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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UCC27284QDQ1 | 1.1620 | ![]() | 9046 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27284 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜16V | 8-SOIC | - | 不适用 | 2(1年) | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.3V,1.9V | 2.5a,3.5a | 12n,10n | 120 v | |||
![]() | DGD0579UFN-7 | 1.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 10-WFDFN暴露垫 | DGD0579 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.5v〜18V | W-DFN3030-10 | - | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,6.5V | 1.5a,2.5a | 19ns,15ns | 100 v | |||
![]() | 2CG010BBC12N | 73.2700 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 塔穆拉 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 模块 | 2CG010 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 13v〜28V | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 132-2CG010BBC12N | Ear99 | 8543.90.8885 | 30 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,SIC MOSFET | 1.65V,3.85V | 500NS,500NS | |||
![]() | 2PG010DCC11N | 150.5200 | ![]() | 7266 | 0.00000000 | 塔穆拉 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | 2PG010 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 13v〜28V | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 132-2PG010DCC11N | Ear99 | 8543.70.9860 | 20 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | 0.5V,3.3V | 500NS,500NS | |||
![]() | 2QG010DDC11N | 174.6000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 塔穆拉 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | 2PG010 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 13v〜28V | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 132-2QG010DDC11N | Ear99 | 8543.70.9860 | 20 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | 0.5V,3.3V | 500NS,500NS | |||
![]() | 2QG020DDC11N | 174.6000 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 塔穆拉 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | 2QG020 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 13v〜28V | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 132-2QG020DDC11N | Ear99 | 8543.70.9860 | 20 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | 500NS,500NS | ||||
![]() | UCC27614DR | 2.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27614 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜26V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 10a,10a | 4.5NS,4NS | ||||
![]() | 2EDL8023G3CXTMA1 | 1.7900 | ![]() | 9261 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 2EDL8023 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | PG-VDSON-8-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 3a,5a | 45ns,45ns | 120 v | ||
![]() | RT9610CGQW | 0.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Richtek USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | RT9610 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜26V | 8-WDFN (2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.48V,1.4V | 2a,2a | 8ns,8ns | 6 V | ||
![]() | RT9610BZQW | 0.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Richtek USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | RT9610 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜26V | 8-WDFN (2x2) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.48V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 6 V | ||
![]() | RT9624DGQWA | 0.2614 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Richtek USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | RT9624 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-WDFN-SL(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 25ns,12ns | 15 v | ||
![]() | RT9614CGQW | 0.2614 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Richtek USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | RT9614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-WDFN-SL(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 25ns,12ns | 46 v | ||
TCK424G,L3F | 0.8500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 6-XFBGA,WLCSP | TCK424 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 2.7V〜28V | 6-WCSPG(0.8x1.2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 264-TCK424GL3FCT | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.4V,1.2V | - | - | ||||
TCK423G,L3F | 0.8500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 6-XFBGA,WLCSP | TCK423 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 2.7V〜28V | 6-WCSPG(0.8x1.2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.4V,1.2V | - | - | |||||
![]() | EL7242CNZ | - | ![]() | 5694 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | EL7242 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-pdip | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-EL7242CNZ-600010 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | - | |||
![]() | IR2130pbf | 9.5000 | ![]() | 220 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | IR2130 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28点 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 2156-ir2130pbf | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 200ma,420mA | 80n,35ns | 600 v | ||
NCD5705BDR2G | 1.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCD5705 | 反转 | 未行业行业经验证 | (20V)) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 半桥 | 1 | IGBT | 0.5V,4.5V | 4a,6a | 9.2NS,7.9NS | ||||
NCD57200DR2G | 2.1400 | ![]() | 3986 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCD57200 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 半桥 | 2 | IGBT | 0.9V,2.4V | 1.9a,2.3a | 13ns,8ns | ||||
![]() | BD2320UEFJ-LAE2 | 2.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | BD2320 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.5V〜14.5V | 8-HTSOP-J | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.7V,1.5V | 3.5a,4.5a | 8ns,6ns | 100 v | |||
TCK420G,L3F | 0.8500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 6-XFBGA,WLCSP | TCK420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 2.7V〜28V | 6-WCSPG(0.8x1.2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.4V,1.2V | - | - | |||||
![]() | NCV5707BDR2G | 0.7727 | ![]() | 1195 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCV5707 | 反转 | 未行业行业经验证 | 7v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-NCV5707BDR2GTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高侧和低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.75V,4.3V | 7.8a,6.8a | 9.2NS,7.9NS | ||
NCP51513ABMNTWG | 1.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | NCP51513 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 8v〜19v | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.3V | 2a,3a | 9NS,7NS | 150 v | |||
![]() | PCA9440HE/AZ | - | ![]() | 5108 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 过时的 | PCA9440 | 未行业行业经验证 | - | 到达不受影响 | 568-PCA9440HE/AZ | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SSC4S701 | 1.6100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜100°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SSC4S701 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 13.5v〜16.5V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT | 2.6V,1.3V | 800mA,1.75a | - | ||||
![]() | ZXGD3004E6QTA | 0.3286 | ![]() | 6541 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | ZXGD3004 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 40V | SOT-26 | 下载 | 到达不受影响 | 31-ZXGD3004E6QTATR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | - | 8a,8a | 14ns,14ns | ||||
![]() | A89506KLPTR | 5.4200 | ![]() | 5901 | 0.00000000 | Allegro微型系统 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜135°C(TA) | 表面安装 | 20-tssop (0.173英寸,4.40mm宽) | A89506 | 不转变 | 未行业行业经验证 | - | 20-TSSOP-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 同步 | 全桥 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | - | |||
MP1922GV-P | 3.3700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜165°C(TJ) | 表面安装 | 22-VFQFN暴露垫 | MP1922 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 0v〜100V | 22-qfn (4x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 1589-MP1922GV-PTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,4a | - | 115 v | ||
![]() | MPQ1922GV-AEC1-Z | 4.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜165°C(TJ) | 表面安装 | 22-VFQFN暴露垫 | MPQ1922 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 0v〜100V | 22-qfn (4x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 1589-MPQ1922GV-AEC1-ZTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,4a | - | 115 v | |
![]() | ISL6613AEIB | - | ![]() | 5024 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6613 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC-EP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | 1EDN7512BXTSA1 | 1.0700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | 1EDN7512 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | PG-SOT23-5-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 4a,8a | 6.5NS,4.5NS |
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