SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序) sic可编程
MAX8552ETB ADI/Maxim Integrated max8552etb 1.2100
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ECAD 524 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 10-WFDFN暴露垫 MAX8552 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜6.5V 10-TDFN-EP(3x3) 下载 Ear99 8542.39.0001 1 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.5V - 14ns,9ns
6ED003L06F2XUMA2 Infineon Technologies 6ED003L06F2XUMA2 -
RFQ
ECAD 6861 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 6ed003 不转变 未行业行业经验证 13v〜17.5V P-DSO-28 下载 Ear99 8542.39.0001 1 3相 半桥 6 Igbt,n通道,p通道Mosfet 1.1V,1.7V 165mA,375mA 60ns,26ns 620 v
NCP5901MNTBG onsemi NCP5901MNTBG 0.1700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vfdfn裸露的垫子 NCP5901 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-DFN(2x2) 下载 Ear99 8542.39.0001 1,777 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V - 16ns,11ns 35 v
IRS21834PBF International Rectifier IRS21834pbf 3.3400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) IRS21834 反转,无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 1.9a,2.3a 40NS,20NS 600 v
1EDN7550B Infineon Technologies 1EDN7550B -
RFQ
ECAD 6711 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 1EDN7550 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜20V PG-SOT23-6-3 下载 0000.00.0000 1 单身的 高侧和低侧 2 n通道,p通道MOSFET - 4a,8a 6.5NS,4.5NS
EL7457CLZ-T13 Elantec EL7457CLZ-T13 -
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ECAD 8164 0.00000000 Elantec - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-VQFN暴露垫 EL7457 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16 QFN (4x4) 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 高方面或低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 2a,2a 13.5ns,13ns
UC2709DW Unitrode UC2709DW 6.3300
RFQ
ECAD 655 0.00000000 单位树 * 大部分 积极的 UC2709 下载 Ear99 8542.39.0001 48 未行业行业经验证
ISL2100AAR3Z Intersil ISL2100AAR3Z -
RFQ
ECAD 1155 0.00000000 Intersil - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 9-VFDFN暴露垫 ISL2100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 9-DFN-EP(3x3) - 0000.00.0000 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 3.7V,7.4V 2a,2a 10n,10n 114 v
IRS2817DSTRPBF International Rectifier IRS2817DSTRPBF -
RFQ
ECAD 4851 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS2817 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 高侧和低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2 V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
FAN73894MX Fairchild Semiconductor FAN73894MX -
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ECAD 7553 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) Fan73894 反转 未行业行业经验证 12v〜20V 28-Soic 下载 Ear99 8542.39.0001 1 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 350mA,650mA 50ns,30ns 600 v
IR2133JPBF International Rectifier IR2133JPBF -
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ECAD 4170 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 125°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IR2133 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 0000.00.0000 1 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 90NS,40NS 600 v
UC2707DWG4 Texas Instruments UC2707DWG4 -
RFQ
ECAD 9622 0.00000000 Texas Instruments - 大部分 积极的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) UC2707 反转,无变形 未行业行业经验证 5V〜40V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 40 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1.5a,1.5a 40n,40n
UCC37325P Unitrode UCC37325p 0.7200
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ECAD 9263 0.00000000 单位树 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) UCC37325 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-pdip 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,2V 4a,4a 20N,15n
ISL6612ECBZ Intersil ISL6612ECBZ -
RFQ
ECAD 8122 0.00000000 Intersil - 大部分 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC-EP 下载 Ear99 8542.39.0001 1 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
TDA21490AUMA1 Infineon Technologies TDA21490AUMA1 6.9500
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ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 39-PowerVFQFN TDA21490 不转变 未行业行业经验证 4.25V〜16V PG-IQFN-39 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 5,000 独立的 高方面或低侧 2 n通道MOSFET - 90a,70a -
FAN7382M1X Fairchild Semiconductor FAN7382M1X -
RFQ
ECAD 7176 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) Fan7382 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14分 下载 0000.00.0000 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 350mA,650mA 60n,30ns 600 v
IR25603PBF International Rectifier IR25603PBF 1.2800
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ECAD 39 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR25603 RC输入电路 未行业行业经验证 10v〜15.6V 8-pdip 下载 Ear99 8542.39.0001 1 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 180mA,260mA 80ns,45ns 600 v
FAN7888MX Fairchild Semiconductor FAN7888MX -
RFQ
ECAD 8566 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) Fan7888 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 20-SOIC 下载 0000.00.0000 1 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 1V,2.5V 350mA,650mA 50ns,30ns 200 v
IR1169STRPBF International Rectifier IR1169STRPBF -
RFQ
ECAD 9256 0.00000000 国际整流器 高级智能整流器™ 大部分 积极的 -25°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR1169 反转 未行业行业经验证 11V〜19V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 2V,2.25V 1A,4A 20N,10N
IRS2181STRPBF International Rectifier IRS2181STRPBF -
RFQ
ECAD 2555 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS2181 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 1.9a,2.3a 40NS,20NS 600 v
IR2106PBF International Rectifier IR2106PBF 1.7100
RFQ
ECAD 550 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR2106 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
IR2108PBF International Rectifier IR2108pbf -
RFQ
ECAD 5601 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR2108 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 0000.00.0000 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
FAN3225CMX Fairchild Semiconductor FAN3225CMX 0.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3225 反转,无变形 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET - 5a,5a 12ns,9ns 未行业行业经验证
LM5110-1SDX/NOPB National Semiconductor LM5110-1SDX/NOPB -
RFQ
ECAD 1395年 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-wdfn暴露垫 LM5110 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜14V 10-wson(4x4) 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,5a 14ns,12ns
LM5100AMX/NOPB National Semiconductor LM5100AMX/NOPB 1.4100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5100 不转变 9V〜14V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 214 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 3a,3a 430ns,260ns 118 v 未行业行业经验证
LM5101BMAX/NOPB National Semiconductor LM5101BMAX/NOPB -
RFQ
ECAD 8122 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 2a,2a 570NS,430NS 118 v
UCC27210DDA Unitrode UCC27210DDA -
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 单位树 - 大部分 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-Powersoic(0.154英寸,3.90mm宽度) UCC27210 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 8-SO POWERPAD 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.4V,5.9V 4a,4a 7.2NS,5.5NS 120 v
LM5100AM/NOPB National Semiconductor LM5100AM/NOPB 2.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5100 不转变 9V〜14V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 148 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 3a,3a 430ns,260ns 118 v 未行业行业经验证
UCC37324PE4 Texas Instruments UCC37324PE4 -
RFQ
ECAD 2287 0.00000000 Texas Instruments * 大部分 积极的 UCC37324 未行业行业经验证 下载 Ear99 8542.39.0001 1
IR22141SSPBF International Rectifier IR22141SSPBF -
RFQ
ECAD 2210 0.00000000 国际整流器 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) IR22141 不转变 未行业行业经验证 11.5v〜20V 24 SSOP 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT 0.8V,2V 2a,3a 24ns,7ns 1.2 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库