ECAD 4251 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SM72482 反转,无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,5a 14ns,12ns
TC4428ACOA713 Microchip Technology TC4428ACOA713 1.7800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC4428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 25n,25n
ISL6613ACRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6613ACRZ-T -
RFQ
ECAD 5064 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6613 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
MIC4469BWM TR Microchip Technology MIC4469BWM TR -
RFQ
ECAD 7268 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MIC4469 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 14ns,13ns
IXDN614SITR IXYS Integrated Circuits Division IXDN614SITR 4.9300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDN614 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 14a,14a 25NS,18NS
IXDF602D2TR IXYS Integrated Circuits Division IXDF602D2TR 0.7468
RFQ
ECAD 7649 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 IXDF602 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-DFN-EP(5x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 2a,2a 7.5NS,6.5NS
MIC4469CN Microchip Technology MIC4469CN -
RFQ
ECAD 4927 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) MIC4469 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 14浸 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 14ns,13ns
ISL6612CRZR5238 Intersil ISL6612CRZR5238 1.1200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 不适用 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
TC4427EOA-VAO Microchip Technology TC4427EOA-VAO -
RFQ
ECAD 2246 0.00000000 微芯片技术 汽车,AEC-Q100 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC4427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 19NS,19NS
IR2108PBF International Rectifier IR2108pbf -
RFQ
ECAD 5601 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR2108 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 0000.00.0000 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
MAX15025DATB+ ADI/Maxim Integrated Max15025Datb+ 2.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ADI/MAXIM集成 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-WFDFN暴露垫 Max15025 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜28V 10-TDFN-EP(3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 2V,4.25V 2a,4a 3NS,3NS
FAN3224CMX Fairchild Semiconductor FAN3224CMX 1.0500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3224 不转变 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 285 独立的 低侧 2 n通道MOSFET - 5a,5a 12ns,9ns 未行业行业经验证
5962-0051401VPA Texas Instruments 5962-0051401VPA 255.3100
RFQ
ECAD 99 0.00000000 Texas Instruments * 大部分 积极的 5962-0051401 未行业行业经验证 下载 Ear99 8542.39.0001 1
ISL89400ABZ Intersil ISL89400ABZ 2.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Intersil - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL89400 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 3.7V,7.4V 1.25a,1.25a 16ns,16ns 100 v
IR25602SPBF International Rectifier IR25602SPBF -
RFQ
ECAD 1918年 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR25602 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC - 不适用 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 210mA,360mA 100NS,50NS 600 v
ISL6612AIBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612AIBZ-T -
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
TND508S-R-TL-E onsemi TND508S-R-TL-E -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 Onmi * 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-TND508S-R-TL-E-488 1
IR25606SPBF International Rectifier IR25606SPBF -
RFQ
ECAD 3530 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR25606 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
MAX4429CSA ADI/Maxim Integrated max4429csa 3.8300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max4429 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 6a,6a 25n,25n
1SD312F2-CM600HB-90H Power Integrations 1SD312F2-CM600HB-90H -
RFQ
ECAD 3798 0.00000000 电源集成 Scale™-1 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 底盘安装 模块 1SD312F2 - 未行业行业经验证 15.5v〜16.8V 模块 下载 不适用 Ear99 8473.30.1180 1 单身的 半桥 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet - 12a,12a 100NS,100NS
MAX628CSA+ ADI/Maxim Integrated max628csa+ 5.8600
RFQ
ECAD 5461 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max628 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -4941-MAX628CSA+ Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 25NS,20NS
TC4428EMF713 Microchip Technology TC4428EMF713 1.0950
RFQ
ECAD 6610 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S( 6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4428EMF713-NDR Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 19NS,19NS
IRS21851SPBF Infineon Technologies IRS21851SPBF -
RFQ
ECAD 1060 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS21851 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 2(1年) 到达不受影响 SP001542848 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 4a,4a 15ns,15ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库