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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
tps2834dr	1.5945	RFQ	4716	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	TPS2834	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2.7a，2.4a	50n，40n	28 V
IR2214SS	-	RFQ	2524	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	IR2214	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	24 SSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2214SS	Ear99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	2a，3a	24ns，7ns	1200 v
IRS25752LTRPBF	-	RFQ	2724	国际整流器	µHVIC™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	IRS25752	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	PG-SOT23-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	160mA，240mA	85NS，40NS	600 v
ADP3118JRZ-RL	0.8000	RFQ	55	模拟设备公司	-	大部分	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3118	不转变	未行业行业经验证	4.15v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	25NS，20NS	25 v
A6862KLPTR-T	0.8820	RFQ	8389	Allegro微型系统	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	A6862	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜50V	16-ESSOP-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	8,000	3相	高方向	3	n通道MOSFET	0.4V，0.7V	-	-
max4427cpa	-	RFQ	6284	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
FAN73711MX	-	RFQ	8560	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan73711	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	25ns，15ns	600 v
drv8300drger	1.5200	RFQ	23	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-VFQFN暴露垫	DRV8300	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	24-VQFN （4x4）	下载	不适用	（1 （无限）		296-DRV8300DRGRGRTR	Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	高侧和低侧	3	n通道MOSFET	0.8V，2V	750mA，1.5a	12n，12ns	105 v
ATA6821-TUSY	-	RFQ	1902年	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ATA6821	不转变	未行业行业经验证	16V〜30V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	4a，4a	12n，12ns
IXB611S1T/r。	-	RFQ	8095	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXB611	-	未行业行业经验证	-	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	-	-		-	-	-	-
LM27222MX/NOPB	2.6800	RFQ	3	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM27222	不转变	未行业行业经验证	4V〜6.85V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，4.5a	17ns，12ns	33 V
UC3707DW	5.7300	RFQ	3835	单位树	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-Soic	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n
Max5048aaut ＃TG16	-	RFQ	1714年	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	Max5048	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜12.6V	SOT-6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	1.3a，7.6a	82ns，12.5ns
UCC27200DDA	3.1200	RFQ	169	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27200	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
max15019basa+t	7.0950	RFQ	9197	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max15019	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	50n，40n	125 v
BUK218-50DC，118	-	RFQ	4633	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	BUK218	-	未行业行业经验证	5.5V〜35V	D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	1.2V，3V	8a，8a	-
UCC27425DRG4	-	RFQ	5781	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27425	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
HIP6604BCR-T	0.8700	RFQ	5	Intersil	-	大部分	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP6604	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
LM5110-2SDX	-	RFQ	6220	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	反转	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
IRS2104pbf	2.2800	RFQ	3515	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
MCP14A0155T-E/MNY	0.9750	RFQ	5069	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0155	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	11.5NS，10NS
1SP0335V2M1C-5SNA0400J650100	271.3117	RFQ	8265	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	1Sp0335	-	未行业行业经验证	15.5v〜26.5V	模块	-		（1 （无限）		1810-1SP0335V2M1C-5SNA0400J650100	Ear99	8473.30.1180	6	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	35a，35a	9ns，30ns	6500 v
TC429MJA	-	RFQ	4941	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC429	反转	未行业行业经验证	7v〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	TC429MJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	23ns，25ns
LTC444444MPMS8E trpbf	5.1900	RFQ	7919	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	7.2v〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
IXDN504D1T/r。	-	RFQ	4161	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	IXDN504	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	6-DFN （4x5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	4a，4a	9NS，8NS
IXDD514SIA	-	RFQ	8605	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDD514	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，2.5V	14a，14a	25ns，22ns
IR21531DPBF	3.0800	RFQ	418	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR21531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
ISL6615IBZ	-	RFQ	2499	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
HIP0084AB	6.1500	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	20-SOIC （0.433英寸，11.00mm宽度）	HIP0084	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜35V	20-psop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	低侧	4	n通道MOSFET	-	5a，2a	-
IR21364JTRPBF	-	RFQ	1927年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR21364	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²