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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | max8552etb | 1.2100 | ![]() | 524 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 10-WFDFN暴露垫 | MAX8552 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜6.5V | 10-TDFN-EP(3x3) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.5V | - | 14ns,9ns | ||||||
![]() | 6ED003L06F2XUMA2 | - | ![]() | 6861 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 6ed003 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 13v〜17.5V | P-DSO-28 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 1.1V,1.7V | 165mA,375mA | 60ns,26ns | 620 v | |||||
NCP5901MNTBG | 0.1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vfdfn裸露的垫子 | NCP5901 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-DFN(2x2) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,777 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | - | 16ns,11ns | 35 v | ||||||
![]() | IRS21834pbf | 3.3400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | IRS21834 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14浸 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | |||||
![]() | 1EDN7550B | - | ![]() | 6711 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | 1EDN7550 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | PG-SOT23-6-3 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 单身的 | 高侧和低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | - | 4a,8a | 6.5NS,4.5NS | |||||||
![]() | EL7457CLZ-T13 | - | ![]() | 8164 | 0.00000000 | Elantec | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | EL7457 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16 QFN (4x4) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 高方面或低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,2a | 13.5ns,13ns | ||||||
![]() | UC2709DW | 6.3300 | ![]() | 655 | 0.00000000 | 单位树 | * | 大部分 | 积极的 | UC2709 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||
![]() | ISL2100AAR3Z | - | ![]() | 1155 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 9-VFDFN暴露垫 | ISL2100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 9-DFN-EP(3x3) | - | 0000.00.0000 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 3.7V,7.4V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v | ||||||
![]() | IRS2817DSTRPBF | - | ![]() | 4851 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2817 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2 V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | |||||
![]() | FAN73894MX | - | ![]() | 7553 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | Fan73894 | 反转 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 28-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 350mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | |||||
![]() | IR2133JPBF | - | ![]() | 4170 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IR2133 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 90NS,40NS | 600 v | ||||||
![]() | UC2707DWG4 | - | ![]() | 9622 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 大部分 | 积极的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | UC2707 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 5V〜40V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 40 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.5a,1.5a | 40n,40n | |||
![]() | UCC37325p | 0.7200 | ![]() | 9263 | 0.00000000 | 单位树 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | UCC37325 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-pdip | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 1V,2V | 4a,4a | 20N,15n | ||||||
![]() | ISL6612ECBZ | - | ![]() | 8122 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC-EP | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||||
![]() | TDA21490AUMA1 | 6.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 39-PowerVFQFN | TDA21490 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.25V〜16V | PG-IQFN-39 | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 90a,70a | - | |||
![]() | FAN7382M1X | - | ![]() | 7176 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | Fan7382 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14分 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 350mA,650mA | 60n,30ns | 600 v | ||||||
![]() | IR25603PBF | 1.2800 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR25603 | RC输入电路 | 未行业行业经验证 | 10v〜15.6V | 8-pdip | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 180mA,260mA | 80ns,45ns | 600 v | |||||
![]() | FAN7888MX | - | ![]() | 8566 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) | Fan7888 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 20-SOIC | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 1V,2.5V | 350mA,650mA | 50ns,30ns | 200 v | ||||||
![]() | IR1169STRPBF | - | ![]() | 9256 | 0.00000000 | 国际整流器 | 高级智能整流器™ | 大部分 | 积极的 | -25°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR1169 | 反转 | 未行业行业经验证 | 11V〜19V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 2V,2.25V | 1A,4A | 20N,10N | ||||||
![]() | IRS2181STRPBF | - | ![]() | 2555 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2181 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | |||||
![]() | IR2106PBF | 1.7100 | ![]() | 550 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR2106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | |||||
![]() | IR2108pbf | - | ![]() | 5601 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR2108 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | ||||||
![]() | FAN3225CMX | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3225 | 反转,无变形 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 5a,5a | 12ns,9ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | LM5110-1SDX/NOPB | - | ![]() | 1395年 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | LM5110 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 10-wson(4x4) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | ||||||
![]() | LM5100AMX/NOPB | 1.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5100 | 不转变 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 214 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 3a,3a | 430ns,260ns | 118 v | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | LM5101BMAX/NOPB | - | ![]() | 8122 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 2a,2a | 570NS,430NS | 118 v | |||||
![]() | UCC27210DDA | - | ![]() | 5148 | 0.00000000 | 单位树 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powersoic(0.154英寸,3.90mm宽度) | UCC27210 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | 8-SO POWERPAD | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.4V,5.9V | 4a,4a | 7.2NS,5.5NS | 120 v | |||||
![]() | LM5100AM/NOPB | 2.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5100 | 不转变 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 148 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 3a,3a | 430ns,260ns | 118 v | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | UCC37324PE4 | - | ![]() | 2287 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | UCC37324 | 未行业行业经验证 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IR22141SSPBF | - | ![]() | 2210 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) | IR22141 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 11.5v〜20V | 24 SSOP | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | 0.8V,2V | 2a,3a | 24ns,7ns | 1.2 v |
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