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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | auirs2123str | 1.5106 | ![]() | 5713 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Auirs2123 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | SP001512098 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | - | 500mA,500mA | 80n,80n | 600 v | |
ISL95808IRZ-T | 2.2879 | ![]() | 2728 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vfdfn裸露的垫子 | ISL95808 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a,2a | 8ns,8ns | 33 V | |||
![]() | IR1176S | - | ![]() | 1101 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 20ssop (0.209英寸,5.30mm宽度) | IR1176 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4v〜5.25V | 20ssop | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 67 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 4a,4a | 20N,20N | |||
![]() | 4DUC51016CFA1 | 157.9100 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 塔穆拉 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 底盘安装 | 模块 | 4DUC51016 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 13v〜28V | 模块 | - | Rohs符合条件 | 不适用 | 132-4DUC51016CFA1 | Ear99 | 8543.70.9860 | 20 | 同步 | 半桥 | 4 | IGBT | - | - | - | 1200 v | ||
![]() | IR2110pbf | 3.3000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | IR2110 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.3v〜20V | 14浸 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 2a,2a | 25ns,17ns | 500 v | ||
![]() | TC4421AVOA713-VAO | - | ![]() | 7206 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC4421 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 10a,10a | 38ns,33ns | |||
![]() | PMC41430AUMA1 | 1.8470 | ![]() | 9046 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 448-PMC41430AUMA1TR | 5,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | IRS2117pbf | 2.1903 | ![]() | 4151 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IRS2117 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 290mA,600mA | 75ns,35ns | 600 v | ||
![]() | LM5107MA | - | ![]() | 1342 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5107 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.3a,1.4a | 15ns,15ns | 118 v | ||
MAX5057BASA | - | ![]() | 7423 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max5057 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.1V | 4a,4a | 32ns,26ns | |||||
![]() | TC4421ESM713 | 3.3900 | ![]() | 7045 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | TC4421 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-soij | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,100 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 60n,60n | |||
![]() | TC4627EOE713 | 5.0100 | ![]() | 6398 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | TC4627 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4627EOE713-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 33ns,27ns | ||
![]() | LM5109MA | - | ![]() | 5822 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1a,1a | 15ns,15ns | 118 v | ||
![]() | MP6539GF-P | 2.0518 | ![]() | 3607 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | MP | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 28-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) | 不转变 | 8v〜100V | 28-TSSOP-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 2a (4周) | 到达不受影响 | 1589-MP6539GF-PTR | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 800mA,1a | - | 120 v | |||||
![]() | IXDI402SIA | - | ![]() | 9960 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDI402 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 2a,2a | 8ns,8ns | ||||
![]() | AUIRS2003S | - | ![]() | 6063 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Auiirs2003 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | SP001514376 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 70ns,35ns | 200 v | ||
![]() | ISL89410IBZ-T13 | 1.6366 | ![]() | 8011 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL89410 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 7.5NS,10NS | |||
![]() | ISL6612BCR | - | ![]() | 8456 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||||
![]() | EL7154CN | - | ![]() | 6663 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | EL7154 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 高方面或低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.6V,2.4V | 4a,4a | 4NS,4NS | |||
![]() | IR21834STR | - | ![]() | 9539 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | IR21834 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | ||
![]() | EL7222CSZE9044-T7 | 1.1600 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Elantec | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | EL7222 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 10n,13ns | ||||
TC4426VPA | 1.5100 | ![]() | 5701 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TC4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4426VPA-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 19NS,19NS | |||
![]() | TC4422VMF | 2.2350 | ![]() | 2298 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4422VMF-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 60n,60n | ||
![]() | MP1921HQ-A-LF-P | 1.5211 | ![]() | 5902 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MP1921 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9v〜18V | 8-qfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2.4V | 2.5a,2.5a | 12ns,9ns | 120 v | ||
![]() | UCC37324PE4 | - | ![]() | 2287 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | UCC37324 | 未行业行业经验证 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MIC4421AZM | 1.7600 | ![]() | 3433 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4421 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 576-3510-5 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,3V | 9a,9a | 20N,24NS | ||
![]() | MIC4468BWM TR | - | ![]() | 8610 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MIC4468 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.2a,1.2a | 14ns,13ns | |||
![]() | max5075baua-t | - | ![]() | 7366 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | Max5075 | RC输入电路 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-umax-ep | 8-usop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 3a,3a | 10n,10n | |||
![]() | IRS26072DSPBF | - | ![]() | 3820 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS26072 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | |||
![]() | IRS21094pbf | 2.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | IRS21094 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14浸 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 100NS,35NS | 600 v |
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