SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序) sic可编程
UCC27282DRCR Texas Instruments UCC27282DRCR 1.5900
RFQ
ECAD 5907 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 10-vfdfn暴露垫 UCC27282 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜16V 10-VSON (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.9V,2.4V 2.5a,3.5a 12n,10n 120 v
MCP14A1201-E/MS Microchip Technology MCP14A1201-E/MS 1.7400
RFQ
ECAD 4778 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) MCP14A1201 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2V 12a,12a 25n,25n
DGD21844MS14-13 Diodes Incorporated DGD21844MS14-13 0.9734
RFQ
ECAD 3509 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) DGD21844 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14件类型 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 DGD21844MS14-13DI Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 1.4a,1.8a 40NS,20NS 600 v
DGD36030S28-13 Diodes Incorporated DGD36030S28-13 -
RFQ
ECAD 5735 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 DGD36030 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 DGD36030S28-13DI 过时的 0000.00.0000 1,500 未行业行业经验证
PCCFAN3224CW onsemi PCCFAN3224CW -
RFQ
ECAD 8529 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 PCCFAN3224 未行业行业经验证 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 2,500
MAX5078AATT+ ADI/Maxim Integrated max5078aatt+ -
RFQ
ECAD 5686 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 6-WDFN暴露垫 Max5078 反转,无变形 未行业行业经验证 4V〜15V 6-TDFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 4a,4a 32ns,26ns
NCP302155MNTWG onsemi NCP302155MNTWG 2.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 31-PowerWFQFN NCP302155 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 31-PQFN(5x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 0.7V,2.65V 2a,2.5a 12n,6ns 35 v
NCP303151MNTWG onsemi NCP303151MNTWG 3.1100
RFQ
ECAD 448 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 39-PowerVFQFN NCP303151 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 39-pqfn (5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 0.65V,2.7V 100mA,100mA 17ns,26ns 30 V
FAN3224TM1X-F085 onsemi FAN3224TM1X-F085 3.3700
RFQ
ECAD 8412 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3224 不转变 未行业行业经验证 9.5V〜18V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET - 5a,5a 12ns,9ns
FAN3224TUM1X-F085 onsemi FAN3224TUM1X-F085 3.3700
RFQ
ECAD 4100 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3224 不转变 未行业行业经验证 9.5V〜18V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET - 5a,5a 12ns,9ns
LM5108DRCR Texas Instruments LM5108DRCR 1.1600
RFQ
ECAD 8941 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 LM5108 CMOS/TTL 未行业行业经验证 5.5V〜16V 10-VSON (3x3) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 1.6a,2.6a 11n,8ns
5962-9073102M2C ADI/Maxim Integrated 5962-9073102M2C -
RFQ
ECAD 2245 0.00000000 ADI/MAXIM集成 * 管子 过时的 5962-9073102 未行业行业经验证 - rohs3符合条件 (1 (无限) 175-5962-9073102M2C 过时的 50
TSC427IJA ADI/Maxim Integrated TSC427IJA -
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 ADI/MAXIM集成 * 托盘 过时的 TSC427 未行业行业经验证 - Rohs不合规 (1 (无限) 175-TSC427IJA 过时的 1
UCC21530DWK Texas Instruments UCC21530DWK 6.3400
RFQ
ECAD 6188 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜130°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.295英寸,宽度为7.50mm) UCC21530 CMOS/TTL 未行业行业经验证 3v〜18V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 296-UCC21530DWK Ear99 8542.31.0001 40 独立的 半桥 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 1.2V,1.6V 4a,6a 6ns,7ns
UCC24624DT Texas Instruments UCC24624DT 2.4500
RFQ
ECAD 639 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC24624 不转变 未行业行业经验证 4.25V〜26V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 低侧 2 n通道MOSFET - 1.5a,4a 23ns,19ns
MIC4605-1YM-TRVAO Microchip Technology MIC4605-1YM-TRVAO -
RFQ
ECAD 2251 0.00000000 微芯片技术 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4605 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜16V 8-SOIC 下载 到达不受影响 150-MIC4605-1YM-TRVAOTR Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1a,1a 20N,20N 108 v
