感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
IRS2304PBF	-	询价	9019	国际校正器公司	-	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		非反相		10V～20V	8-DIP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-IRS2304PBF-600047			1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.7V、2.3V	290毫安、600毫安	70纳秒、35纳秒	600伏
MPQ6531GVE-AEC1-P	2.7699	询价	3300	单片电力系统公司	汽车、AEC-Q100、MPQ	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-VFQFN 裸露焊盘		非反相		5V～60V	28-QFN (4x5)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MPQ6531GVE-AEC1-PTR			500	土耳其	半桥	3	N沟道MOSFET	0.8V、2V	800毫安，1安	-
RAA220001GNP#HA0	0.4175	询价	8203	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	RAA220001	非反相	未验证	6V～13.2V	8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	20-RAA220001GNP#HA0TR	EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	31纳秒、18纳秒	36V
UCC27201ADPRT	2.8300	询价	5905	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	UCC27201	非反相	未验证	8V~17V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V
2SC0106T2A1C-12	64.5593	询价	6764	电源集成	规模™-2+	大部分	的积极	-40℃～105℃（TA）	安装结构	模块	2SC0106	非反相		14.5V～15.5V	模块	-				596-2SC0106T2A1C-12			30	独立的	-	2	IGBT	-	6A, 6A	20纳秒、13纳秒	1200伏
ISL83202IPZ	-	询价	4516	瑞萨	-	大部分	过时的	-55°C ~ 125°C（太焦）	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		非反相		8.5V～15V	16-PDIP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-ISL83202IPZ-1833			1	独立的	半桥	4	N沟道MOSFET	1V、2.5V	1A、1A	9纳秒，9纳秒	70V
1SD418F2-FX800R33KF1	-	询价	8513	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD418F2	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	-	100纳秒，100纳秒
MAX5054BATA+	6.9200	询价	6	ADI/Maxim 集成	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	MAX5054	反相、同相	未验证	4V～15V	8-TDFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	第460章	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-,0.8V	4A, 4A	4纳秒、4纳秒
LTC7000IMSE-1#WTRPBF	8.0500	询价	2725	模拟器件公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-TFSOP（0.118英寸，3.00毫米宽），12引脚，裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	14V
MCP14A1201T-E/MNYVAO	-	询价	5783	微芯片	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	MCP14A1201	反相	未验证	4.5V~18V	8-TDFN (2x3)	下载			REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	12A, 12A	25纳秒, 25纳秒
HIP6601CB	2.3000	询价	第775章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	0℃～85℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP6601	非反相	未验证	5V~12V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒
TC4423AVOA713	1.8300	询价	4864	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4423	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	12纳秒, 12纳秒
MCP14A0602T-E/MNY	1.3350	询价	1230	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	MCP14A0602	非反相	未验证	4.5V~18V	8-TDFN (2x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	6A, 6A	10纳秒，10纳秒
UCC27518AQDBVRQ1	0.5205	询价	1968年	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	UCC27518	反相	未验证	4.5V~18V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	-	4A, 4A	8纳秒、7纳秒
LM5108DRCR	1.1600	询价	8941	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	LM5108	CMOS/TTL	未验证	5.5V～16V	10-VSON (3x3)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.6A、2.6A	11纳秒、8纳秒
LF2103NTR	1.2500	询价	57	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LF2103	反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	212-LF2103NTR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	35纳秒, 35纳秒	600伏
MAX5048AAUT	-	询价	8436	ADI/Maxim 集成	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SOT-23-6	MAX5048	反相、同相	未验证	4V～12.6V	SOT-23-6	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.3A、7.6A	8纳秒、3.2纳秒
MP1923GR-Z	-	询价	9802	单片电力系统公司	国会议员	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		非反相		5V~17V	8-QFN (4x4)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1589-MP1923GR-ZTR			5,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	7A、8A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
ISL89164FBECZ-T	-	询价	3892	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89164	反相	未验证	7.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	2.4V、9.6V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
ISL89167FBEAZ	-	询价	1002	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89167	反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-ISL89167FBEAZ	EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
ADP3412JR-REEL7	-	询价	5200	模拟器件公司	ADP3412	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3412	非反相	未验证	4.15V～7.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	高侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
EL7202CS-T13	2.5300	询价	4	Intersil	-	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7202	非反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
风扇7392N	0.9900	询价	91	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	风扇7392	非反相	未验证	10V～20V	14-DIP	下载					EAR99	8542.39.0001	第302章	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	4.5V、9.5V	3A、3A	25纳秒、20纳秒	600伏
MIC4125YME-TR	2.0100	询价	9	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	麦克风4125	反相、同相	未验证	4.5V～20V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	11纳秒, 11纳秒
UC2714N	1.5600	询价	3	尤尼罗德	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	UC2714	非反相	未验证	7V~20V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，1安	30纳秒、25纳秒
ADP3625ACPZ-RL	-	询价	3128	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	-	ADP3625	-	未验证	-	8-LFCSP	-		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	1	-	-		-	-	-	-
MAX5055BASA+T	5.4600	询价	4171	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5055	反相	未验证	4V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	4A, 4A	32纳秒、26纳秒
2DMB80407CC	-	询价	5468	田村	-	大部分	过时的	-40℃～85℃	通孔	模块	2DMB80407	非反相	未验证	3V～5.5V	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用		132-2DMB80407CC	EAR99	8542.39.0001	120	独立的	半桥	2	IGBT、碳化硅MOSFET	-	5毫安，-	500纳秒、500纳秒
IRS2817DSTRPBF	-	询价	4851	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2817	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	高侧和低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
MIC4423BM	-	询价	2277	微芯片	-	大部分	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4423	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²