SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
UCC27284QDQ1 Texas Instruments UCC27284QDQ1 1.1620
RFQ
ECAD 9046 0.00000000 Texas Instruments 汽车,AEC-Q100 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC27284 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜16V 8-SOIC - 不适用 2(1年) Ear99 8542.39.0001 75 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.3V,1.9V 2.5a,3.5a 12n,10n 120 v
DGD0579UFN-7 Diodes Incorporated DGD0579UFN-7 1.1300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 10-WFDFN暴露垫 DGD0579 不转变 未行业行业经验证 6.5v〜18V W-DFN3030-10 - 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,6.5V 1.5a,2.5a 19ns,15ns 100 v
2CG010BBC12N Tamura 2CG010BBC12N 73.2700
RFQ
ECAD 120 0.00000000 塔穆拉 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 模块 2CG010 不转变 未行业行业经验证 13v〜28V 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 132-2CG010BBC12N Ear99 8543.90.8885 30 独立的 半桥 2 IGBT,SIC MOSFET 1.65V,3.85V 500NS,500NS
2PG010DCC11N Tamura 2PG010DCC11N 150.5200
RFQ
ECAD 7266 0.00000000 塔穆拉 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C 底盘安装 模块 2PG010 不转变 未行业行业经验证 13v〜28V 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 132-2PG010DCC11N Ear99 8543.70.9860 20 独立的 半桥 2 IGBT 0.5V,3.3V 500NS,500NS
2QG010DDC11N Tamura 2QG010DDC11N 174.6000
RFQ
ECAD 30 0.00000000 塔穆拉 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C 底盘安装 模块 2PG010 不转变 未行业行业经验证 13v〜28V 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 132-2QG010DDC11N Ear99 8543.70.9860 20 独立的 半桥 2 IGBT 0.5V,3.3V 500NS,500NS
2QG020DDC11N Tamura 2QG020DDC11N 174.6000
RFQ
ECAD 29 0.00000000 塔穆拉 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C 底盘安装 模块 2QG020 不转变 未行业行业经验证 13v〜28V 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 132-2QG020DDC11N Ear99 8543.70.9860 20 独立的 半桥 2 IGBT 500NS,500NS
UCC27614DR Texas Instruments UCC27614DR 2.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC27614 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜26V 8-SOIC 下载 不适用 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 10a,10a 4.5NS,4NS
2EDL8023G3CXTMA1 Infineon Technologies 2EDL8023G3CXTMA1 1.7900
RFQ
ECAD 9261 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 2EDL8023 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V PG-VDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 3a,5a 45ns,45ns 120 v
RT9610CGQW Richtek USA Inc. RT9610CGQW 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Richtek USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 RT9610 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜26V 8-WDFN (2x2) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 0.48V,1.4V 2a,2a 8ns,8ns 6 V
RT9610BZQW Richtek USA Inc. RT9610BZQW 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Richtek USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 RT9610 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜26V 8-WDFN (2x2) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 0.48V,2V 2a,2a 8ns,8ns 6 V
RT9624DGQWA Richtek USA Inc. RT9624DGQWA 0.2614
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Richtek USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 RT9624 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-WDFN-SL(2x2) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方面或低侧 2 n通道MOSFET - - 25ns,12ns 15 v
RT9614CGQW Richtek USA Inc. RT9614CGQW 0.2614
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Richtek USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 RT9614 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-WDFN-SL(2x2) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方面或低侧 2 n通道MOSFET - - 25ns,12ns 46 v
TCK424G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK424G,L3F 0.8500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-XFBGA,WLCSP TCK424 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPG(0.8x1.2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 264-TCK424GL3FCT Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.4V,1.2V - -
TCK423G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK423G,L3F 0.8500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-XFBGA,WLCSP TCK423 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPG(0.8x1.2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.4V,1.2V - -
EL7242CNZ Intersil EL7242CNZ -
RFQ