2DMB80206CC Tamura 2DMB80206CC -
RFQ
ECAD 9185 0.00000000 塔穆拉 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 模块 2DMB80206 不转变 未行业行业经验证 3v〜5.5V 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 132-2DMB80206CC Ear99 8542.39.0001 120 独立的 半桥 2 IGBT,SIC MOSFET - 5mA, - 500NS,500NS
2DMB51008CC Tamura 2DMB51008CC -
RFQ
ECAD 6980 0.00000000 塔穆拉 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 模块 2DMB51008 不转变 未行业行业经验证 3v〜5.5V 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 132-2DMB51008CC Ear99 8542.39.0001 120 独立的 半桥 2 IGBT,SIC MOSFET - 5mA, - 500NS,500NS
2DMB80407CC Tamura 2DMB80407CC -
RFQ
ECAD 5468 0.00000000 塔穆拉 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 模块 2DMB80407 不转变 未行业行业经验证 3v〜5.5V 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 132-2DMB80407CC Ear99 8542.39.0001 120 独立的 半桥 2 IGBT,SIC MOSFET - 5mA, - 500NS,500NS
IR2113C Infineon Technologies IR2113C -
RFQ
ECAD 7249 0.00000000 Infineon技术 * 管子 过时的 IR2113 未行业行业经验证 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1
MAX15070AAUT+T ADI/Maxim Integrated Max15070aaut+t 1.8000
RFQ
ECAD 2678 0.00000000 ADI/MAXIM集成 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 SOT-23-6 Max15070 反转,无变形 未行业行业经验证 4V〜14V SOT-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 3a,7a 6NS,4NS
MAX17600ATA+T ADI/Maxim Integrated Max17600Ata+t 1.2450
RFQ
ECAD 7627 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Max17600 反转 未行业行业经验证 4V〜14V 8-tdfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.1V 4a,4a 40ns,25ns
MAX17603ATA+T ADI/Maxim Integrated max17603ata+t -
RFQ
ECAD 8695 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Max17603 反转 未行业行业经验证 4V〜14V 8-tdfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 2V,4.25V 4a,4a 40ns,25ns
MAX15492GTA+T ADI/Maxim Integrated max15492gta+t -
RFQ
ECAD 3690 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 Max15492 不转变 未行业行业经验证 4.2V〜5.5V 8-TDFN-EP(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2.2a,2.7a 14ns,7ns 30 V
MAX17605ATA+T ADI/Maxim Integrated Max17605ata+t 1.2450
RFQ
ECAD 1959年 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Max17605 反转,无变形 未行业行业经验证 4V〜14V 8-tdfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 IGBT,SIC MOSFET 2V,4.25V 4a,4a 40ns,25ns
VLA591-01R Powerex Inc. VLA591-01R 82.2600
RFQ
ECAD 5690 0.00000000 Powerex Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 50浸,30条线索 VLA591 不转变 未行业行业经验证 14.5v〜15.5V - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10 独立的 全桥 2 IGBT - 20a,20a 520ns,120ns
2ED21064S06JXUMA1 Infineon Technologies 2ED21064S06JXUMA1 2.8300
RFQ
ECAD 280 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) 2ED21064 - 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-14 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高侧和低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.7V 290mA,700mA 100NS,35NS 20 v
2ED21091S06FXUMA1 Infineon Technologies 2ED21091S06FXUMA1 2.2700
RFQ
ECAD 5800 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 2ED21091 - 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高侧和低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.7V 290mA,700mA 100NS,35NS 20 v
NJW4832KH1-B-TE3 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW4832KH1-B-TE3 0.6798
RFQ
ECAD 4247 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-xfdfn暴露垫 NJW4832 不转变 未行业行业经验证 4.6V〜40V 6-DFN(1.6x1.6) 下载 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 高方向 1 P通道MOSFET 0.9V,2.64V - 10µs,10µs
2ED21084S06JXUMA1 Infineon Technologies 2ED21084S06JXUMA1 2.5800
RFQ
ECAD 5409 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) 2ED21084 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V PG-DSO-14-49 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 1 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.7V 290mA,700mA 100NS,35NS 650 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库