RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
IRS21281pbf	-	RFQ	4064	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS21281	反转	未行业行业经验证	9v〜20V	8-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001534540	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	80n，40n	600 v
MIC4452ABN	-	RFQ	9233	微芯片技术	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	12a，12a	20N，24NS
TC4425AVOE	-	RFQ	2865	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
IXC611P1	-	RFQ	5344	ixys	-	盒子	过时的	-	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXC611	-	未行业行业经验证	-	8点	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	-	-		-	-	-	-
ISL6596CRZ	-	RFQ	5191	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6596	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
ISL6609AIBZ-TS2705	-	RFQ	5109	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6609	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	-	rohs3符合条件		到达不受影响	20-ISL6609AIBZ-TS2705	过时的		100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	4a	8ns，8ns	36 V
IRS21094STRPBF	1.1541	RFQ	4834	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21094	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
L6743DTR	-	RFQ	4374	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6743	不转变	未行业行业经验证	5v〜12v	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a， -	-	41 v
IXDN630CI	9.7600	RFQ	2	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IXDN630	不转变	未行业行业经验证	12.5v〜35v	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CLA374	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	11n，11ns
LM25101CSDX/NOPB	1.9800	RFQ	2027	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM25101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	100 v
LM5101AMR/NOPB	4.2000	RFQ	12	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
1SP0635V2M1-12	347.1100	RFQ	16	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	1Sp0635	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1017	Ear99	8473.30.1180	6	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	35a，35a	9ns，30ns	1200 v
Auirs2184S	-	RFQ	3287	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs2184	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响	SP001512082	Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	15ns，12ns	600 v
2SP0115T2B0C-XXXX（2）（3）（3）（4）（4））（5）5）	136.1483	RFQ	3386	电源集成	-	大部分	积极的									-				596-2SP0115T2B0C-XXXX（2）（3）（4）（4）（5）			12
IX21844G	-	RFQ	7589	ixys集成电路部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IX21844	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	1.4a，1.8a	23ns，14ns	600 v
max5078aatt-t	-	RFQ	7170	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5078	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	6-TDFN （3x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，4a	32ns，26ns
LM5111-3MY	0.9400	RFQ	775	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LM5111	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-msop-powerpad	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2 V	3a，5a	14ns，12ns
IR2301pbf	2.5900	RFQ	10	国际整流器	*	大部分	积极的				IR2301					下载					Ear99	8542.39.0001	116									未行业行业经验证
IR2011pbf	2.1100	RFQ	8	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2011	反转		10v〜20V	8-pdip	下载					Ear99	8542.39.0001	143	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.7V，2.2V	1a，1a	35NS，20NS	200 v	未行业行业经验证
FAN5110MX	-	RFQ	3974	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	Fan5110	不转变	未行业行业经验证	10v〜13.5V	16-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	30ns，25ns
IR21362J	-	RFQ	4218	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR21362	反转，无变形	未行业行业经验证	11.5v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR21362J	Ear99	8542.39.0001	13	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
LM5109BMA/NOPB	1.5700	RFQ	2	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
DGD21064S14-13	-	RFQ	4478	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	DGD21064	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
ISL6612CBZR5214	-	RFQ	7302	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR2131JPBF	-	RFQ	1403	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2131	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001547332	Ear99	8542.39.0001	1,134	独立的	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
MCP14E9-E/SN	1.8300	RFQ	6037	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E9	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E9ESN	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	14ns，17ns
L6384ED013TR	1.8700	RFQ	1719年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-45°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6384	反转	未行业行业经验证	14.6v〜16.6v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
MCP14A1201-E/SN	1.7400	RFQ	7705	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A1201	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2V	12a，12a	25n，25n
IR1167BSTRPBF	-	RFQ	9327	Infineon技术	SmarTrectifier™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR1167	不转变	未行业行业经验证	12v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	2a，7a	18NS，10NS
ISL6615AIRZ-T	-	RFQ	2172	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²