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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
IR2131SPBF	5.6000	RFQ	391	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2131	反转		10v〜20V	28-Soic	下载				Ear99	8542.39.0001	54	独立的	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，40n	600 v	未行业行业经验证
IR2213SPBF	1.0000	RFQ	4492	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2213	不转变		12v〜20V	16-Soic	下载				Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2.5a	25ns，17ns	1.2 v	未行业行业经验证
FAN3224CMX	1.0500	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3224	不转变		4.5V〜18V	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	285	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	5a，5a	12ns，9ns		未行业行业经验证
ISL6612BIRZ	-	RFQ	3706	Intersil	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载				Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LM5100AMRX/NOPB	1.4500	RFQ	1	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SO POWERPAD	下载				Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
IRS2304STRPBF	-	RFQ	4871	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2304	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.7V，2.3V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
FAN3121CMX	0.8300	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3121	反转		4.5V〜18V	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	362	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	10.6a，11.4a	23ns，19ns		未行业行业经验证
IRS21094pbf	2.4100	RFQ	9	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS21094	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载				Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
IR2011pbf	2.1100	RFQ	8	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2011	反转		10v〜20V	8-pdip	下载				Ear99	8542.39.0001	143	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.7V，2.2V	1a，1a	35NS，20NS	200 v	未行业行业经验证
IRS2109pbf	1.5800	RFQ	950	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2109	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载				Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
IR21091STRPBF	-	RFQ	8591	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR21091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
FAN3121TMX	0.8000	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3121	反转		4.5V〜18V	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	374	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	10.6a，11.4a	23ns，19ns		未行业行业经验证
SM72482MA-4/NOPB	1.3300	RFQ	300	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SM72482	反转，无变形		3.5V〜14V	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	300	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns		未行业行业经验证
UC1709L	31.1600	RFQ	688	Texas Instruments	*	大部分	积极的				UC1709		未行业行业经验证			下载				Ear99	8542.39.0001	1
IRS23364DJTR	5.1300	RFQ	500	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IRS23364	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.51x16.51）	-					0000.00.0000	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
IR1167BSTRPBF	-	RFQ	1266	国际整流器	SmarTrectifier™	大部分	积极的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR1167	不转变	未行业行业经验证	12v〜18V	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	2a，7a	18NS，10NS
UC1709L	31.1600	RFQ	383	单位树	*	大部分	积极的				UC1709		未行业行业经验证			下载				Ear99	8542.39.0001	1
max8552etb	1.2100	RFQ	524	ADI/MAXIM集成	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	MAX8552	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜6.5V	10-TDFN-EP（3x3）	下载				Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	-	14ns，9ns
6ED003L06F2XUMA2	-	RFQ	6861	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6ed003	不转变	未行业行业经验证	13v〜17.5V	P-DSO-28	下载				Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.1V，1.7V	165mA，375mA	60ns，26ns	620 v
NCP5901MNTBG	0.1700	RFQ	3	Onmi	-	大部分	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP5901	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-DFN（2x2）	下载				Ear99	8542.39.0001	1,777	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	-	16ns，11ns	35 v
IRS21834pbf	3.3400	RFQ	7	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS21834	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载				Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
1EDN7550B	-	RFQ	6711	Infineon技术	eicedriver™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	1EDN7550	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-SOT23-6-3	下载					0000.00.0000	1	单身的	高侧和低侧	2	n通道，p通道MOSFET	-	4a，8a	6.5NS，4.5NS
EL7457CLZ-T13	-	RFQ	8164	Elantec	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-VQFN暴露垫	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16 QFN （4x4）	下载				Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
UC2709DW	6.3300	RFQ	655	单位树	*	大部分	积极的				UC2709					下载				Ear99	8542.39.0001	48									未行业行业经验证
ISL2100AAR3Z	-	RFQ	1155	Intersil	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	9-VFDFN暴露垫	ISL2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	9-DFN-EP（3x3）	-					0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3.7V，7.4V	2a，2a	10n，10n	114 v
IRS2817DSTRPBF	-	RFQ	4851	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2817	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2 V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
FAN73894MX	-	RFQ	7553	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Fan73894	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	28-Soic	下载				Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v
IR2133JPBF	-	RFQ	4170	国际整流器	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2133	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载					0000.00.0000	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
UC2707DWG4	-	RFQ	9622	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC2707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n
UCC37325p	0.7200	RFQ	9263	单位树	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC37325	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载				Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²