SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
ISL6614CBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6614CBZ-T -
RFQ
ECAD 2321 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) ISL6614 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 14-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 4 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6614IBZ Renesas Electronics America Inc ISL6614IBZ -
RFQ
ECAD 4157 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) ISL6614 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 14-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 半桥 4 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6207CB Renesas Electronics America Inc ISL6207CB -
RFQ
ECAD 9686 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -10°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6207 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V 2a,2a 8ns,8ns 36 V
ISL6208CRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6208CRZ-T 2.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -10°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vqfn裸露的垫子 ISL6208 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-qfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.5V,2V 2a,2a 8ns,8ns 33 V
ISL6594ACB Renesas Electronics America Inc ISL6594ACB -
RFQ
ECAD 4705 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6594 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6594BCB Renesas Electronics America Inc ISL6594BCB -
RFQ
ECAD 8878 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6594 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6594BCB-T Renesas Electronics America Inc ISL6594BCB-T -
RFQ
ECAD 7526 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6594 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6594BCBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6594BCBZ-T -
RFQ
ECAD 8314 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6594 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6596CBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6596CBZ-T -
RFQ
ECAD 1279 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6596 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - - ,4A 8ns,8ns 36 V
ISL6605CR Renesas Electronics America Inc ISL6605CR -
RFQ
ECAD 6722 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vqfn裸露的垫子 ISL6605 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-qfn (3x3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V 2a,2a 8ns,8ns 33 V
ISL6605CRZA Renesas Electronics America Inc ISL6605CRZA -
RFQ
ECAD 7958 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vqfn裸露的垫子 ISL6605 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-qfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V 2a,2a 8ns,8ns 33 V
ISL6605IB-T Renesas Electronics America Inc ISL6605IB-T -
RFQ
ECAD 6680 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6605 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V 2a,2a 8ns,8ns 33 V
ISL6609CBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6609CBZ-T -
RFQ
ECAD 3033 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6609 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V - ,4A 8ns,8ns 36 V
ISL6612ACBZA-T Renesas Electronics America Inc ISL6612ACBZA-T -
RFQ
ECAD 5105 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6612AECBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612AECBZ-T -
RFQ
ECAD 8006 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6612AEIBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612AEIBZ-T -
RFQ
ECAD 5995 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6612AIBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612AIBZ-T -
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6612BCBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612BCBZ-T -
RFQ
ECAD 7689 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6612BEIB Renesas Electronics America Inc ISL6612BEIB -
RFQ
ECAD 1505 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 8-SOIC-EP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6612CB Renesas Electronics America Inc ISL6612CB -
RFQ
ECAD 5719 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6612CBZA Renesas Electronics America Inc ISL6612CBZA -
RFQ
ECAD 5637 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 980 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6612CR Renesas Electronics America Inc ISL6612CR -
RFQ
ECAD 6691 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6612EIBZ Renesas Electronics America Inc ISL6612EIBZ -
RFQ
ECAD 9255 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 980 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6612EIBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612EIBZ-T -
RFQ
ECAD 7825 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6612IR Renesas Electronics America Inc ISL6612IR -
RFQ
ECAD 2507 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6612IR-T Renesas Electronics America Inc ISL6612IR-T -
RFQ
ECAD 7752 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6613ACRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6613ACRZ-T -
RFQ
ECAD 5064 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6613 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
ISL6613BCR Renesas Electronics America Inc ISL6613BCR -
RFQ
ECAD 6012 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6613 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
TC4423AVOA713 Microchip Technology TC4423AVOA713 1.8300
RFQ
ECAD 4864 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC4423 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 4.5a,4.5a 12n,12ns
TC4424AVMF713 Microchip Technology TC4424AVMF713 2.0100
RFQ
ECAD 5946 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4424 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S( 6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 4.5a,4.5a 12n,12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库