感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
MIC4421CT	-	询价	6464	微芯片	-	大部分	过时的	0℃～150℃（太焦）	通孔	TO-220-5	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	TO-220-5	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
风扇3122TMPX	2.0300	询价	142	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	风扇3122	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MLP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	10.6A、11.4A	23纳秒、19纳秒
风扇3182MX	0.7300	询价	73	仙童	-	大部分	的积极	-			风扇3182	-	未验证	-		-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	2,500人	-	-		-	-	-	-
LTC7004HMSE#PBF	8.3500	询价	4930	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7004	非反相	未验证	3.5V～15V	10-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-2735-LTC7004HMSE#PBF	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	90纳秒、40纳秒	60V
MIC4427ZM-TR	1.4500	询价	4541	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
1SD210F2-MBN1200H45E2-H_OPT1	-	询价	5636	电源集成	-	托盘	过时的	-	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	-	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-MBN1200H45E2-H_OPT1	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	-	-	6500伏
ISL6594BCB	-	询价	8878	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6594	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
2DMB51008CC	-	询价	6980	田村	-	大部分	过时的	-40℃～85℃	通孔	模块	2DMB51008	非反相	未验证	3V～5.5V	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用		132-2DMB51008CC	EAR99	8542.39.0001	120	独立的	半桥	2	IGBT、碳化硅MOSFET	-	5毫安，-	500纳秒、500纳秒
ISL6612BEIBZ	-	询价	3049	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
1SD210F2-MBN750H65E2	-	询价	2161	电源集成	-	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-MBN750H65E2	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	1200伏
LM5110-2SD	-	询价	3177	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5110	反相	未验证	3.5V～14V	10-WSON (4x4)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
EL7457CSZ-T7	6.9400	询价	4	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7457	非反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	高侧或低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	13.5纳秒、13纳秒
DGD0547FN-7	-	询价	3568	分散公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	10-WFDFN 裸露焊盘	DGD0547	CMOS/TTL	未验证	0.3V～60V	W-DFN3030-10	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、2A	16纳秒、12纳秒	50V
TC1410NEPA	1.9400	询价	9858	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC1410	非反相	未验证	4.5V~16V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1410NEPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，500毫安	25纳秒, 25纳秒
IR2304SPBF	2.1500	询价	8	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2304	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	60毫安、130毫安	200纳秒、100纳秒	600伏
2PG010DCC11N	150.5200	询价	7266	田村	-	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	2PG010	非反相	未验证	13V~28V	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	132-2PG010DCC11N	EAR99	8543.70.9860	20	独立的	半桥	2	IGBT	0.5V、3.3V		500纳秒、500纳秒
AUIRS20302STR	-	询价	7204	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	AUIRS20302	非反相	未验证	24V～150V	28-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	土耳其	半桥	6	N沟道MOSFET	0.7V、2.5V	200毫安、350毫安	100纳秒、35纳秒	200V
IXDE509D1T/R	-	询价	第1387章	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	IXDE509	反相	未验证	4.5V～30V	6-DFN (4x5)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	25纳秒、23纳秒
TPIC46L03DBRG4	-	询价	2642	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SSOP（0.209英寸，5.30毫米宽）	TPIC46L03	非反相	未验证	4.5V~5.5V	28-SSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	6	N沟道MOSFET	-	1.2毫安、1.2毫安	3.5μs、3μs
MIC5011BM	-	询价	6288	微芯片	-	管子	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风5011	非反相	未验证	4.75V～32V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧或低侧	1	N沟道MOSFET	2V、4.5V	-	-
HIP2100IRZT	2.4200	询价	11	Intersil	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	HIP2100	非反相	未验证	9V~14V	16-QFN (5x5)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	4V、7V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
STSR30D	-	询价	6504	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	STSR30	非反相	未验证	4V～5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	-	1.5A、1.5A	40纳秒, 40纳秒
MAX15492GTA+T	-	询价	3690	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	MAX15492	非反相	未验证	4.2V～5.5V	8-TDFN-EP (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2.2A、2.7A	14纳秒、7纳秒	30V
LM5112SD/NOPB	1.8100	询价	818	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	LM5112	反相、同相	未验证	3.5V～14V	6-WSON (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	3A、7A	14纳秒、12纳秒
MIC4480YM-TR	-	询价	4258	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4480	反相、同相	未验证	4.5V~32V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2.5A、2.5A	120纳秒、45纳秒
ISL6613BEIBZ	-	询价	5489	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IRS2001MTRPBF	-	询价	8002	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-VFQFN 裸露焊盘	国税局2001	非反相	未验证	10V～20V	16-MLPQ (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	70纳秒、35纳秒	200V
L6399D	1.0103	询价	3064	意法半导体	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6399	反相、同相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.9V	290毫安、430毫安	75纳秒、35纳秒	600伏
ADP3416JR	0.7000	询价	7	模拟器件公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3416	非反相	未验证	4.15V～7.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	高侧和低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	-	-
LM5109AMA/NOPB	-	询价	第1472章	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5109	非反相	未验证	8V~14V	8-SOIC	下载						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	15纳秒，15纳秒	108V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²