SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
AUIRS2123STR Infineon Technologies auirs2123str 1.5106
RFQ
ECAD 5713 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Auirs2123 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 SP001512098 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET - 500mA,500mA 80n,80n 600 v
ISL95808IRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL95808IRZ-T 2.2879
RFQ
ECAD 2728 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vfdfn裸露的垫子 ISL95808 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-DFN(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2a,2a 8ns,8ns 33 V
IR1176S Infineon Technologies IR1176S -
RFQ
ECAD 1101 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 20ssop (0.209英寸,5.30mm宽度) IR1176 不转变 未行业行业经验证 4v〜5.25V 20ssop 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 67 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 4a,4a 20N,20N
4DUC51016CFA1 Tamura 4DUC51016CFA1 157.9100
RFQ
ECAD 60 0.00000000 塔穆拉 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 底盘安装 模块 4DUC51016 不转变 未行业行业经验证 13v〜28V 模块 - Rohs符合条件 不适用 132-4DUC51016CFA1 Ear99 8543.70.9860 20 同步 半桥 4 IGBT - - - 1200 v
IR2110PBF Infineon Technologies IR2110pbf 3.3000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Infineon技术 - 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) IR2110 不转变 未行业行业经验证 3.3v〜20V 14浸 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 2a,2a 25ns,17ns 500 v
TC4421AVOA713-VAO Microchip Technology TC4421AVOA713-VAO -
RFQ
ECAD 7206 0.00000000 微芯片技术 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC4421 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 10a,10a 38ns,33ns
PMC41430AUMA1 Infineon Technologies PMC41430AUMA1 1.8470
RFQ
ECAD 9046 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 448-PMC41430AUMA1TR 5,000
IRS2117PBF Infineon Technologies IRS2117pbf 2.1903
RFQ
ECAD 4151 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IRS2117 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 290mA,600mA 75ns,35ns 600 v
LM5107MA Texas Instruments LM5107MA -
RFQ
ECAD 1342 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5107 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1.3a,1.4a 15ns,15ns 118 v
MAX5057BASA ADI/Maxim Integrated MAX5057BASA -
RFQ
ECAD 7423 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max5057 反转,无变形 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.1V 4a,4a 32ns,26ns
TC4421ESM713 Microchip Technology TC4421ESM713 3.3900
RFQ
ECAD 7045 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) TC4421 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-soij 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,100 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 60n,60n
TC4627EOE713 Microchip Technology TC4627EOE713 5.0100
RFQ
ECAD 6398 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) TC4627 不转变 未行业行业经验证 4V〜6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4627EOE713-NDR Ear99 8542.39.0001 1,000 单身的 高方面或低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 33ns,27ns
LM5109MA Texas Instruments LM5109MA -
RFQ
ECAD 5822 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5109 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1a,1a 15ns,15ns 118 v
MP6539GF-P Monolithic Power Systems Inc. MP6539GF-P 2.0518
RFQ
ECAD 3607 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. MP 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 28-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) 不转变 8v〜100V 28-TSSOP-EP 下载 rohs3符合条件 2a (4周) 到达不受影响 1589-MP6539GF-PTR 500 3相 半桥 6 n通道MOSFET 0.8V,2V 800mA,1a - 120 v
IXDI402SIA IXYS IXDI402SIA -
RFQ
ECAD 9960 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDI402 反转 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 2a,2a 8ns,8ns
AUIRS2003S Infineon Technologies AUIRS2003S -
RFQ
ECAD 6063 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Auiirs2003 反转,无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 3(168)) 到达不受影响 SP001514376 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 290mA,600mA 70ns,35ns 200 v
ISL89410IBZ-T13 Renesas Electronics America Inc ISL89410IBZ-T13 1.6366
RFQ
ECAD 8011 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL89410 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 7.5NS,10NS
ISL6612BCR Intersil ISL6612BCR -
RFQ
ECAD 8456 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6612 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 Rohs不合规 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
EL7154CN Renesas Electronics America Inc EL7154CN -
RFQ
ECAD 6663 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) EL7154 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-pdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 高方面或低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.6V,2.4V 4a,4a 4NS,4NS
IR21834STR Infineon Technologies IR21834STR -
RFQ
ECAD 9539 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) IR21834 反转,无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 14-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.7V 1.9a,2.3a 40NS,20NS 600 v
EL7222CSZE9044-T7 Elantec EL7222CSZE9044-T7 1.1600
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Elantec - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) EL7222 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-SOIC 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 0000.00.0000 1,000 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 10n,13ns
TC4426VPA Microchip Technology TC4426VPA 1.5100
RFQ
ECAD 5701 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TC4426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4426VPA-NDR Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 19NS,19NS
TC4422VMF Microchip Technology TC4422VMF 2.2350
RFQ
ECAD 2298 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4422 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S( 6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4422VMF-NDR Ear99 8542.39.0001 60 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 60n,60n
MP1921HQ-A-LF-P Monolithic Power Systems Inc. MP1921HQ-A-LF-P 1.5211
RFQ
ECAD 5902 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MP1921 不转变 未行业行业经验证 9v〜18V 8-qfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2.4V 2.5a,2.5a 12ns,9ns 120 v
UCC37324PE4 Texas Instruments UCC37324PE4 -
RFQ
ECAD 2287 0.00000000 Texas Instruments * 大部分 积极的 UCC37324 未行业行业经验证 下载 Ear99 8542.39.0001 1
MIC4421AZM Microchip Technology MIC4421AZM 1.7600
RFQ
ECAD 3433 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4421 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 576-3510-5 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V,3V 9a,9a 20N,24NS
MIC4468BWM TR Microchip Technology MIC4468BWM TR -
RFQ
ECAD 8610 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MIC4468 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 14ns,13ns
MAX5075BAUA-T ADI/Maxim Integrated max5075baua-t -
RFQ
ECAD 7366 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) Max5075 RC输入电路 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-umax-ep | 8-usop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 低侧 2 n通道MOSFET - 3a,3a 10n,10n
IRS26072DSPBF Infineon Technologies IRS26072DSPBF -
RFQ
ECAD 3820 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS26072 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
IRS21094PBF International Rectifier IRS21094pbf 2.4100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) IRS21094 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 Ear99 8542.39.0001 1 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 290mA,600mA 100NS,35NS 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库