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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
MCP1416RT-E/OTVAO	-	RFQ	4360	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	MCP1416	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	18NS，21NS
A4919GetTr-3-T	3.0600	RFQ	4863	Allegro微型系统	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	28-VFQFN暴露垫	A4919	TTL	未行业行业经验证	5.5V〜50V	28-qfn（5x5）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	3相	高方面或低侧	6	n通道MOSFET	0.8V，1.5V	-	35NS，20NS
A4919Gettr-T	2.9500	RFQ	5	Allegro微型系统	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	28-VFQFN暴露垫	A4919	TTL	未行业行业经验证	5.5V〜50V	28-qfn（5x5）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	3相	高方面或低侧	6	n通道MOSFET	0.8V，1.5V	-	35NS，20NS
2ED2304S06FXUMA1	1.7000	RFQ	8886	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	2ED2304	CMOS	未行业行业经验证	10v〜17.5V	PG-DSO-8-910	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.7V	360mA，700mA	48ns，24ns	650 v
1EDN8550BXTSA1	1.0700	RFQ	6742	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	1EDN8550	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-SOT23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	n通道，p通道MOSFET	-	4a，8a	6.5NS，4.5NS	84 v
HIP2106AIRZ	0.4676	RFQ	2470	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	HIP2106	-	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.3V，1.9V	- ，4A	-
MCP14A0455T-E/MS	1.5500	RFQ	251	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0455	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V，2V	4.5a，4.5a	12n，12ns
NCP5183DR2G	2.9400	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP5183	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.2V，2.5V	4.3a，4.3a	12n，12ns	600 v
LM5113QDPRRQ1	4.7200	RFQ	8	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5113	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.2a，5a	7NS，3.5NS	100 v
DGD0504FN-7	0.5480	RFQ	1454	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	DGD0504	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	W-DFN3030-10（TH）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	100 v
DGD0503FN-7	0.4326	RFQ	6752	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	DGD0503	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	W-DFN3030-10（TH）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	100 v
DGD21032S8-13	-	RFQ	8958	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD21032	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
DGD21042S8-13	-	RFQ	2549	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD21042	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
LMG1020YFFR	4.8000	RFQ	69	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	LMG1020	反转，无变形	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	6-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.8V，1.7V	7a，5a	375ps，350ps
TSC426C/d	-	RFQ	1872年	ADI/MAXIM集成	-	大部分	过时的	0°C〜70°C	表面安装	死	TSC426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
L9375Trlf	6.3979	RFQ	8330	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	36-Powerbssop （0.433“，11.00mm宽度）	L9375	反转，无变形	未行业行业经验证	5.2V〜20V	Powerso-36，底部垫	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	600	同步	低侧	8	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	-	9NS，9NS
MCP14A0304T-E/MNY	1.2200	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0304	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
MCP14A0303-E/MS	1.1400	RFQ	200	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0303	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
ISL78424VAVEZ-T7A	5.5100	RFQ	8795	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	14-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	ISL78424	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜18V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.1V	3a，4a	10n，10n	100 v
MCP14A0302-E/SN	1.0500	RFQ	718	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0302	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	13ns，12ns
NCV5703ADR2G	2.3300	RFQ	360	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCV5703	不转变	未行业行业经验证	20V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	半桥	1	IGBT	0.75V，4.3V	1a，1a	9.2NS，7.9NS
fan7362dr2g	-	RFQ	9082	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7362	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	250mA，500mA	70NS，30NS	600 v
max5062casa+	5.5002	RFQ	5937	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5062	不转变	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	65ns，65ns	125 v
UCC27282DRCR	1.5900	RFQ	5907	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	10-vfdfn暴露垫	UCC27282	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜16V	10-VSON （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.9V，2.4V	2.5a，3.5a	12n，10n	120 v
MCP14A1201-E/MS	1.7400	RFQ	4778	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A1201	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2V	12a，12a	25n，25n
DGD21844MS14-13	0.9734	RFQ	3509	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	DGD21844	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14件类型	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DGD21844MS14-13DI	Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.4a，1.8a	40NS，20NS	600 v
DGD36030S28-13	-	RFQ	5735	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				DGD36030					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DGD36030S28-13DI	过时的	0000.00.0000	1,500									未行业行业经验证
PCCFAN3224CW	-	RFQ	8529	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				PCCFAN3224		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
max5078aatt+	-	RFQ	5686	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5078	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	6-TDFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，4a	32ns，26ns
NCP302155MNTWG	2.6600	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	31-PowerWFQFN	NCP302155	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	31-PQFN（5x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.7V，2.65V	2a，2.5a	12n，6ns	35 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²