ECAD 5694 0.00000000 Intersil - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) EL7242 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-pdip - Rohs不合规 供应商不确定 2156-EL7242CNZ-600010 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a -
IR2130PBF International Rectifier IR2130pbf 9.5000
RFQ
ECAD 220 0.00000000 国际整流器 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C(TA) 通过洞 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) IR2130 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 28点 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-ir2130pbf Ear99 8542.31.0001 1 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 200ma,420mA 80n,35ns 600 v
NCD5705BDR2G onsemi NCD5705BDR2G 1.6800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCD5705 反转 未行业行业经验证 (20V)) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 半桥 1 IGBT 0.5V,4.5V 4a,6a 9.2NS,7.9NS
NCD57200DR2G onsemi NCD57200DR2G 2.1400
RFQ
ECAD 3986 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCD57200 不转变 未行业行业经验证 20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 半桥 2 IGBT 0.9V,2.4V 1.9a,2.3a 13ns,8ns
BD2320UEFJ-LAE2 Rohm Semiconductor BD2320UEFJ-LAE2 2.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) BD2320 不转变 未行业行业经验证 7.5V〜14.5V 8-HTSOP-J 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.7V,1.5V 3.5a,4.5a 8ns,6ns 100 v
TCK420G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK420G,L3F 0.8500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-XFBGA,WLCSP TCK420 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPG(0.8x1.2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.4V,1.2V - -
NCV5707BDR2G onsemi NCV5707BDR2G 0.7727
RFQ
ECAD 1195 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCV5707 反转 未行业行业经验证 7v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NCV5707BDR2GTR Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高侧和低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 0.75V,4.3V 7.8a,6.8a 9.2NS,7.9NS
NCP51513ABMNTWG onsemi NCP51513ABMNTWG 1.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 NCP51513 反转,无变形 未行业行业经验证 8v〜19v 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.3V 2a,3a 9NS,7NS 150 v
PCA9440HE/AZ NXP USA Inc. PCA9440HE/AZ -
RFQ
ECAD 5108 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 PCA9440 未行业行业经验证 - 到达不受影响 568-PCA9440HE/AZ Ear99 8542.39.0001 1
SSC4S701 Sanken SSC4S701 1.6100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 桑肯 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SSC4S701 不转变 未行业行业经验证 13.5v〜16.5V 8-sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT 2.6V,1.3V 800mA,1.75a -
ZXGD3004E6QTA Diodes Incorporated ZXGD3004E6QTA 0.3286
RFQ
ECAD 6541 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 ZXGD3004 不转变 未行业行业经验证 40V SOT-26 下载 到达不受影响 31-ZXGD3004E6QTATR Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 高方面或低侧 1 IGBT,N通道MOSFET - 8a,8a 14ns,14ns
A89506KLPTR Allegro MicroSystems A89506KLPTR 5.4200
RFQ
ECAD 5901 0.00000000 Allegro微型系统 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜135°C(TA) 表面安装 20-tssop (0.173英寸,4.40mm宽) A89506 不转变 未行业行业经验证 - 20-TSSOP-EP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,000 同步 全桥 4 n通道MOSFET 0.8V,2V - -
MP1922GV-P Monolithic Power Systems Inc. MP1922GV-P 3.3700
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜165°C(TJ) 表面安装 22-VFQFN暴露垫 MP1922 不转变 未行业行业经验证 0v〜100V 22-qfn (4x5) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 1589-MP1922GV-PTR Ear99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,4a - 115 v
MPQ1922GV-AEC1-Z Monolithic Power Systems Inc. MPQ1922GV-AEC1-Z 4.1000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜165°C(TJ) 表面安装 22-VFQFN暴露垫 MPQ1922 不转变 未行业行业经验证 0v〜100V 22-qfn (4x5) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 1589-MPQ1922GV-AEC1-ZTR Ear99 8542.39.0001 5,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,4a - 115 v
ISL6613AEIB Renesas Electronics America Inc ISL6613AEIB -
RFQ
ECAD 5024 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6613 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC-EP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
1EDN7512BXTSA1 Infineon Technologies 1EDN7512BXTSA1 1.0700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74A,SOT-753 1EDN7512 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜20V PG-SOT23-5-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 4a,8a 6.5NS,4.5NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库