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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UCC27282DRCR | 1.5900 | ![]() | 5907 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | UCC27282 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜16V | 10-VSON (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.9V,2.4V | 2.5a,3.5a | 12n,10n | 120 v | |||
![]() | MCP14A1201-E/MS | 1.7400 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | MCP14A1201 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2V | 12a,12a | 25n,25n | ||||
![]() | DGD21844MS14-13 | 0.9734 | ![]() | 3509 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | DGD21844 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14件类型 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | DGD21844MS14-13DI | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 1.4a,1.8a | 40NS,20NS | 600 v | ||
![]() | DGD36030S28-13 | - | ![]() | 5735 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | DGD36030 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | DGD36030S28-13DI | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,500 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||
![]() | PCCFAN3224CW | - | ![]() | 8529 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | PCCFAN3224 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||
![]() | max5078aatt+ | - | ![]() | 5686 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | Max5078 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 6-TDFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 4a,4a | 32ns,26ns | |||||
![]() | NCP302155MNTWG | 2.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 31-PowerWFQFN | NCP302155 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 31-PQFN(5x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2.65V | 2a,2.5a | 12n,6ns | 35 v | |||
![]() | NCP303151MNTWG | 3.1100 | ![]() | 448 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 39-PowerVFQFN | NCP303151 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 39-pqfn (5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.65V,2.7V | 100mA,100mA | 17ns,26ns | 30 V | |||
![]() | FAN3224TM1X-F085 | 3.3700 | ![]() | 8412 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3224 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9.5V〜18V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 5a,5a | 12ns,9ns | ||||
![]() | FAN3224TUM1X-F085 | 3.3700 | ![]() | 4100 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3224 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9.5V〜18V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 5a,5a | 12ns,9ns | ||||
![]() | LM5108DRCR | 1.1600 | ![]() | 8941 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | LM5108 | CMOS/TTL | 未行业行业经验证 | 5.5V〜16V | 10-VSON (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.6a,2.6a | 11n,8ns | ||||
![]() | 5962-9073102M2C | - | ![]() | 2245 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | * | 管子 | 过时的 | 5962-9073102 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 175-5962-9073102M2C | 过时的 | 50 | ||||||||||||||||||
![]() | TSC427IJA | - | ![]() | 2707 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | * | 托盘 | 过时的 | TSC427 | 未行业行业经验证 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 175-TSC427IJA | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | UCC21530DWK | 6.3400 | ![]() | 6188 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜130°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.295英寸,宽度为7.50mm) | UCC21530 | CMOS/TTL | 未行业行业经验证 | 3v〜18V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 296-UCC21530DWK | Ear99 | 8542.31.0001 | 40 | 独立的 | 半桥 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 1.2V,1.6V | 4a,6a | 6ns,7ns | |||
![]() | UCC24624DT | 2.4500 | ![]() | 639 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC24624 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.25V〜26V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.5a,4a | 23ns,19ns | ||||
![]() | MIC4605-1YM-TRVAO | - | ![]() | 2251 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4605 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜16V | 8-SOIC | 下载 | 到达不受影响 | 150-MIC4605-1YM-TRVAOTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1a,1a | 20N,20N | 108 v | ||||
![]() | 2DMB80206CC | - | ![]() | 9185 | 0.00000000 | 塔穆拉 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 通过洞 | 模块 | 2DMB80206 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3v〜5.5V | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 132-2DMB80206CC | Ear99 | 8542.39.0001 | 120 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,SIC MOSFET | - | 5mA, - | 500NS,500NS | ||||
![]() | 2DMB51008CC | - | ![]() | 6980 | 0.00000000 | 塔穆拉 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 通过洞 | 模块 | 2DMB51008 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3v〜5.5V | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 132-2DMB51008CC | Ear99 | 8542.39.0001 | 120 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,SIC MOSFET | - | 5mA, - | 500NS,500NS | ||||
![]() | 2DMB80407CC | - | ![]() | 5468 | 0.00000000 | 塔穆拉 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 通过洞 | 模块 | 2DMB80407 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3v〜5.5V | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 132-2DMB80407CC | Ear99 | 8542.39.0001 | 120 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,SIC MOSFET | - | 5mA, - | 500NS,500NS | ||||
![]() | IR2113C | - | ![]() | 7249 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 管子 | 过时的 | IR2113 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Max15070aaut+t | 1.8000 | ![]() | 2678 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | SOT-23-6 | Max15070 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | SOT-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 3a,7a | 6NS,4NS | ||||
![]() | Max17600Ata+t | 1.2450 | ![]() | 7627 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Max17600 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.1V | 4a,4a | 40ns,25ns | ||||
![]() | max17603ata+t | - | ![]() | 8695 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Max17603 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 2V,4.25V | 4a,4a | 40ns,25ns | ||||
![]() | max15492gta+t | - | ![]() | 3690 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | Max15492 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.2V〜5.5V | 8-TDFN-EP(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.2a,2.7a | 14ns,7ns | 30 V | |||
![]() | Max17605ata+t | 1.2450 | ![]() | 1959年 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Max17605 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,SIC MOSFET | 2V,4.25V | 4a,4a | 40ns,25ns | ||||
![]() | VLA591-01R | 82.2600 | ![]() | 5690 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 通过洞 | 50浸,30条线索 | VLA591 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 14.5v〜15.5V | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 独立的 | 全桥 | 2 | IGBT | - | 20a,20a | 520ns,120ns | |||||
![]() | 2ED21064S06JXUMA1 | 2.8300 | ![]() | 280 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | 2ED21064 | - | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-14 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 290mA,700mA | 100NS,35NS | 20 v | |||
![]() | 2ED21091S06FXUMA1 | 2.2700 | ![]() | 5800 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 2ED21091 | - | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 290mA,700mA | 100NS,35NS | 20 v | |||
![]() | NJW4832KH1-B-TE3 | 0.6798 | ![]() | 4247 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | NJW4832 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.6V〜40V | 6-DFN(1.6x1.6) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | P通道MOSFET | 0.9V,2.64V | - | 10µs,10µs | |||||||
![]() | 2ED21084S06JXUMA1 | 2.5800 | ![]() | 5409 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | 2ED21084 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-14-49 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 290mA,700mA | 100NS,35NS | 650 v |
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