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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) | SIC |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DGD0579UFN-7 | 1.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 10-WFDFN 裸露焊盘 | DGD0579 | 非反相 | 未验证 | 6.5V~18V | W-DFN3030-10 | - | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、6.5V | 1.5A、2.5A | 19纳秒、15纳秒 | 100伏 | ||||
![]() | LM5100AMR/NOPB | 3.6300 | ![]() | 820 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerSOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LM5100 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 8-SO电源板 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 2.3V,- | 3A、3A | 430纳秒、260纳秒 | 118V | |||
![]() | ADP3418JR-REEL7 | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ADP3418 | 未验证 | 4.15V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 同步化 | 半桥 | 2 | 30V | |||||||||||
![]() | RAA229618GNP#AA0 | 9.7595 | ![]() | 1031 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 20-RAA229618GNP#AA0 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MP1909GTL-Z | 1.2200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 单片电力系统公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-583 | MP1909 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~12V | SOT-583 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1589-MP1909GTL-ZTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 2A、4A | 10纳秒、6纳秒 | 50V | ||
![]() | UCC24624DT | 2.4500 | ![]() | 第639章 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC24624 | 非反相 | 未验证 | 4.25V~26V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.5A、4A | 23纳秒、19纳秒 | ||||
![]() | TLE9180C21QKXUMA1 | - | ![]() | 7122 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | TLE9180 | 未验证 | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 448-TLE9180C21QKXUMA1TR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,900人 | ||||||||||||||||
![]() | 1SD210F2-FZ600R65KE3_OPT1 | - | ![]() | 3811 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 托盘 | 过时的 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | 1SD210F2 | - | 未验证 | 15.5V~16.8V | 模块 | - | 1(无限制) | 1810-1SD210F2-FZ600R65KE3_OPT1 | 过时的 | 20 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | 6A、10A | 100纳秒,100纳秒 | 1200伏 | |||||
![]() | MIC4422ACM | - | ![]() | 8848 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | SIC停产 | 0℃~150℃(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 麦克风4422 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.8V、3V | 9A, 9A | 20纳秒、24纳秒 | ||||
2EDN7523GXTMA1 | 0.6683 | ![]() | 9885 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EiceDriver™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | 2EDN7523 | 反相 | 未验证 | 4.5V~20V | PG-WSON-8-1 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 5A、5A | 5.3纳秒、4.5纳秒 | |||||
![]() | LM5060QDGSRDN | - | ![]() | 5181 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 10-TFSOP、10-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | 非反相 | 5.5V~65V | 10-VSSOP | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 296-LM5060QDGSRDN | 1 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | - | ||||||||
![]() | DGD0597FUQ-7 | 0.9000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-VQFN 裸露焊盘 | 非反相 | 4.5V~5.5V | V-QFN3030-8 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 1.5A、2.5A | 7纳秒、5纳秒 | 40V | |||||||
![]() | UCC27524ADGNR | 0.6000 | ![]() | 9951 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 | UCC27524 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-HVSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 1V、2.3V | 5A、5A | 7纳秒、6纳秒 | ||||
![]() | TLE7181EMXUMA1 | 3.9700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 24-LSSOP(0.154",3.90mm宽)裸露焊盘 | TLE7181 | 非反相 | 未验证 | 7V~34V | PG-SSOP-24-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 4 | N沟道MOSFET | 1V、2V | - | 250纳秒、200纳秒 | 55V | |||
![]() | IRS2336DSPBF | - | ![]() | 3260 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 国税局2336 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 28-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 200毫安、350毫安 | 125纳秒、50纳秒 | 600伏 | ||||||
![]() | IR2235PBF | 18.6400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | 28-DIP(0.600英寸,15.24毫米) | 红外2235 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 28-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 250毫安、500毫安 | 90纳秒、40纳秒 | 1200伏 | |||
![]() | LF2184NTR | 2.3700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LF2184 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 212-LF2184NTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 1.9A、2.3A | 20纳秒、40纳秒 | 600伏 | ||
![]() | A89500GEJTR-T | 1.7700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 快板微系统公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装,可湿侧面 | 10-WFDFN 裸露焊盘 | A89500 | 非反相 | 未验证 | 8V~15V | 10-DFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 620-A89500GEJTR-TTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,500人 | 单身的 | 半桥 | 1 | N沟道MOSFET | 1V、2V | 2.7A、2.7A | 105纳秒、46纳秒 | 100伏 | ||
![]() | UC2714N | 1.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 尤尼罗德 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | UC2714 | 非反相 | 未验证 | 7V~20V | 8-PDIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 500毫安,1安 | 30纳秒、25纳秒 | ||||
![]() | 风扇7392N | 0.9900 | ![]() | 91 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 风扇7392 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 14-DIP | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第302章 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 4.5V、9.5V | 3A、3A | 25纳秒、20纳秒 | 600伏 | ||||||
![]() | MIC4125YME-TR | 2.0100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | 麦克风4125 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~20V | 8-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 3A、3A | 11纳秒, 11纳秒 | ||||
![]() | ADP3625ACPZ-RL | - | ![]() | 3128 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 表面贴装 | - | ADP3625 | - | 未验证 | - | 8-LFCSP | - | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | - | - | |||||||
![]() | FAN3216TMX-F085 | 0.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 仙童 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第408章 | 未验证 | |||||||||||||||||||||
![]() | MAX5062CASA+ | 5.5002 | ![]() | 5937 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | MAX5062 | 非反相 | 未验证 | 8V~12.6V | 8-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 2A, 2A | 65纳秒, 65纳秒 | 125V | |||
![]() | MAX5078BATT+ | 7.1700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 6-WDFN 裸露焊盘 | MAX5078 | 反相、同相 | 4V~15V | 6-TDFN-EP (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,190 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.1V | 4A, 4A | 4纳秒、4纳秒 | |||||
![]() | 风扇7190M-F085 | - | ![]() | 8766 | 0.00000000 | 仙童 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇7190 | 非反相 | 未验证 | 10V~22V | 8-SOP | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 1.2V、2.5V | 4.5A、4.5A | 25纳秒、20纳秒 | 600伏 | |||
![]() | ADUM4221BRIZ-RL | 8.2700 | ![]() | 8888 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | ADUM4221 | 非反相 | 未验证 | 2.5V~6.5V | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT | 1.5V、3.5V | 4A、6A | 25纳秒、30纳秒 | ||||
![]() | HIP2101EIB | - | ![]() | 1840年 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | HIP2101 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 8-SOIC-EP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | EAR99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 2A, 2A | 10纳秒,10纳秒 | 114V | |||||
![]() | 4DUD51016CFN1 | 157.9100 | ![]() | 59 | 0.00000000 | 田村 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 安装结构 | 模块 | 4DUC51016 | 非反相 | 未验证 | 13V~28V | 模块 | - | 符合RoHS标准 | 不适用 | 132-4DUD51016CFN1 | EAR99 | 8543.70.9860 | 20 | 同步化 | 半桥 | 4 | IGBT | - | - | - | 1200伏 | |||
![]() | 风扇3216TMX | 1.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇3216 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 3A、3A | 12纳秒、9纳秒 |
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