感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
风扇1110-F085	2.0160	询价	8326	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇1110	非反相	未验证	4V~28V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	-	1	IGBT	2.4V、1.8V	-	-
HIP2106AIRZ	0.4676	询价	2470	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	HIP2106	-	未验证	4.5V~5.5V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1.3V、1.9V	-, 4A	-
R2J20655NP#G0	4.4400	询价	95	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极				R2J20655		未验证			下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人
ISL89163FRTBZ	2.6300	询价	9	Intersil	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89163	非反相	未验证	4.5V~16V	8-TDFN (3x3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
MD1213K6-G	2.1800	询价	6176	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-20°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	12-VQFN 裸露焊盘	MD1213	非反相	未验证	4.5V～13V	12-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.3V、1.2V	2A, 2A	6纳秒，6纳秒
EMB1412MYE/NOPB	-	询价	9240	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	EMB1412	反相、同相	未验证	3.5V～14V	8-MSOP-PowerPad	下载						0000.00.0000	1	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.3V	3A、7A	14纳秒、12纳秒
1SP0335V2M1-5SNA0400J650100	202.2083	询价	6611	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SP0335	-	未验证	23.5V～26.5V	模块	-		1（无限制）		1810-1SP0335V2M1-5SNA0400J650100	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	6500伏
LT1158CSW#PBF	-	询价	2340	凌力尔特公司	-	大部分	的积极	0°C ~ 70°C (太焦)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）		反相、同相		5V～30V	16-SO	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-LT1158CSW#PBF-600060			1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	500毫安，500毫安	130纳秒、120纳秒	56V
2ED21094S06JXUMA1	2.5800	询价	9740	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2ED21094	非反相	未验证	10V～20V	PG-DSO-14-49	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	1	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.7V	290毫安、700毫安	100纳秒、35纳秒	650伏
LM5100BMA/NOPB	1.7300	询价	190	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	2A, 2A	570纳秒、430纳秒	118V
HIP2211FR8Z	1.0310	询价	7040	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		非反相		6V~18V	8-DFN (4x4)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）		20-HIP2211FR8Z			1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.47V、1.84V	3A、4A	20纳秒, 20纳秒	115V
MAX5048AAUT+TW	-	询价	第1455章	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SOT-23-6	MAX5048	反相、同相	未验证	4V～12.6V	SOT-6	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	175-MAX5048AAUT+TWTR			2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.3A、7.6A	82纳秒、12.5纳秒
UC2706J	-	询价	2500	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	16-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）		反相、同相		5V～40V	16-CDIP	下载	符合ROHS3标准	不适用		296-UC2706J	EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	130纳秒、120纳秒
NCP81071AZR2G	1.6500	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	NCP81071	反相	未验证	4.5V～20V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.2V、1.8V	5A、5A	8纳秒，8纳秒
1SP0635S2M1-17	370.4117	询价	6105	电源集成	规模™-2	大部分	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块		-		14.5V～15.5V	模块	-				596-1SP0635S2M1-17			6	单身的	-	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	1700伏
2EDN8534RXTMA1	1.3300	询价	8252	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	2EDN8534	非反相	未验证	4.5V～20V	PG-TSSOP-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET		5A、5A
1SP0335V2M1C-MBN750H65E2	271.3117	询价	5398	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SP0335	-	未验证	23.5V～26.5V	模块	-		1（无限制）		1810-1SP0335V2M1C-MBN750H65E2	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	6500伏
MP1922GV-P	3.3700	询价	500	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 165°C (TJ)	表面贴装	22-VFQFN 裸露焊盘	MP1922	非反相	未验证	0V～100V	22-QFN (4x5)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MP1922GV-PTR	EAR99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、4A	-	115V
MP18021HN-LF-Z	2.0000	询价	3728	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MP18021	非反相	未验证	9V~16V	8-SOICE	下载	符合ROHS3标准	2A（4周）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.4V	2.5A、2.5A	12纳秒、9纳秒	100伏
NCV51513AAMNTWG	0.7212	询价	7819	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装，可湿侧面	10-VFDFN 裸露焊盘		非反相	未验证	8V~19V	10-DFNW (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NCV51513AAMNTWGTR	EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	2A、3A	7纳秒，7纳秒	150伏
2EDN8524RXTMA1	1.6400	询价	604	英飞凌科技	EiceDRIVER™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	2EDN8524	非反相	未验证	4.5V～20V	PG-TSSOP-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.1V、1.98V	5A、5A	5.3纳秒、4.5纳秒
LM5106MMX/NOPB	1.6400	询价	13	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LM5106	非反相	未验证	8V~14V	10-VSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.2A、1.8A	15纳秒、10纳秒	118V
LM5106SDX/NOPB	0.8250	询价	2465	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5106	非反相	未验证	8V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.2A、1.8A	15纳秒、10纳秒	118V
LTC4444MPMS8E	-	询价	7576	模拟器件公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4444	非反相	未验证	7.2V～13.5V	8-MSOP-EP	-		1（无限制）		161-LTC4444MPMS8E	EAR99	8542.39.0001	50	同步化	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	2.75V、2.25V	2.5A、3A	80纳秒、50纳秒	114V
风扇7380MX	-	询价	4024	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7380	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	90毫安、180毫安	230纳秒、90纳秒	600伏
NCP81075MNTXG	3.7200	询价	4859	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	NCP81075	非反相	未验证	8.5V～20V	8-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	4A, 4A	8纳秒、7纳秒	200V
风扇5109MX	0.2000	询价	第341章	仙童	-	大部分	的积极	0℃～85℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇5109	非反相	未验证	10V～13.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	高侧和低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A、3A	25纳秒、15纳秒	12V
LM5106MMX/NOPB	-	询价	3413	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LM5106	非反相	未验证	8V~14V	10-VSSOP	下载					EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.2A、1.8A	15纳秒、10纳秒	118V
风扇7190M	-	询价	7731	仙童	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7190	非反相	未验证	10V~22V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.5V	4.5A、4.5A	25纳秒、20纳秒	600伏
SM72482MAX-4/NOPB	1.1760	询价	3239	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SM72482	反相、同相	未验证	3.5V～14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²