感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
UCC37324PE4	-	询价	2287	Texas Instruments	*	大部分	的积极				UCC37324		未验证			下载					EAR99	8542.39.0001	1
LM5100AM/NOPB	2.0400	询价	1	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相		9V~14V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	148	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V	未验证
V62/08601-04XE	3.4155	询价	9745	Texas Instruments	*	卷带式 (TR)	的积极									-	符合ROHS3标准			296-V62/08601-04XETR			3,000
IRS26072DSPBF	-	询价	3820	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局26072	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
2ED2304S06FXUMA1	1.7000	询价	8886	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2ED2304	互补金属O化物半导体	未验证	10V～17.5V	PG-DSO-8-910	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.7V	360毫安、700毫安	48纳秒、24纳秒	650伏
风扇5009MX	0.3400	询价	125	仙童	-	大部分	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇5009	反相、同相	未验证	10V～13.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	-	40纳秒、20纳秒	15V
EL7202CS-T13	2.5300	询价	4	Intersil	-	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7202	非反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
MCP14A0902-E/MS	1.5150	询价	2032	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MCP14A0902	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	高侧或低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	9A, 9A	22纳秒, 22纳秒
MIC5011BM-TR	-	询价	9139	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风5011	非反相	未验证	4.75V～32V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧或低侧	1	N沟道MOSFET	2V、4.5V	-	-
ISL6612BECB	1.0700	询价	390	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
NCP4423DWR2	0.6100	询价	28	onsemi	*	大部分	的积极				NCP4423		未验证			下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1
MCP1406-E/MFVAO	-	询价	2602	微芯片	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP1406	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
NCD57001FDWR2G	5.1300	询价	629	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	NCD57001	反相、同相	未验证	24V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	半桥	1	IGBT	-	7.8A、7.1A	10纳秒、15纳秒
ADP3412JR-REEL7	-	询价	5200	模拟器件公司	ADP3412	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3412	非反相	未验证	4.15V～7.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	高侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
ISL89167FBEAZ	-	询价	1002	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89167	反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-ISL89167FBEAZ	EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
ISL6612ACBZAR5214	-	询价	1706	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ISL89164FBECZ-T	-	询价	3892	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89164	反相	未验证	7.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	2.4V、9.6V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
ZXGD3004E6QTA	0.3286	询价	6541	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	ZXGD3004	非反相	未验证	40V	SOT-26	下载			REACH 不出行	31-ZXGD3004E6QTATR	EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	高侧或低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	-	8A, 8A	14纳秒, 14纳秒
MIC4423BM	-	询价	2277	微芯片	-	大部分	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4423	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
RAA220001GNP#HA0	0.4175	询价	8203	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	RAA220001	非反相	未验证	6V～13.2V	8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	20-RAA220001GNP#HA0TR	EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	31纳秒、18纳秒	36V
MPQ6531GVE-AEC1-P	2.7699	询价	3300	单片电力系统公司	汽车、AEC-Q100、MPQ	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-VFQFN 裸露焊盘		非反相		5V～60V	28-QFN (4x5)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MPQ6531GVE-AEC1-PTR			500	土耳其	半桥	3	N沟道MOSFET	0.8V、2V	800毫安，1安	-
UCC27201ADPRT	2.8300	询价	5905	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	UCC27201	非反相	未验证	8V~17V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V
2SC0106T2A1C-12	64.5593	询价	6764	电源集成	规模™-2+	大部分	的积极	-40℃～105℃（TA）	安装结构	模块	2SC0106	非反相		14.5V～15.5V	模块	-				596-2SC0106T2A1C-12			30	独立的	-	2	IGBT	-	6A, 6A	20纳秒、13纳秒	1200伏
2EDN7424FXTMA1	1.3300	询价	4322	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2EDN7424	非反相	未验证	4.5V～20V	PG-DSO-8-60	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	4A, 4A	6.4纳秒、5.4纳秒
UCC37322DRG4	-	询价	6310	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	SIC停产	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC37322	非反相	未验证	4V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	1.1V、2.7V	9A, 9A	20纳秒, 20纳秒
MAX5055BASA+	11.1100	询价	100	ADI/Maxim 集成	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5055	反相	未验证	4V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	4A, 4A	32纳秒、26纳秒
ISL83202IPZ	-	询价	4516	瑞萨	-	大部分	过时的	-55°C ~ 125°C（太焦）	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		非反相		8.5V～15V	16-PDIP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-ISL83202IPZ-1833			1	独立的	半桥	4	N沟道MOSFET	1V、2.5V	1A、1A	9纳秒，9纳秒	70V
PM8834MTR	2.5600	询价	3	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	PM8834	非反相	未验证	5V~18V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	45纳秒、35纳秒
DGD2118S8-13	1.0012	询价	3790	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DGD2118	非反相	未验证	10V～20V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	290毫安、600毫安	75纳秒、35纳秒	600伏
ISL2100AAR3Z	-	询价	第1155章	Intersil	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	9-VFDFN 裸露焊盘	ISL2100	非反相	未验证	9V~14V	9-DFN-EP (3x3)	-						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3.7V、7.4V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²