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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | tps2813pe4 | 1.3700 | ![]() | 280 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TPS2813 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-pdip | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | - | 2a,2a | 14ns,15ns | |||||||
![]() | IRS2336STRPBF | - | ![]() | 9903 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IRS2336 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||||||
![]() | ISL89165FRTAZ | - | ![]() | 1729年 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | ISL89165 | 反转,无变形 | 4.5V〜16V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V,2.08V | 6a,6a | 20N,20N | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | IR2106STRPBF | - | ![]() | 3090 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | ||||||
![]() | FAN3216TMX-F085 | 0.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 408 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||
![]() | LM5106MMX/NOPB | - | ![]() | 3413 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽度) | LM5106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 10-VSSOP | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.2a,1.8a | 15ns,10ns | 118 v | ||||||
![]() | IR21844SPBF | 1.0000 | ![]() | 2950 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | IR21844 | 不转变 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | IRS23364DJPBF | 5.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IRS23364 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 11.5v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||||||
![]() | IR2132STRPBF | - | ![]() | 9684 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR2132 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 80n,35ns | 600 v | |||||||
![]() | IR2130JPBF | 7.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际整流器 | * | 大部分 | 积极的 | IR2130 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 38 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||
![]() | UC2707DWG4 | - | ![]() | 8022 | 0.00000000 | 单位树 | - | 大部分 | 积极的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | UC2707 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 5V〜40V | 16-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.5a,1.5a | 40n,40n | |||||||
![]() | UCC5870QDWJRQ1 | 11.6100 | ![]() | 8534 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100,FUSA) | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 36-Bessop(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | UCC5870 | 反转 | 未行业行业经验证 | 3v〜5.5V,15V〜30V | 36-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 296-UCC5870QDWJRQ1TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 750 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,SIC MOSFET | 1.5V,3V | 15a,15a | 150NS,150NS | |||
![]() | FAN7380MX | - | ![]() | 4024 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7380 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 90mA,180mA | 230ns,90ns | 600 v | ||||||
![]() | IR2131SPBF | 5.6000 | ![]() | 391 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR2131 | 反转 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 54 | 独立的 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 80n,40n | 600 v | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | IR2213SPBF | 1.0000 | ![]() | 4492 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR2213 | 不转变 | 12v〜20V | 16-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 2a,2.5a | 25ns,17ns | 1.2 v | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | FAN3224CMX | 1.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3224 | 不转变 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 285 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 5a,5a | 12ns,9ns | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | ISL6612BIRZ | - | ![]() | 3706 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||||||
![]() | LM5100AMRX/NOPB | 1.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powersoic(0.154英寸,3.90mm宽度) | LM5100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SO POWERPAD | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 3a,3a | 430ns,260ns | 118 v | ||||||
![]() | IRS2304STRPBF | - | ![]() | 4871 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2304 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.7V,2.3V | 290mA,600mA | 70ns,35ns | 600 v | ||||||
![]() | FAN3121CMX | 0.8300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3121 | 反转 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 362 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 10.6a,11.4a | 23ns,19ns | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | IRS21094pbf | 2.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | IRS21094 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14浸 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 100NS,35NS | 600 v | ||||||
![]() | IR2011pbf | 2.1100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR2011 | 反转 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 143 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2.2V | 1a,1a | 35NS,20NS | 200 v | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | IRS2109pbf | 1.5800 | ![]() | 950 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IRS2109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 100NS,35NS | 600 v | ||||||
![]() | IR21091STRPBF | - | ![]() | 8591 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR21091 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | ||||||
![]() | FAN3121TMX | 0.8000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3121 | 反转 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 374 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 10.6a,11.4a | 23ns,19ns | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | SM72482MA-4/NOPB | 1.3300 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SM72482 | 反转,无变形 | 3.5V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 300 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | UC1709L | 31.1600 | ![]() | 688 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | UC1709 | 未行业行业经验证 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IRS23364DJTR | 5.1300 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IRS23364 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 11.5v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.51x16.51) | - | 0000.00.0000 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | |||||||
![]() | IR1167BSTRPBF | - | ![]() | 1266 | 0.00000000 | 国际整流器 | SmarTrectifier™ | 大部分 | 积极的 | -25°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR1167 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12v〜18V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 2V,2.15V | 2a,7a | 18NS,10NS | |||||||
![]() | UC1709L | 31.1600 | ![]() | 383 | 0.00000000 | 单位树 | * | 大部分 | 积极的 | UC1709 | 未行业行业经验证 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 |
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