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门司机（（7161）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil，vih | 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） | 上升 /秋季t （典型） | 高侧电压 -最大（引导程序） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UC3705TG3 | 9.8000 |  | 186 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | TO-220-5 | UC3705 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 5V〜40V | TO-220-5 | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 2a，2a | 60n，60n | |||
 | UC3706DWTR | 4.4250 | | 9447 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | UC3706 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 5V〜40V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 1.5a，1.5a | 40n，30ns | |||
| UC3708DWTR | 5.9625 | | 8502 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | UC3708 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5v〜35V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2V | 3a，3a | 25n，25n | |||
 | UC3715DPG4 | - | | 6000 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | UC3715 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜20V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 40 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2V | 500mA，1a | 30ns，25ns | |||
 | UCC27201DR | 2.3600 | | 7 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C 〜140°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | UCC27201 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.5V | 3a，3a | 8NS，7NS | 120 v | ||
 | UCC27424DGNG4 | - | | 1145 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） | UCC27424 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-HVSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 1V，2V | 4a，4a | 20N，15n | |||
| UCC27424DRG4 | - | | 7217 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | UCC27424 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 1V，2V | 4a，4a | 20N，15n | |||
 | UC2706N | 8.5219 | | 1931年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -25°C〜85°C（TA） | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | UC2706 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 5V〜40V | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 1.5a，1.5a | 40n，30ns | |||
| UC2708DWTR | 7.0470 | | 3782 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -25°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | UC2708 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5v〜35V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2V | 3a，3a | 25n，25n | |||
| UC2714DG4 | - | | 1613年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | UC2714 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2V | 500mA，1a | 30ns，25ns | |||
 | UC2714NG4 | - | | 2698 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | UC2714 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜20V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2V | 500mA，1a | 30ns，25ns | |||
 | ISL6620CRZ | - | | 3223 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6620 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | -isl6620crz | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a，2a | 8ns，8ns | 36 V | |
| ISL6620AIRZ-T | - | | 8528 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6620 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a，2a | 8ns，8ns | 36 V | ||
 | FAN3122CMX | 2.5000 | | 9119 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FAN3122 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 10.6a，11.4a | 23ns，19ns | |||
 | ISL2100AAR3Z | 4.1600 | | 1163 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 9-VFDFN暴露垫 | ISL2100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 9-DFN-EP（3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | -isl2100aar3z | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 3.7V，7.4V | 2a，2a | 10n，10n | 114 v | |
 | ISL6208IBZ | 2.3800 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6208 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | -isl6208ibz | Ear99 | 8542.39.0001 | 980 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.5V，2V | 2a，2a | 8ns，8ns | 33 V | |
 | EL7212CNZ | 7.1100 | | 8507 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | EL7212 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 2a，2a | 7.5NS，10NS | |||
 | ISL6614ACBZR5214 | - | | 5582 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） | ISL6614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | ||
| ISL6614CBZR5214 | - | | 7310 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） | ISL6614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | ||
 | IRS2330JTRPBF | - | | 3743 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 44-LCC（J-LEAD），32个领先优势 | IRS2330 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58） | 下载 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 250mA，500mA | 80n，35ns | 600 v | |||
 | MIC44F18YML-TR | 1.3700 | | 220 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-VFDFN暴露垫，8-MLF® | MIC44F18 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-MLF®（2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | P通道MOSFET | 1.607V，1.615V | 6a，6a | 10n，10n | |||
 | MIC5015YN | 3.2500 | | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | MIC5015 | 反转 | 未行业行业经验证 | 2.75V〜30V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | - | - | |||
 | IX2B11P7 | - | | 2720 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | - | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | IX2B11 | - | 未行业行业经验证 | - | 14-PDIP | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 275 | - | - | - | - | - | - | |||||
 | IX2C11S1T/r。 | - | | 3986 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IX2C11 | - | 未行业行业经验证 | - | 8-SOIC | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | - | - | - | - | - | |||||
| IX2R11P7 | - | | 9784 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | IX2R11 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜35V | 14-PDIP | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 275 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 6V，9.6V | 2a，2a | 8NS，7NS | 500 v | |||
| IXB611S1T/r。 | - | | 8095 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IXB611 | - | 未行业行业经验证 | - | 8-SOIC | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | - | - | - | - | - | |||||
| IXC611P1 | - | | 5344 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | - | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | IXC611 | - | 未行业行业经验证 | - | 8点 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 450 | - | - | - | - | - | - | |||||
| IXC611S1T/r。 | - | | 1319 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IXC611 | - | 未行业行业经验证 | - | 8-SOIC | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | - | - | - | - | - | |||||
| IXDD404SIA | - | | 6201 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IXDD404 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，2.5V | 4a，4a | 16ns，13ns | ||||
 | IXDD509D1 | - | | 3537 | 0.00000000 | ixys | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | IXDD509 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 6-DFN （4x5） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，2.4V | 9a，9a | 25ns，23ns |
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